Siliciumcarbide-wafers op maat Grootte Semi-isolatieve SiC-wafers Bijna kleurloos Transparante hoge drukweerstand

Productomschrijving

Siliciumcarbide-wafers Op maat gemaakte grootte Halfisolatieve SiC-wafers Bijna kleurloos Transparante hoge drukweerstand

2 inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/ 4H-N SIC-balken/Hoge zuiverheid 4H-N 4inch 6inch diameter 150mm siliciumcarbide enkelkristal (sic) substraten wafers, sic-kristalbalkenmet een vermogen van niet meer dan 10 WSilikoncarbide kristallen wafers/ op maat gesneden wafers

Abstract van wafers van half siliciumcarbide

Siliciumcarbide (SiC) is een soort functioneel breedband gap compound halfgeleidermateriaal.semi-geïsoleerd siliciumcarbide heeft een breed scala aan toepassingsmogelijkhedenSiliconcarbide heeft vele goede eigenschappen waardoor het een unieke positie behoudt.

De thermische geleidbaarheid van siliciumcarbide is meer dan 3 keer hoger dan die van silicium, waardoor een betere warmteafvoer in elektronische energie en apparatuur kan worden bereikt.Siliciumcarbide heeft een hogere breukspanning en kan een hoger elektrisch veld weerstaan voordat het breektSiliconcarbide heeft een uitstekende prestaties en een hoge werktemperatuur.stabiel en betrouwbaar werk, en de maximale werktemperatuur kan 600 °C bereiken. Siliciumcarbide heeft een lagere aan-weerstand, een hoge afbraakspanning en een bredere bandkloof waardoor het de weerstand in stroomschakelaars kan verminderen.

Semi-geïsoleerd siliciumcarbide (semi SiC) is een speciaal soort siliciumcarbide met een hoge weerstand, een hoge afbraakspanning, een hoge thermische geleidbaarheid, een hoge spanning en een hoge spanning.sterke bestralingsbestrijding en andere superieure prestatiesHet is een zeer waardevol nieuw functioneel halfgeleidermateriaal, met zijn unieke elektrische, thermische en stralingsbestendige eigenschappen.Semi-geïsoleerd siliciumcarbide heeft brede toepassingsmogelijkheden in het hoogvermogen, hoge frequentie, hoge temperatuur en andere velden.

Voor de productie van wafers van half siliciumcarbide

Parameter van de siliconcarbide wafer

Siliciumcarbide is een halfgeleiderverbinding bestaande uit silicium en koolstof.die siliciumcarbide halfgeleiders een hoge mechanischeDe breedbandkloofkenmerken en de hoge thermische stabiliteit maken het mogelijk SIC-apparaten te gebruiken bij hogere verbindingstemperatuur dan silicium.Het kan worden gebruikt voor het polijsten van semi-geïsoleerde siliciumcarbide halfgeleider wafers aan beide zijdenBijvoorbeeld, de procesparameters van 4-inch siliciumcarbide halfgeleiderplaten zijn als volgt:

Parameters van geïsoleerde siliconcarbide-wafers voor halfgeleiders

V&A

1Waar wordt siliciumcarbide halfgeleider voor gebruikt?

Een breedbandgap (WBG) materiaal kan elektrische energie efficiënter verplaatsen dan kleinere bandgap halfgeleiders.krachtelektronica, zoals tractieomvormers in elektrische voertuigen en gelijkstroom-/ gelijkstroomomvormers voor opladers voor elektrische voertuigen en airconditioners.

2Wat is het verschil tussen SI en SiC?

MOSFET's op basis van siliciumcarbide (SiC) zorgen voor veel hogere efficiëntieniveaus in vergelijking met versies op basis van silicium (Si), hoewel het niet altijd gemakkelijk is om te beslissen wanneer deze technologie de betere keuze is.

3Waarom is SiC beter dan silicium?

De thermische geleidbaarheid van SiC is bijna 3,5 keer beter dan die van Si, waardoor het meer vermogen (warmte) per oppervlakte-eenheid kan afvoerenHoewel verpakking een beperkende factor kan zijn tijdens continue werking, brengt de aanzienlijke extra marge die SiC biedt, extra vertrouwen in toepassingen die gevoelig zijn voor voorbijgaande thermische gebeurtenissen.