2 duim van de de Thermische Schokweerstand van het 4 Duim het Proef Eerste sic Substraat van het het Siliciumcarbide Ceramische Enige Wafeltje

2 duim van de de Thermische Schokweerstand van het 4 Duim het Proef Eerste sic Substraat van het het Siliciumcarbide Ceramische Enige Wafeltje

Productdetails:

Plaats van herkomst: China
Merknaam: ZMKJ
Modelnummer: 2inch*0.43mmt

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal: 3PCS
Prijs: by case
Verpakking Details: het enige wafeltjepakket in 100 sorteert schoonmakende ruimte
Levertijd: 2weeks
Betalingscondities: T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 1000pcs/month
Beste prijs Contact

Gedetailleerde informatie

Materiaal: Sic enig kristal 4h-n type Rang: Proef/Production-rang/Eerste
Thicnkss: 0.43mm Suraface: Opgepoetst
Toepassing: Dragende Test Diameter: 2inch*0.43mmt
Kleur: Groene Thee
Markeren:

Proef Eerste sic Substraat

,

4 duim sic Substraat

,

Het thermische Enige Kristal van de Schokweerstand sic

Productomschrijving

Aangepaste grootte2inch/3inch/4inch/6inch 6h-n/4h-SEMI SIC baren 4h-n/Hoge zuiverheids 4h-n 4inch 6inch dia 150mm van het enige kristal (sic) substraten wafers/4 van het siliciumcarbide duim 4h-n type SIC Substraten van het de Rangsilicium van 0,35 mm DSP Eerste Nul het Carbidewafeltje

Het Kristal ongeveer van het Siliciumcarbide (sic)

 

Het siliciumcarbide (sic), ook gekend als carborundum, is een halfgeleider sic bevattend silicium en koolstof met chemische formule. Sic wordt gebruikt in de apparaten van de halfgeleiderelektronika die bij hoge temperaturen of hoge voltages werken, of both.SiC is ook één van de belangrijke LEIDENE componenten, is het een populair substraat voor het kweken van GaN-apparaten, en het dient ook als hitteverspreider in high-power LEDs.

1. Beschrijving
Bezit 4H-sic, Enig Kristal 6H-sic, Enig Kristal
Roosterparameters a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Het stapelen van Opeenvolging ABCB ABCACB
Mohshardheid ≈9.2 ≈9.2
Dichtheid 3.21 g/cm3 3.21 g/cm3
Therm. Uitbreidingscoëfficiënt 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Brekingsindex @750nm

geen = 2,61
Ne = 2,66

geen = 2,60
Ne = 2,65

Diëlektrische Constante c~9.66 c~9.66
Warmtegeleidingsvermogen (n-Type, 0,02 ohm.cm)

a~4.2 W/cm·K@298K
c~3.7 W/cm·K@298K

 
(Semi-insulating) Warmtegeleidingsvermogen

a~4.9 W/cm·K@298K
c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K
c~3.2 W/cm·K@298K

Band-Gap 3.23 eV 3.02 eV
Opsplitsings Elektrogebied 35×106V/cm 35×106V/cm
De Snelheid van de verzadigingsafwijking 2.0×105m/s 2.0×105m/s

 

4 het duim n-gesmeerde 4H-Wafeltje van het Siliciumcarbide sic

Van het het Siliciumcarbide van de hoge zuiverheids4inch het Substraatspecificatie diameter (sic)
  2 duim van de de Thermische Schokweerstand van het 4 Duim het Proef Eerste sic Substraat van het het Siliciumcarbide Ceramische Enige Wafeltje 12 duim van de de Thermische Schokweerstand van het 4 Duim het Proef Eerste sic Substraat van het het Siliciumcarbide Ceramische Enige Wafeltje 22 duim van de de Thermische Schokweerstand van het 4 Duim het Proef Eerste sic Substraat van het het Siliciumcarbide Ceramische Enige Wafeltje 3

 
CATALOGUS   GEMEENSCHAPPELIJKE GROOTTE
                            
 

 

4 H-N Type/Hoge Zuiverheids sic wafeltje/baren
2 duim4h n-Type sic wafeltje/baren
3 duim4h n-Type sic wafeltje
4 duim4h n-Type sic wafeltje/baren
6 duim4h n-Type sic wafeltje/baren

 
4H Semi-insulating/Hoge Zuiverheids sic wafeltje

2 duim4h Semi-insulating sic wafeltje
3 duim4h Semi-insulating sic wafeltje
4 duim4h Semi-insulating sic wafeltje
6 duim4h Semi-insulating sic wafeltje
 
 
6H-n-Type sic wafeltje
2 duim6h n-Type sic wafeltje/baar
 
 Customziedgrootte voor 2-6inch
 
 

Ongeveer ZMKJ Company
 
ZMKJ kan verstrekt sic hoogte - het wafeltje van het kwaliteits enige kristal (Siliciumcarbide) aan de elektronische en optoelectronic industrie. Sic is het wafeltje een materiaal van de volgende generatiehalfgeleider, met unieke elektrische eigenschappen en de uitstekende thermische eigenschappen, in vergelijking met siliciumwafeltje en GaAs wafeltje, sic wafeltje zijn geschikter voor machts van het op hoge temperatuur en de toepassing hoge apparaat. Sic kan het wafeltje in diameter 2-6 duim sic worden geleverd, zowel 4H als 6H, gesmeerd n-Type, Stikstof, en semi-insulating beschikbaar type. Tevreden om ons voor meer productinformatie te contacteren.

 
Onze Relatieproducten
 Het Kristal sic wafeltjes van de saffier wafer& lens LiTaO3 LaAlO3/SrTiO3/wafeltjes Ruby Ball

2 duim van de de Thermische Schokweerstand van het 4 Duim het Proef Eerste sic Substraat van het het Siliciumcarbide Ceramische Enige Wafeltje 4

FAQ

Q: Wat is de manier om en kosten te verschepen?

A: (1) wij keuren DHL, Fedex, EMS enz. goed

(2) het is fijn als u uw eigen uitdrukkelijke rekening, als niet hebt, konden wij u helpen hen verschepen en

De vracht is met de daadwerkelijke regeling in overeenstemming.

 

Q: Hoe te betalen?

A: De storting van T/T 100% vóór levering.

 

Q: Wat is uw MOQ?

A: (1) voor inventaris, is MOQ 1pcs. als is 2-5pcs het beter.

(2) voor aangepaste gemeenschappelijke producten, is MOQ omhoog 10pcs.

 

Q: Wat is de levertijd?

A: (1) voor de standaardproducten

Voor inventaris: de levering is 5 werkdagen na u plaats de orde.

Voor aangepaste producten: de levering is 2 -4 weken na u ordecontact.

 

Q: Hebt u standaardproducten?

A: Onze standaardproducten in voorraad. zoals als substraten 4inch 0.35mm.

 

Wilt u meer details over dit product weten
Ik ben geïnteresseerd 2 duim van de de Thermische Schokweerstand van het 4 Duim het Proef Eerste sic Substraat van het het Siliciumcarbide Ceramische Enige Wafeltje kun je me meer details sturen zoals type, maat, hoeveelheid, materiaal, etc.
Bedankt!
Wachten op je antwoord.