 
|
High Purity Semi-Isolating (HPSI) SiC Powder/99.9999% Reinheid, kristalgroei
Productdetails:
| Plaats van herkomst: | China |
| Merknaam: | ZMSH |
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
| Betalingscondities: | T/T |
|---|
|
Gedetailleerde informatie |
|||
| Purity: | ≥ 99.9999% (6N) | Particle Size: | 0.5 µm - 10 µm |
|---|---|---|---|
| Bandgap Width: | ~3.26 eV | Mohs Hardness: | 9.5 |
Productomschrijving
Inleiding van het product
HPSI SiC-poeder (High Purity Semi-Isolating Silicon Carbide) is een hoogwaardig materiaal dat veel wordt gebruikt in krachtelektronica, opto-elektronica-apparaten en hoge-temperatuur-hoogfrequente toepassingenBekend om zijn uitzonderlijke zuiverheid, semi-isolatieve eigenschappen en thermische stabiliteit, is HPSI SiC-poeder een cruciaal materiaal voor de volgende generatie halfgeleiderapparaten.
Werkingsbeginsel
Kristalgroeiproces in PVT-siliconcarbide (SiC) enkelkristaloven:
- Plaats hoogzuiver siliciumcarbidepoeder (SiC) op de bodem van de grafietketel in de oven en bind een siliciumcarbidezaadkristal aan het binnenoppervlak van de ketelkap.
- Verwarm de smeltkroes tot een temperatuur van meer dan 2000 °C met behulp van elektromagnetische inductieverwarming of resistieve verwarming.de temperatuur bij het zaadkristal iets lager houdt dan bij de poederbron.
- Het SiC-poeder ontbindt in gasvormige componenten waaronder siliciumatomen, SiC2-moleculen en Si2C-moleculen.Deze stoffen in de dampfase worden vervoerd van de zone met hoge temperatuur (poeder) naar de zone met lage temperatuur (zaadkristal)Op het koolstofoppervlak van het zaadkristal worden deze componenten in een geordende atoomstructuur gerangschikt volgens de kristallenoriëntatie van het zaadkristal.het kristal verdikt geleidelijk en groeit uiteindelijk uit tot een siliciumcarbide-balk.
Specificaties
| Parameter | Waardebereik |
|---|---|
| Zuiverheid | ≥ 99,9999% (6N) |
| Partikelgrootte | 0.5 - 10 μm |
| Resistiviteit | 105 - 107 Ω·cm |
| Warmtegeleidbaarheid | ~490 W/m·K |
| Bandgapbreedte | ~ 3,26 eV |
| Hardheid van Mohs | 9.5 |
Toepassingen
SiC enkelkristallengroei
- HPSI SiC-poeder wordt voornamelijk gebruikt als grondstof voor de productie van enkelkristallen van siliciumcarbide van hoge zuiverheid door middel van Physical Vapor Transport (PVT) of sublimatiemethoden.- Ik weet het niet.
- Ik weet het niet.
Fysieke structuur
HPSI SiC-poeder heeft een zeer kristallijne structuur, meestal in de zeshoekige (4H-SiC) of kubische vorm (3C-SiC) polytypen, afhankelijk van de productiemethode. De hoge zuiverheid wordt bereikt door het minimaliseren van metalen verontreinigingen en het beheersen van de opname van dopanten zoals aluminium of stikstof,die van invloed zijn op de elektrische en isolatie-eigenschappenDe fijne deeltjesgrootte zorgt voor uniformiteit en compatibiliteit met verschillende productieprocessen.
V&A
V1:Waarvoor wordt HPSI siliciumcarbide ((SiC) poeder gebruikt?
SiC micron poeder toepassingen zijn zoals zandblaas injectors, automotive waterpomp afdichtingen, lagers, pomp componenten, en extrusiematrijzen die hoge hardheid, slijtvastheid,met een breedte van niet meer dan 50 mm.
V2: Wat is HPSI siliciumcarbide (SiC) poeder?
HPSI (High Purity Sintered) Silicon Carbide poeder is een hoogzuiver, hoogdicht SiC materiaal vervaardigd door middel van geavanceerde sinterprocessen.
V3: Kan HPSI SiC-poeder voor specifieke toepassingen worden aangepast?
Ja, HPSI SiC-poeder kan worden afgestemd op de grootte van de deeltjes, het zuiverheidsniveau en de dopingconcentratie om aan specifieke industriële of onderzoeksbehoeften te voldoen.
V4: Hoe heeft HPSI SiC-poeder een directe invloed op de kwaliteit van halfgeleiderwafels?
De zuiverheid, de grootte van de deeltjes en de kristalfase bepalen direct.
Gerelateerde producten
SiC Substraat 4H/6H-P 3C-N 145,5 mm~150,0 mm Z-klasse P-klasse D-klasse