• 8 duim 200mm n-Type het Substraat van het Wafeltjecrystal ingots van het Siliciumcarbide sic
  • 8 duim 200mm n-Type het Substraat van het Wafeltjecrystal ingots van het Siliciumcarbide sic
  • 8 duim 200mm n-Type het Substraat van het Wafeltjecrystal ingots van het Siliciumcarbide sic
8 duim 200mm n-Type het Substraat van het Wafeltjecrystal ingots van het Siliciumcarbide sic

8 duim 200mm n-Type het Substraat van het Wafeltjecrystal ingots van het Siliciumcarbide sic

Productdetails:

Plaats van herkomst: CHINA
Merknaam: ZMKJ
Modelnummer: 4h-n

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal: 1PCS
Prijs: by case
Verpakking Details: het enige wafeltjepakket in 100 sorteert schoonmakende ruimte
Levertijd: 1-6weeks
Betalingscondities: T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 1-50pcs/month
Beste prijs Contact

Gedetailleerde informatie

Materiaal: Sic enig kristal 4h-n type Rang: Model/Onderzoek/Productie
Thicnkss: 0.5MM/1015mm Suraface: opgepoetst
toepassing: dragende test Diameter: 8inch
Kleur: groen
Hoog licht:

8 duim 200mm sic Wafeltjes

,

Baren sic Substraat

,

N Type het Wafeltje van het Siliciumcarbide

Productomschrijving

Dubbel Zij Pools Wafeltje 2-8“ 4H N van het Siliciumcarbide - Gesmeerde sic Wafers/8inch 200mm n-Type sic de 6h-n/4h-SEMI SIC baren 4h-n van Crystal Wafers Ingots sic substrate/2inch/3inch/4inch/6inch/8inch/Hoge zuiverheids 4h-n 4inch 6inch dia 150mm van het enige kristal (sic) substraten van het siliciumwafeltjes carbide

Het Kristal ongeveer van het Siliciumcarbide (sic)

 

Het siliciumcarbide (sic), ook gekend als carborundum, is een halfgeleider sic bevattend silicium en koolstof met chemische formule. Sic wordt gebruikt in de apparaten van de halfgeleiderelektronika die bij hoge temperaturen of hoge voltages werken, of both.SiC is ook één van de belangrijke LEIDENE componenten, is het een populair substraat voor het kweken van GaN-apparaten, en het dient ook als hitteverspreider in high-power LEDs.

 

Beschrijving van SIC-Wafeltje
Specificatie van het 4 duim de Geleidende sic Wafeltje
Product 4H-sic
Rang Rang I Rang II Rang III
polycrystalline gebieden Toegelaten niets Toegelaten niets <5>
polytype gebieden Toegelaten niets ≤20% 20% ~ 50%
Micropipedichtheid) < 5micropipes=""> < 30micropipes=""> <100micropipes>
Totaal bruikbaar gebied >95% >80% N/A
Diameter 100,0 mm +0/0.5 mm
Dikte 500 μm ± 25 μm of Klantenspecificatie
Additief n type: stikstof
Primaire Vlakke Richtlijn) Loodlijn aan <11-20> ± 5.0°
Primaire Vlakke Lengte 32,5 mm ± 2,0 mm
Secundaire Vlakke Richtlijn) 90° CW van Primaire vlakke ± 5.0°
Secundaire Vlakke Lengte) 18,0 mm ± 2,0 mm
Op de Richtlijn van het aswafeltje) {0001} ± 0.25°
Van de Richtlijn van het aswafeltje 4.0° naar <11-20> ± 0.5° of Klantenspecificatie
TTV/BOW/Warp < 5="">
Weerstandsvermogen 0.01~0.03 Ω×cm
De oppervlakte eindigt C Gezichtspoetsmiddel. Si ziet CMP onder ogen (Si-gezicht: Rq < 0="">

Dubbel zijpoetsmiddel

 
 

 

8 duim 200mm n-Type het Substraat van het Wafeltjecrystal ingots van het Siliciumcarbide sic 08 duim 200mm n-Type het Substraat van het Wafeltjecrystal ingots van het Siliciumcarbide sic 18 duim 200mm n-Type het Substraat van het Wafeltjecrystal ingots van het Siliciumcarbide sic 2

CATALOGUS GEMEENSCHAPPELIJKE GROOTTE
    
 

 

4 H-N Type/Hoge Zuiverheids sic wafeltje/baren
2 duim4h n-Type sic wafeltje/baren
3 duim4h n-Type sic wafeltje
4 duim4h n-Type sic wafeltje/baren
6 duim4h n-Type sic wafeltje/baren

8 duim4h n-Type

 

 
4H Semi-insulating/Hoge Zuiverheids sic wafeltje

2 duim4h Semi-insulating sic wafeltje
3 duim4h Semi-insulating sic wafeltje
4 duim4h Semi-insulating sic wafeltje
6 duim4h Semi-insulating sic wafeltje
8 duim4h Semi-insulating sic wafeltje
 
 
 

 

 

Sic Toepassingen

 

Toepassingsgebieden

1: Hoge frequentie en hoge machts de elektronische dioden van apparatenschottky, JFET, BJT, Speld, dioden, IGBT, MOSFET

2: Optoelectronic apparaten: hoofdzakelijk gebruikt LEIDENE van het substraat materiële (GaN/sic) leiden in van GaN/sic blauwe

 

FAQ:

Q: Wat is de manier om en kosten te verschepen?

A: (1) wij keuren DHL, Fedex, EMS enz. goed

(2) het is fijn als u uw eigen uitdrukkelijke rekening, als niet hebt, konden wij u helpen hen verschepen en

De vracht is met de daadwerkelijke regeling in overeenstemming.

 

Q: Hoe te betalen?

A: De storting van T/T 100% vóór levering.

 

Q: Wat is uw MOQ?

A: (1) voor inventaris, is MOQ 1pcs. als is 2-5pcs het beter.

(2) voor aangepaste gemeenschappelijke producten, is MOQ omhoog 10pcs.

 

Q: Wat is de levertijd?

A: (1) voor de standaardproducten

Voor inventaris: de levering is 5 werkdagen na u plaats de orde.

Voor aangepaste producten: de levering is 2 -4 weken na u ordecontact.

 

Q: Hebt u standaardproducten?

A: Onze standaardproducten in voorraad. zoals als substraten 4inch 0.35mm.

 

 

Wilt u meer details over dit product weten
Ik ben geïnteresseerd 8 duim 200mm n-Type het Substraat van het Wafeltjecrystal ingots van het Siliciumcarbide sic kun je me meer details sturen zoals type, maat, hoeveelheid, materiaal, etc.
Bedankt!
Wachten op je antwoord.