| Merknaam: | ZMSH |
| Modelnummer: | 03 |
| MOQ: | 3 |
| Prijs: | 20USD |
| Verpakking: | karton |
| Betalingsvoorwaarden: | T/T |
De Siliconencarbide Keramische Vork is een precisie-ontworpen keramisch component, ontworpen voor halfgeleider wafelhandelingssystemen, robotoverdrachtsapparatuur en toepassingen voor hoge-temperatuurverwerking. Vervaardigd uit geavanceerde siliciumcarbide (SiC) keramische materialen, biedt het uitstekende mechanische stijfheid, thermische stabiliteit en weerstand tegen agressieve chemische omgevingen.
In de halfgeleiderproductie vereisen wafeloverdrachtsystemen componenten die in staat zijn om nauwkeurige positionering en stabiele mechanische prestaties te behouden tijdens herhaalde handelingoperaties. Geïnstalleerd aan het uiteinde van een robotarm, ondersteunt en transporteert de SiC keramische vork wafels tussen cassettes, laadpoorten, vacuümkamers en verwerkingsapparatuur.
![]()
Vergeleken met conventionele metalen componenten en veel traditionele keramische materialen, biedt siliciumcarbide een combinatie van hoge hardheid, lage thermische uitzetting, uitstekende thermische geleidbaarheid en uitstekende slijtvastheid. Deze kenmerken maken het bijzonder geschikt voor veeleisende halfgeleiderproductieomgevingen waar temperatuurregeling, dimensionale stabiliteit en contaminatiereductie essentieel zijn.
Siliciumcarbide behoudt uitstekende mechanische eigenschappen bij verhoogde temperaturen. De thermische stabiliteit maakt het geschikt voor wafeloverdrachtsystemen en halfgeleiderapparatuur die onder veeleisende thermische omstandigheden werken.
SiC keramiek heeft een hoge thermische geleidbaarheid, waardoor efficiënte warmteoverdracht mogelijk is en temperatuurgradiënten binnen het component worden verminderd. Dit is met name gunstig in toepassingen met hete wafels en thermisch veeleisende omgevingen.
Met extreem hoge hardheid biedt siliciumcarbide uitstekende weerstand tegen slijtage en mechanische slijtage. Het helpt het contactoppervlak en de dimensionale nauwkeurigheid van de vork te behouden tijdens herhaalde wafelhandelingsoperaties.
Siliciumcarbide combineert een hoge elasticiteitsmodulus met een relatief lage dichtheid, wat zorgt voor uitstekende structurele stijfheid. Dit helpt vervorming en doorbuiging te minimaliseren, met name in lange en dunne vorkstructuren.
De lage coëfficiënt van thermische uitzetting helpt de dimensionale stabiliteit te behouden tijdens temperatuurschommelingen, wat zorgt voor consistente waferpositionering en overdrachtnauwkeurigheid.
SiC keramiek vertoont sterke weerstand tegen veel zuren, logen en corrosieve chemicaliën. Het is geschikt voor halfgeleiderapparatuur die wordt blootgesteld aan chemische verwerkingsomgevingen, afhankelijk van de specifieke materiaalkwaliteit en bedrijfsomstandigheden.
Siliconencarbide keramiek kan met precisie worden geslepen en gepolijst om een gecontroleerde oppervlaktekwaliteit te bereiken. Een juiste oppervlakteafwerking helpt mechanische slijtage en deeltjesgeneratie tijdens contact en overdracht van wafels te verminderen.
Siliconencarbide keramische vorken zijn primair ontworpen voor precisie wafeloverdracht en geautomatiseerde handelingssystemen.
Halfgeleider Wafeloverdracht: Ondersteunen en transporteren van siliciumwafels tussen verschillende verwerkingsstations.
Robotische Wafelhandling: Dienen als eindeffector of handlingsblad van halfgeleideroverdrachtrobots.
Vacuümverwerkingsapparatuur: Gebruikt in wafeloverdrachtsmodules en vacuüm automatiseringssystemen.
Hoge-Temperatuur Toepassingen: Hanteren van wafels en substraten in thermisch veeleisende apparatuur.
Wafelreinigingsapparatuur: Ondersteunen van geautomatiseerde laad- en losoperaties.
Precisie Automatiseringssystemen: Hanteren van halfgeleidersubstraten en andere delicate componenten die hoge dimensionale stabiliteit vereisen.
Wij leveren op maat gemaakte siliciumcarbide keramische vorken volgens klanttekeningen, monsters en apparatuurspecificaties.
Beschikbare maatwerk opties omvatten:
Drukloos gesinterd SiC (SSiC)
Reactief gebonden SiC (RBSiC / SiSiC), afhankelijk van de toepassingsvereisten
Op maat gemaakte vorklengtes, -breedtes en -diktes
Enkele vork en meer-tand structuren
Precisie montagegaten en installatie-interfaces
Op maat gemaakte waferondersteunings- en contactgebieden
Vacuümkanalen en zuiggaten
Precisie slijpen en oppervlaktepolijsten
Op maat gemaakte dimensionale toleranties en vlakheidseisen
Verschillende SiC productieprocessen kunnen verschillende materiaalkenmerken produceren. Materiaalkeuze moet daarom rekening houden met de bedrijfstemperatuur, chemische blootstelling, elektrische vereisten en wafercontactomstandigheden.
De volgende tabel biedt een algemene referentie voor siliciumcarbide keramische vorkproducten. Werkelijke specificaties zijn afhankelijk van de materiaalkwaliteit, het productieproces en het op maat gemaakte ontwerp.![]()
Parameter | Specificatie |
|---|---|
| Productnaam | Siliconencarbide Keramische Vork |
| Materiaal | Siliconencarbide (SiC) |
| Materiaaltype | SSiC / SiSiC |
| SiC-gehalte | Afhankelijk van de kwaliteit |
| Kleur | Zwart / Donkergrijs |
| Dichtheid | Ongeveer 3,0–3,2 g/cm³ |
| Hardheid | Hoog |
| Thermische Geleidbaarheid | Hoog |
| Thermische Uitzetting | Laag |
| Mechanische Stijfheid | Uitstekend |
| Chemische Weerstand | Uitstekend |
| Oppervlakteafwerking | Geslepen / Gepolijst |
| Afmetingen | Op maat gemaakt |
| Verwerking | Precisie Keramische Bewerking |
| Toepassing | Halfgeleider Wafelhandling |
Naarmate de processen voor halfgeleiderproductie zich blijven ontwikkelen, wordt verwacht dat componenten voor wafelhandling hogere precisie, betere thermische stabiliteit en een langere levensduur zullen bieden.
Siliconencarbide keramiek biedt verschillende voordelen voor deze toepassingen. De hoge stijfheid helpt mechanische vervorming te verminderen, terwijl de lage thermische uitzetting de dimensionale stabiliteit onder veranderende temperaturen ondersteunt. Hoge hardheid en chemische weerstand verbeteren verder de geschiktheid voor veeleisende procesomgevingen.
Voor toepassingen met lange overdrachtsbladen, verhoogde temperaturen of agressieve chemische blootstelling, kan SiC keramiek voordelen bieden ten opzichte van conventioneel aluminiumoxide keramiek, hoewel het optimale materiaal afhankelijk is van de werkelijke apparatuursomstandigheden.
Door precisiebewerking en op maat gemaakt structureel ontwerp kunnen siliciumcarbide keramische vorken worden vervaardigd om te voldoen aan verschillende wafergroottes, robotconfiguraties en halfgeleiderapparatuurvereisten.
Een Siliconencarbide Keramische Vork is een precisie keramisch component dat wordt gebruikt in halfgeleider wafelhandling en geautomatiseerde overdrachtsystemen. Het wordt doorgaans aan het uiteinde van een robotarm geïnstalleerd om wafels te ondersteunen en te transporteren tussen verschillende verwerkingsstations.
Siliconencarbide keramische vorken bieden verschillende voordelen, waaronder hoge hardheid, uitstekende slijtvastheid, hoge thermische geleidbaarheid, lage thermische uitzetting en goede chemische corrosiebestendigheid. Deze eigenschappen maken ze geschikt voor veeleisende halfgeleiderproductieomgevingen.
Siliconencarbide wordt geselecteerd vanwege zijn uitstekende mechanische stijfheid, thermische stabiliteit en weerstand tegen zware bedrijfsomstandigheden. Het helpt de dimensionale nauwkeurigheid en betrouwbare waferpositionering te behouden tijdens herhaalde overdrachtsoperaties.
![]()