Um dik 350 Eerste de Halfgeleidersubstraat van InP van het 2 Duim Enige Kristal
Het Fosfide van het germaniumindium/Galliumarsenide Wafeltje
InPwafeltje
Het indiumfosfide baseerde Epitaxial Wafeltje
-
Van het het Indiumfosfide van enig Kristalinp Wafeltjes 350 - 650um-Dikte
Contact nu -
3 inch InP Indiumfosfide Substraat N-type Halve geleider VGF groeimethode 111 100 oriëntatie
Contact nu -
Siliciumwafer 4 inch dikte 500+/-20 Resistiviteit 1-10 ohm·cm Orientatie100 dubbelzijdig poetsmiddel
Contact nu -
Epi-klaar 4 inch InP-wafers N-type p-type EPF < 1000cm^2 met een dikte van 325um±50um
Contact nu -
Silicon Wafer CZ oriëntatie111 Resistiviteit: 1-10 (ohm.cm) eenzijdig of dubbelzijdig poetsmiddel
Contact nu
Verwante Video's
Sapphire materials colorful sapphire ruby blue #5 doped Fe+, Ti+, Cr+, and undoped
Andere Video's
August 03, 2022
