8/6/4/2 inch LPCVD oxidatieoven Volledige automatisering Lage zuurstofcontrole Dunne film afzetting

Productoverzicht

Deze apparatuur is een hoog-efficiënte, volledig geautomatiseerde 8-inch verticale oxidatie LPCVD-oven, ontworpen voor massaproductie. Het biedt uitstekende filmuniformiteit en herhaalbaarheid, ondersteunt diverse oxidatie-, gloei- en LPCVD-processen. Het systeem beschikt over een automatische 21-cassetteoverdracht met naadloze MES-integratie, ideaal voor halfgeleiderproductie.

Werkingsprincipe

De oven is voorzien van een verticale buisstructuur en geavanceerde controle van een laag-zuurstof micro-omgeving. Het maakt nauwkeurige oxidatie of filmafzetting van siliciumwafers mogelijk onder specifieke atmosferen. Het LPCVD (Low-Pressure Chemical Vapor Deposition) proces verwarmt precursor-gassen onder lage druk om hoogwaardige dunne films af te zetten, zoals polysilicium, siliciumnitride of gedoteerde siliciumoxiden.

Bij de productie van chips wordt Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD) veelvuldig gebruikt om verschillende dunne films voor diverse doeleinden te creëren. LPCVD kan worden gebruikt om siliciumoxide- en siliciumnitride-films af te zetten. Het wordt ook ingezet om gedoteerde films te produceren om de geleidbaarheid van silicium te wijzigen. Bovendien wordt LPCVD gebruikt om metaalfilms te fabriceren, zoals wolfraam of titanium, die essentieel zijn voor het vormen van interconnectiestructuren in geïntegreerde schakelingen.

Procesprincipe

Het werkingsprincipe van LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) kan worden begrepen als een gecontroleerd chemisch reactieproces dat plaatsvindt onder lage druk en de reactie van gasvormige precursors op het oppervlak van een wafer omvat.

Gaslevering:
Eén of meer gasvormige precursors (chemische gassen) worden in de reactiekamer geïntroduceerd. Deze

stap wordt uitgevoerd onder verminderde druk, doorgaans onder atmosferisch niveau. Lagere druk helpt reactiesnelheden te verhogen, uniformiteit te verbeteren en filmkwaliteit te verhogen. De stroomsnelheid en druk van de gassen worden nauwkeurig geregeld door gespecialiseerde regelaars en kleppen. De keuze van het gas bepaalt de eigenschappen van de resulterende film. Om bijvoorbeeld siliciumfilms af te zetten, kunnen silaan (SiH₄) of dichlorosilaan (SiCl₂H₂) als precursors worden gebruikt. Voor andere soorten films, zoals siliciumoxide, siliciumnitride of metalen, worden verschillende gassen geselecteerd.

Adsorptie:
Dit proces omvat de adsorptie van precursor-gasmoleculen op het substraatoppervlak (bijv. siliciumwafer). Adsorptie verwijst naar de interactie waarbij moleculen tijdelijk aan het vaste oppervlak hechten vanuit de gasfase, zonder volledig in het vaste materiaal te integreren. Dit kan fysieke adsorptie of chemische adsorptie omvatten.

Reactie:
Bij de ingestelde temperatuur ondergaan de geadsorbeerde precursors chemische reacties op het substraatoppervlak, waarbij een dunne film wordt gevormd. Deze reacties kunnen decompositie, substitutie of reductie omvatten, afhankelijk van het type precursor-gassen en de procesomstandigheden.

Afzetting:
De reactieproducten vormen een dunne film die uniform op het substraatoppervlak wordt afgezet.

Verwijdering van restgassen:
Niet-gereageerde precursors en gasvormige bijproducten (bijv. waterstof gegenereerd tijdens de ontleding van silaan) worden uit de reactiekamer verwijderd. Deze bijproducten moeten worden afgevoerd om interferentie met het proces of contaminatie van de film te voorkomen.

Toepassingsgebieden

• LPCVD-apparatuur wordt gebruikt om uniforme dunne films af te zetten bij hoge temperaturen en lage drukken, ideaal voor batchverwerking van wafers.

• In staat om een breed scala aan materialen af te zetten, waaronder polysilicium, siliciumnitride en siliciumdioxide.

V&A

V1: Hoeveel wafers kunnen per batch worden verwerkt?
A1: Het systeem ondersteunt 150 wafers per batch, geschikt voor productie met een hoog volume.

V2: Ondersteunt het systeem meerdere oxidatiemethoden?
A2: Ja, het ondersteunt droge en natte oxidatie (inclusief DCE en HCL), aanpasbaar aan diverse procesvereisten.

V3: Kan het systeem worden geïntegreerd met de MES van de fabriek?
A3: Het ondersteunt SECS II/HSMS/GEM communicatieprotocollen voor naadloze MES-integratie en slimme fabrieksoperaties.

V4: Welke compatibele processen worden ondersteund?
A4: Naast oxidatie ondersteunt het N₂/H₂ gloeien, RTA, legeren en LPCVD voor polysilicium, SiN, TEOS, SIPOS en meer.