8/6/4/2 inch LPCVD oxidatieoven Volledige automatisering Lage zuurstofcontrole Dunne film afzetting

Productoverzicht

Deze uitrusting is een zeer efficiënte, volledig geautomatiseerde 8 inch verticale oxidatie LPCVD-oven die is ontworpen voor massaproductie.ondersteunt verschillende oxidatiesHet systeem beschikt over een automatische overdracht van 21 cassettes met naadloze MES-integratie, ideaal voor de vervaardiging van halfgeleiders.

Werkingsbeginsel

De oven is voorzien van een verticale buisstructuur en een geavanceerde micro-omgevingscontrole met weinig zuurstof.Het LPCVD-proces (Low-Pressure Chemical Vapor Deposition) verwarmt voorlopersgassen onder lage druk om dunne films van hoge kwaliteit zoals polysilicium af te leggen, siliciumnitride of gedopeerde siliciumoxiden.

In de chipproductie wordt chemische dampdepositie onder lage druk (LPCVD) veel gebruikt om verschillende dunne films voor verschillende doeleinden te maken.LPCVD kan worden gebruikt om silicium-oxide en siliciumnitridefilms te deponerenHet wordt ook gebruikt voor de productie van gedopte films om de geleidbaarheid van silicium te wijzigen.die van essentieel belang zijn voor het vormen van interconnectstructuren in geïntegreerde schakelingen.

Procesbeginsel

The working principle of LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) can be understood as a controlled chemical reaction process that takes place at low pressure and involves the reaction of gaseous precursors on the surface of a wafer.

Gaslevering:
Een of meerdere gasvormige precursoren (chemische gassen) worden in de reactiecamer ingevoerd.

Deze stap wordt uitgevoerd onder verlaagde druk, meestal onder het atmosferische niveau.De doorstroming en druk van de gassen worden nauwkeurig geregeld door gespecialiseerde regelaars en kleppenDe keuze van het gas bepaalt de eigenschappen van de resulterende folie. Bijvoorbeeld, om siliciumfolie te deponeren, kunnen silane (SiH4) of dichlorosilan (SiCl2H2) als voorlopers worden gebruikt.Voor andere soorten films worden verschillende gassen geselecteerd., zoals siliciumoxide, siliciumnitride of metalen.

Adsorptie:
Dit proces omvat de adsorptie van precursorgasmoleculen op het substraatoppervlak (bijv. siliciumwafer).Adsorptie verwijst naar de interactie waarbij moleculen tijdelijk aan het vaste oppervlak hechten vanuit de gasfaseDit kan fysieke of chemische adsorptie inhouden.

Reactie:
Bij de ingestelde temperatuur ondergaan de geadsorbeerde precursoren chemische reacties op het substraatoppervlak, waardoor een dunne film wordt gevormd.afhankelijk van het type voorlopersgassen en de procesomstandigheden.

Afspraak:
De reactieproducten vormen een dunne film die zich gelijkmatig op het substraatoppervlak legt.

Verwijdering van restgassen:
Niet gereageerde precursoren en gasvormige bijproducten (bijv. waterstof die ontstaat tijdens de ontbinding van silane) worden uit de reactiekamer verwijderd.Deze bijproducten moeten worden geëvacueerd om verstoring van het proces of besmetting van de film te voorkomen..

Toepassingsgebieden

• LPCVD-apparatuur wordt gebruikt om uniforme dunne films bij hoge temperaturen en lage druk te deponeren, ideaal voor batchverwerking van wafers.

• In staat om een breed scala aan materialen te deponeren, waaronder poly-silicium, siliciumnitride en siliciumdioxide.

V&A

V1: Hoeveel wafers kunnen per partij worden verwerkt?
A1: Het systeem ondersteunt 150 wafers per partij, geschikt voor grote productie.

V2: Ondersteunt het systeem meerdere oxidatiemethoden?
A2: Ja, het ondersteunt droog- en natte oxidatie (inclusief DCE en HCL), en kan worden aangepast aan verschillende procesvereisten.

V3: Kan het systeem interface met de fabriek MES?
A3: Het ondersteunt SECS II/HSMS/GEM-communicatieprotocollen voor naadloze MES-integratie en slimme fabriekswerkzaamheden.

V4: Welke compatibele processen worden ondersteund?
A4: Naast oxidatie ondersteunt het N2/H2 gloeien, RTA, legeren en LPCVD voor polysilicium, SiN, TEOS, SIPOS en meer.