12-inch Siliciumcarbide (SiC) Wafer – Productintroductie

Productoverzicht

De 12-inch Siliciumcarbide (SiC) wafer vertegenwoordigt de volgende generatie van wide bandgap halfgeleider substraten, ontworpen om de grootschalige productie van hoogwaardige vermogenselektronica te ondersteunen. Vergeleken met conventionele 6-inch en 8-inch SiC wafers, vergroot het 12-inch formaat het bruikbare chipoppervlak per wafer aanzienlijk, verbetert het de productie-efficiëntie en biedt het een sterk potentieel voor kostenreductie op lange termijn.

Siliciumcarbide is een wide bandgap halfgeleidermateriaal met een hoge elektrische veldsterkte, uitstekende thermische geleidbaarheid, hoge verzadigde elektronen drift snelheid en uitstekende thermische stabiliteit. Deze eigenschappen maken 12-inch SiC wafers een ideaal platform voor hoogspanning-, hoogvermogen- en hogetemperatuurtoepassingen.

Materiaal- en kristalspecificaties

• Materiaal: Enkristal Siliciumcarbide (SiC)

• Polytype: 4H-SiC (standaard voor vermogensapparaten)

• Geleidingstype:

  • N-type (Stikstof gedoteerd)

  • Semi-isolerend (aanpasbaar)

De groei van 12-inch SiC enkelkristallen vereist geavanceerde controle van temperatuurgradiënten, spanningsverdeling en onzuiverheden. Verbeterde PVT (Physical Vapor Transport) kristalgroeitechnologie wordt typisch gebruikt om grote diameter, lage defect SiC boules te bereiken.

Productieproces

De productie van 12-inch SiC wafers omvat een reeks van zeer precieze processen:

1. Groot-diameter enkelkristalgroei

2. Kristaloriëntatie en ingot snijden

3. Precisie slijpen en wafer verdunning

4. Enkelzijdige of dubbelzijdige polijsten

5. Geavanceerde reiniging en uitgebreide inspectie

Elke stap wordt nauwkeurig gecontroleerd om uitstekende vlakheid, dikte-uniformiteit en oppervlaktekwaliteit te garanderen.

Belangrijkste voordelen

• Hogere Device Yield per Wafer: Grotere wafergrootte maakt meer chips per run mogelijk

• Verbeterde Productie-efficiëntie: Geoptimaliseerd voor de volgende generatie fabrieken

• Kostenreductiepotentieel: Lagere kosten per apparaat in grootschalige productie

• Superieure Thermische en Elektrische Prestaties: Ideaal voor zware omstandigheden

• Sterke Procescompatibiliteit: Geschikt voor mainstream SiC vermogensapparaten fabricage

Typische toepassingen

• Elektrische voertuigen (SiC MOSFET's, SiC Schottky diodes)

• On-board laders (OBC) en tractie-omvormers

• Snellaadinfrastructuur en vermogensmodules

• Zonne-omvormers en energieopslagsystemen

• Industriële motoraandrijvingen en spoorwegsystemen

• High-end vermogenselektronica en defensietoepassingen

Typische specificaties (Aanpasbaar)

Veelgestelde Vragen (FAQ)

V1: Zijn 12-inch SiC wafers klaar voor massaproductie?
A: 12-inch SiC wafers bevinden zich momenteel in de beginfase van industrialisatie en worden actief geëvalueerd voor pilot- en volumeproductie door toonaangevende fabrikanten wereldwijd.

V2: Wat zijn de voordelen van 12-inch SiC wafers in vergelijking met 8-inch wafers?
A: Het 12-inch formaat vergroot de chipopbrengst per wafer aanzienlijk, verbetert de fabrieksdoorvoer en biedt kostenvoordelen op lange termijn.

V3: Kunnen waferspecificaties worden aangepast?
A: Ja, parameters zoals geleidingstype, dikte, polijstmethode en inspectiegraad kunnen worden aangepast.