Productoverzicht

De 6-inch siliciumcarbide (SiC) wafer is een volgende generatie halfgeleidersubstraat ontworpen voor elektronische toepassingen met hoog vermogen, hoge temperatuur en hoge frequentie. Met superieure thermische geleidbaarheid, een brede bandgap en chemische stabiliteit maken SiC-wafers de fabricage mogelijk van geavanceerde vermogensapparaten die een hogere efficiëntie, grotere betrouwbaarheid en kleinere afmetingen leveren in vergelijking met traditionele op silicium gebaseerde technologieën.

SiC's brede bandgap (~3,26 eV) maakt het mogelijk dat elektronische apparaten werken bij spanningen van meer dan 1.200 V, temperaturen boven 200°C en schakelfrequenties die meerdere keren hoger zijn dan die van silicium. Het 6-inch formaat biedt een evenwichtige combinatie van productie schaalbaarheid en kosteneffectiviteit, waardoor het de mainstream maat is voor industriële massaproductie van SiC MOSFET's, Schottky-diodes en epitaxiale wafers.

Productieprincipe

De 6-inch SiC-wafer wordt gekweekt met behulp van Physical Vapor Transport (PVT) of Sublimatie Groei Technologie. In dit proces wordt hoogzuiver SiC-poeder gesublimeerd bij temperaturen van meer dan 2.000°C en herkristalliseerd op een zaadkristal onder nauwkeurig gecontroleerde thermische gradiënten. De resulterende enkelkristallijne SiC-boule wordt vervolgens gesneden, gelapt, gepolijst en gereinigd om wafer-grade vlakheid en oppervlaktekwaliteit te bereiken.

Voor de fabricage van apparaten worden epitaxiale lagen op het waferoppervlak afgezet via Chemical Vapor Deposition (CVD), waardoor een nauwkeurige controle over de dopingconcentratie en laagdikte mogelijk is. Dit zorgt voor uniforme elektrische prestaties en minimale kristaldefecten over het gehele waferoppervlak.

Belangrijkste kenmerken en voordelen

• Brede bandgap (3,26 eV): Maakt werking met hoge spanning en superieure vermogensefficiëntie mogelijk.

• Hoge thermische geleidbaarheid (4,9 W/cm·K): Zorgt voor efficiënte warmteafvoer voor apparaten met hoog vermogen.

• Hoge elektrische veldsterkte (3 MV/cm): Maakt dunnere apparaatstructuren met lagere lekstroom mogelijk.

• Hoge elektronenverzadigingssnelheid: Ondersteunt schakelen met hoge frequentie en snellere reactietijden.

• Uitstekende chemische en stralingsbestendigheid: Ideaal voor zware omgevingen zoals ruimtevaart en energiesystemen.

• Grotere diameter (6-inch): Verbetert de waferopbrengst en verlaagt de kosten per apparaat in massaproductie.

Toepassingen

• SiC in AR-brillen:
  SiC-materialen verbeteren de vermogensefficiëntie, verminderen de warmteontwikkeling en maken dunnere, lichtere AR-systemen mogelijk door hoge thermische geleidbaarheid en brede bandgap-eigenschappen.

•  

• SiC in MOSFET's:
  SiC MOSFET's bieden snel schakelen, hoge doorslagspanning en weinig verlies, waardoor ze ideaal zijn voor microdisplay-drivers en laserprojectie-stroomcircuits.

•  

• SiC in SBD's:
  SiC Schottky-barrièrediodes bieden ultrasnelle rectificatie en weinig terugstroomverlies, waardoor de efficiëntie van opladen en DC/DC-omzetters in AR-brillen wordt verbeterd.

Technische specificaties (aanpasbaar)

Waarom kiezen voor onze SiC-wafers

• Hoge opbrengst en lage defectdichtheid: Geavanceerd kristalgroeiproces zorgt voor minimale micropipes en dislocaties.

• Stabiele epitaxiecapaciteit: Compatibel met meerdere epitaxiale en apparaatfabricageprocessen.

• Aanpasbare specificaties: Verkrijgbaar in verschillende oriëntaties, dopingniveaus en diktes.

• Strikte kwaliteitscontrole: Volledige inspectie via XRD, AFM en PL-mapping om uniformiteit te garanderen.

• Wereldwijde supply chain-ondersteuning: Betrouwbare productiecapaciteit voor zowel prototype- als volume-orders.

FAQ

V1: Wat is het verschil tussen 4H-SiC en 6H-SiC wafers?
A1: 4H-SiC biedt een hogere elektronenmobiliteit en heeft de voorkeur voor apparaten met hoog vermogen en hoge frequentie, terwijl 6H-SiC geschikt is voor toepassingen die een hogere doorslagspanning en lagere kosten vereisen.

V2: Kan de wafer worden geleverd met een epitaxiale laag?
A2: Ja. Epitaxiale SiC-wafers (epi-wafers) zijn verkrijgbaar met aangepaste dikte, dopingtype en uniformiteit volgens de apparaatvereisten.

V3: Hoe verhoudt SiC zich tot GaN- en Si-materialen?
A3: SiC ondersteunt hogere spanningen en temperaturen dan GaN of Si, waardoor het ideaal is voor systemen met hoog vermogen. GaN is beter geschikt voor toepassingen met hoge frequentie en lage spanning.

V4: Welke oppervlakteoriëntaties worden vaak gebruikt?
A4: De meest voorkomende oriëntaties zijn (0001) voor verticale apparaten en (11-20) of (1-100) voor laterale apparaatstructuren.

V5: Wat is de typische doorlooptijd voor 6-inch SiC-wafers?
A5: De standaard doorlooptijd is ongeveer 4–6 weken, afhankelijk van de specificaties en de ordergrootte.