logo
Goede prijs  online

details van de producten

Created with Pixso. Huis Created with Pixso. Producten Created with Pixso.
Keramische onderdelen
Created with Pixso.

CVD/SSiC Silicon Carbide Tray voor de verwerking van halfgeleiderwafels

CVD/SSiC Silicon Carbide Tray voor de verwerking van halfgeleiderwafels

Merknaam: zmsh
MOQ: 2
Prijs: by case
Verpakking: Aangepaste dozen
Betalingsvoorwaarden: T/T
Gedetailleerde informatie
Plaats van herkomst:
China
Materiaal:
Sic
Zuiverheid:
99,9%
Bedrijfstemperatuur:
Tot 1600 ° C
Diameter:
Aangepaste maten beschikbaar
Thermische schokweerstand:
Uitstekend
Dikte:
2,3 - 3,9 g/cm³
Levering vermogen:
Bij het geval
Markeren:

CVD-waferbak van siliciumcarbide

,

SSiC-halfgeleiderverwerkingsbak

,

met een diameter van niet meer dan 20 mm

Productbeschrijving

1. Overzicht


Deze precisie-radiaal gestructureerde procesdragerplaat is een geavanceerd industrieel onderdeel dat is ontworpen voor toepassingen die uitzonderlijke mechanische sterkte, thermische stabiliteit en maatnauwkeurigheid vereisen. Met een combinatie van ringvormige sleuven met meerdere zones en een versterkt netwerk van radiale steunribben, is de lade ontworpen om superieure prestaties te leveren in complexe en veeleisende productieomgevingen. Industrieën zoals de productie van halfgeleiders, LED-epitaxie, geavanceerd sinteren van keramiek en vacuümverwerking bij hoge temperaturen vertrouwen op dit type tray om betrouwbaarheid, consistentie en hoge doorvoer te garanderen.



CVD/SSiC Silicon Carbide Tray voor de verwerking van halfgeleiderwafels 0


De geometrie van de bak is geoptimaliseerd om de mechanische belastingen gelijkmatig te verdelen, de structurele stijfheid onder hoge spanningen te behouden en de thermische uniformiteit te verbeteren tijdens werkzaamheden waarbij snelle verwarming en koeling nodig zijn. Gecombineerd met zeer zuivere keramische of metalen materialen en robuuste bewerkingsprocessen vertegenwoordigt dit product een nieuwe generatie industriële armaturen ontworpen voor precisiegestuurde productie.




2. Structurele kenmerken en functioneel ontwerp


2.1 Ringvormig slotframe met meerdere zones


De bak bevat verschillende lagen goed verdeelde ringvormige sleuven. Deze concentrische kanalen dienen meerdere doelen:

  • Gewichtsreductie:Een lagere massa vermindert de traagheid tijdens rotatie en verbetert de algehele operationele efficiëntie.

  • Optimalisatie van de warmtestroom:De sleuven vergroten het effectieve warmteafvoeroppervlak, waardoor een uniforme temperatuurverdeling over het oppervlak mogelijk is.

  • Ontwerp voor spanningsverlichting:Het gesegmenteerde patroon minimaliseert de thermische en mechanische spanningsconcentratie, waardoor het risico op scheuren of kromtrekken wordt verminderd.

Deze architectuur met meerdere zones is vooral waardevol bij sinter- en halfgeleiderprocessen bij hoge temperaturen, waarbij thermische gradiënten nauwkeurig moeten worden gecontroleerd.


2.2 Versterkt radiaal ribnetwerk

De radiale ribben vormen een verknoopt structureel frame dat de mechanische sterkte aanzienlijk verbetert. Deze ribben zijn strategisch geplaatst om:

  • Ondersteun zware lasten zonder vervorming

  • Verbeter de rotatiestabiliteit bij montage op spindels

  • Bestand tegen buigen of doorbuigen tijdens verwarmings- en koelcycli

  • Behoud maatnauwkeurigheid op lange termijn

De combinatie van ringvormige en radiale structuren resulteert in een zeer uitgebalanceerd ontwerp dat zijn integriteit behoudt in intensieve industriële omgevingen.


2.3 Zeer nauwkeurig bewerkt oppervlak

Het oppervlak van de bak wordt vervaardigd met behulp van geavanceerde CNC-bewerkings- en oppervlakteconditioneringsprocessen. Dit zorgt voor:

  • Hoge vlakheid

  • Nauwkeurige dikte-uniformiteit

  • Gladde laadcontactpunten

  • Verminderde wrijving voor substraten of armaturen

  • Consistente compatibiliteit met geautomatiseerde apparatuur

Een dergelijke precisiebewerking is van cruciaal belang voor halfgeleider- en optische toepassingen, waar zelfs kleine afwijkingen tot defecten of opbrengstverlies kunnen leiden.


2.4 Gecentraliseerde montage-interface

De kern van de lade bevindt zich een gespecialiseerde montage-interface die bestaat uit meerdere nauwkeurig geboorde gaten. Deze gaten maken het volgende mogelijk:

  • Veilige installatie op roterende assen

  • Uitlijning met oven- of vacuümkamerarmaturen

  • Stabiele positionering voor geautomatiseerde handlingsystemen

  • Integratie met aangepaste engineeringtools

Dit zorgt ervoor dat de lade gemakkelijk past in verschillende industriële workflows en apparatuurmodellen.


2.5 Structurele versterking aan de buitenring

De buitenring is voorzien van gesegmenteerde verstevigingskussens die de rand versterken en de rotatiebalans behouden. Dit verbetert:

  • Trillingsbestendigheid

  • Stabiliteit van de perifere belasting

  • Duurzaamheid bij herhaalde mechanische impact

Samen met het interne ribbensysteem creëert de buitenring een stijve en stabiele drager die geschikt is voor een lange levensduur.





3. Materiaalopties voor verschillende toepassingen

De lade kan worden vervaardigd uit meerdere hoogwaardige materialen, afhankelijk van de toepassingsvereisten:


3.1 Gesinterd siliciumcarbide (SSiC)

  • Ultra-lage porositeit

  • Hoge thermische geleidbaarheid

  • Uitstekende corrosieweerstand

  • Ideaal voor ultraschone halfgeleider- en vacuümomgevingen


3.2 Reactiegebonden siliciumcarbide (RBSiC)

  • Uitstekende thermische schokbestendigheid

  • Goede mechanische sterkte

  • Kosteneffectief voor massaproductie

  • Geschikt voor sinterovens en LED-productie


3.3 Aluminiumoxide-keramiek

  • Stabiel tot 1600°C

  • Betaalbaar en veelzijdig

  • Geschikt voor algemene thermische belasting en keramische verwerking


3.4 Metalen met hoge sterkte (aluminium / roestvrij staal)

  • Goede bewerkbaarheid

  • Geschikt voor mechanische apparatuur, automatisering en handling

  • Ideaal voor niet-thermische processen of processen op gemiddelde temperatuur

Elk materiaal is geselecteerd om maximale prestaties onder specifieke omgevingsomstandigheden te garanderen.




4. Belangrijke industriële toepassingen


4.1 Productie van halfgeleiders

  • Draagbak voor CVD- en PECVD-systemen

  • Ondersteuningsplatform voor oxidatie- en diffusieprocessen

  • Houder voor gloeien en snelle thermische verwerking (RTP).

  • Waferbehandeling en geautomatiseerde overdrachtstools


4.2 LED- en opto-elektronische productie

  • Saffier- en SiC-wafellaadbak

  • Substraatverwerkingsdrager voor hoge temperaturen

  • Epitaxiaal ondersteuningsplatform dat stabiele thermische profielen vereist


4.3 Geavanceerde materiaalverwerking

  • Poedermetallurgie en sinteren

  • Keramisch substraat bakken

  • Vacuümovenplaten voor hoge temperaturen


4.4 Automatisering en precisiemachines

  • Roterende bevestigingsschijf

  • Uitlijning basisplaat

  • Montage-interface voor apparatuur

  • Aangepaste geautomatiseerde afhandelingsvervoerder

Zijn veelzijdigheid maakt hem geschikt voor zowel thermische als werktuigbouwkundige omgevingen.



5. Belangrijke voordelen

5.1 Thermisch rendement

  • Uniforme warmteverdeling minimaliseert hotspots

  • Geschikt voor snelle thermische cycli

  • Ideaal voor nauwkeurige werkzaamheden bij hoge temperaturen

5.2 Structurele duurzaamheid

  • Uitstekende weerstand tegen mechanische belasting

  • Anti-vervorming onder belasting en temperatuurveranderingen

  • Een lange operationele levensduur vermindert de onderhoudscycli

5.3 Processtabiliteit

  • Laag besmettingsrisico bij gebruik van SiC of keramiek

  • Consistente maatnauwkeurigheid zorgt voor een hoge productopbrengst

  • Compatibel met vacuüm-, inerte of atmosferische omstandigheden

5.4 Aanpasbaarheid

  • Afmetingen, dikte en sleufgeometrie kunnen op maat worden gemaakt

  • Meerdere materialen beschikbaar

  • Centrale montage-interface kan worden aangepast

  • Oppervlakteafwerking en markeringsopties aangeboden


Veelgestelde vragen


1. Wat is een SiC-keramische bakplaat?

Een SiC-keramische bak is een precisiedrager gemaakt van zeer zuiver siliciumcarbide, ontworpen voor het ondersteunen, laden en transporteren van wafers of substraten tijdens de productie van halfgeleiders, LED's, optische en vacuümprocessen. Het biedt uitzonderlijke thermische stabiliteit, mechanische sterkte en weerstand tegen vervorming onder zware omstandigheden zoals hoge temperaturen, plasma- en chemische processen.




2. Wat zijn de voordelen van het gebruik van SiC-trays vergeleken met kwarts-, grafiet- of aluminium trays?

SiC-trays bieden verschillende superieure prestatievoordelen:

  • Bestand tegen hoge temperaturentot 1600–1800°C zonder vervorming

  • Uitstekende thermische geleidbaarheid, waardoor een uniforme warmteverdeling wordt gegarandeerd

  • Uitstekende mechanische sterkte en stijfheid

  • Lage thermische uitzetting, waardoor kromtrekken tijdens thermische cycli wordt voorkomen

  • Hoge corrosieweerstandtot plasmagassen en chemicaliën

  • Langere levensduuronder voortdurende productieomstandigheden onder hoge spanning




3. Voor welke toepassingen worden SiC-keramische trays voornamelijk gebruikt?

SiC-trays worden veel gebruikt in:

  • Hantering van halfgeleiderwafels

  • LPCVD, PECVD, MOCVD thermische verwerking

  • Gloei-, diffusie-, oxidatie- en epitaxieprocessen

  • Laden van saffierwafels/optisch substraat

  • Omgevingen met hoog vacuüm en hoge temperaturen

  • Precisie CMP- of polijstbevestigingsplatforms

  • Fotonica en geavanceerde verpakkingsapparatuur




4. Kunnen SiC-trays thermische schokken aan?

Ja. SiC-keramiek biedt uitstekende thermische schokbestendigheid vanwege hun lage CTE en hoge breuktaaiheid. De bak is bestand tegen snelle temperatuurstijgingen of -dalingen zonder te barsten, waardoor hij ideaal is voor cyclusprocessen bij hoge temperaturen.


Gerelateerde producten


CVD/SSiC Silicon Carbide Tray voor de verwerking van halfgeleiderwafels 1

6 inch siliciumcarbide SiC gecoate grafietplaat Hoge temperatuurbestendigheid grafietplaten


CVD/SSiC Silicon Carbide Tray voor de verwerking van halfgeleiderwafels 2

Siliciumcarbide keramische boorkop voor SiC-saffier Si GAA's wafer


Over ons


ZMSH is gespecialiseerd in de hightech ontwikkeling, productie en verkoop van speciaal optisch glas en nieuwe kristalmaterialen. Onze producten zijn bedoeld voor optische elektronica, consumentenelektronica en het leger. Wij bieden optische componenten van saffier, lensafdekkingen voor mobiele telefoons, keramiek, LT, siliciumcarbide SIC, kwarts en halfgeleiderkristalwafels. Met bekwame expertise en geavanceerde apparatuur blinken we uit in niet-standaard productverwerking, met als doel een toonaangevende hightech onderneming op het gebied van opto-elektronische materialen te zijn.


CVD/SSiC Silicon Carbide Tray voor de verwerking van halfgeleiderwafels 3