Productoverzicht van Semi-Isolerende SiC Wafers

Hoogzuivere Semi-Isolerende SiC Wafers zijn ontworpen voor de volgende generatie vermogenselektronica, RF/microgolfapparaten en opto-elektronica. Onze wafers worden vervaardigd uit 4H- of 6H-SiC-enkele kristallen met behulp van een geoptimaliseerd Physical Vapor Transport (PVT)-groeiproces in combinatie met annealing met diepe-niveaus-compensatie. Het resultaat is een wafer met:

• Ultra-Hoge Weerstand: ≥1×10¹² Ω·cm, om lekstromen in hoogspanningsschakelapparaten te onderdrukken

• Brede Bandgap (~3,2 eV): Behoudt superieure elektrische prestaties onder hoge temperatuur, hoog veld en hoge stralingsomstandigheden

• Uitzonderlijke Thermische Geleidbaarheid: >4,9 W/cm·K, voor snelle warmteafvoer in hoogvermogenmodules

• Uitstekende Mechanische Sterkte: Mohs-hardheid van 9,0 (alleen overtroffen door diamant), lage thermische uitzetting en uitstekende chemische stabiliteit

• Atomaal Glad Oppervlak: Ra < 0,4 nm met defectdichtheid < 1/cm², ideaal voor MOCVD/HVPE epitaxie en micro-nano fabricage

Beschikbare Maten: 50, 75, 100, 150, 200 mm (2″–8″) standaard; aangepaste diameters tot 250 mm op aanvraag.
Diktebereik: 200–1 000 μm met ±5 μm tolerantie.

Productieprincipes & Processtroom van Semi-Isolerende SiC Wafers

Voorbereiding van Hoogzuiver SiC Poeder

• Startmateriaal: 6N-grade SiC-poeder gezuiverd via meerfasige vacuüm sublimatie en thermische behandeling om metaalverontreinigingen (Fe, Cr, Ni < 10 ppb) te verminderen en polykristallijne insluitsels te elimineren.

Gemodificeerde PVT Enkelkristalgroei

• Omgeving: 10⁻³–10⁻² Torr bijna-vacuüm

• Temperatuur: Grafietkroes verwarmd tot ~2 500 °C; gecontroleerde thermische gradiënt ΔT ≈ 10–20 °C/cm

• Gasstroom & Kroesontwerp: Poreuze grafietseparatoren en op maat gemaakte kroesgeometrie zorgen voor een uniforme dampverdeling en remmen ongewenste nucleatie

• Dynamische Toevoer & Rotatie: Periodieke SiC-poedervervanging en kristalstaafrotatie leveren lage dislocatiedichtheden (< 3 000 cm⁻²) en consistente 4H/6H-oriëntatie

​

Annealing met Diepe-Niveaus-Compensatie

• Waterstof Annealing: 600–1 400 °C in H₂ atmosfeer gedurende enkele uren om diepe-niveautraps te activeren en intrinsieke dragers te compenseren

• N/Al Co-Doping (Optioneel): Nauwkeurige incorporatie van Al (acceptor) en N (donor) dotanten tijdens groei of post-groei CVD om stabiele donor-acceptorparen te creëren, waardoor de weerstandspieken worden aangestuurd

​

Precisie Snijden & Meerfasige Lapping

• Diamantdraad Zagen: Snijdt wafers tot 200–1 000 μm dikte met minimale beschadigingslaag; diktetolerantie ±5 μm

• Groffe tot Fijne Lapping: Sequentieel gebruik van diamantslijpmiddelen om zaagschade te verwijderen en voor te bereiden op polijsten

Chemisch-Mechanisch Polijsten (CMP)

• Polijstmedia: Nano-oxide (SiO₂ of CeO₂) slurry in een milde alkalische suspensie

• Procescontrole: Polijstparameters met lage spanning leveren RMS-ruwheid van 0,2–0,4 nm en elimineren micro-krassen

​

Eind Reiniging & Klasse-100 Verpakking

• Meerfasige Ultrasone Reiniging: Organisch oplosmiddel → zuur/base behandelingen → gespoeld met gedeïoniseerd water, allemaal uitgevoerd in een Klasse-100 cleanroom

• Drogen & Verzegelen: Stikstofspoeldrogen, verzegeld in met stikstof gevulde beschermende zakken en ondergebracht in antistatische, trillingsdempende buitenboxen

Specificatie van Semi-Isolerende SiC Wafers

Belangrijkste Toepassingsgebieden van Semi-Isolerende SiC Wafers

• Hoogvermogen Elektronica

  • SiC MOSFET's, Schottky-diodes, hoogspanningsomvormers en snellaad EV-vermogensmodules maken gebruik van SiC's lage on-weerstand en hoge doorslagveld.

• RF & Microgolfsystemen

  • 5G/6G basisstation-vermogensversterkers, millimetergolf-radarmodules en satellietcommunicatie-frontends vereisen SiC's hoogfrequente prestaties en stralingshardheid.

• Opto-elektronica & Fotronica

  • UV-LED's, blauwe-laserdiodes en breedbandgap-fotodetectoren profiteren van een atomaal glad en defectvrij substraat voor uniforme epitaxie.

• Extreme Omgevingsdetectie

  • Hoge temperatuur druk/temperatuursensoren, gasturbine-bewakingselementen en detectoren van nucleaire kwaliteit benutten SiC's stabiliteit boven 600 °C en onder hoge stralingsflux.

• Lucht- en Ruimtevaart & Defensie

  • Satellietvermogenelektronica, raket-radars en luchtvaartsystemen vereisen SiC's robuustheid in vacuüm, temperatuurcycli en hoge-G-omgevingen.

• Geavanceerd Onderzoek & Maatwerk Oplossingen

  • Quantum computing isolatiesubstraten, micro-cavity optiek en op maat gemaakte venstervormen (sferisch, V-groef, veelhoekig) voor geavanceerde R&D.

Veelgestelde Vragen (FAQ) van Semi-Isolerende SiC Wafers

1. Waarom kiezen voor semi-isolerend SiC boven geleidend SiC?
   Semi-isolerend SiC vertoont ultra-hoge weerstand via diepe-niveaus-compensatie, waardoor lekstromen in hoogspannings- en hoogfrequente apparaten aanzienlijk worden verminderd, terwijl geleidend SiC geschikt is voor toepassingen met lagere spanning of vermogen MOSFET-kanaal.

2. Kunnen deze wafers direct in epitaxiale groei?
   Ja. We bieden “epi-ready” semi-isolerende wafers aan die zijn geoptimaliseerd voor MOCVD, HVPE of MBE, compleet met oppervlaktebehandeling en defectcontrole om uitstekende epitaxiale laagkwaliteit te garanderen.

3. Hoe wordt wafer-schoonheid gegarandeerd?
   Een Klasse-100 cleanroomproces, meerfasige ultrasone en chemische reiniging, plus stikstofverpakking garanderen vrijwel geen deeltjes, organische resten of micro-krassen.

4. Wat is de typische doorlooptijd en minimale bestelling?
   Monsters (tot 5 stuks) worden binnen 7–10 werkdagen verzonden. Productieorders (MOQ = 5 wafers) worden geleverd in 4–6 weken, afhankelijk van de grootte en aangepaste functies.

5. Bieden jullie aangepaste vormen of substraten aan?
   Ja. Naast standaard cirkelvormige wafers fabriceren we vlakke vensters, V-groef onderdelen, sferische lenzen en andere op maat gemaakte geometrieën.

Over Ons

ZMSH is gespecialiseerd in hightech ontwikkeling, productie en verkoop van speciaal optisch glas en nieuwe kristalmaterialen. Onze producten dienen optische elektronica, consumentenelektronica en het leger. We bieden saffier optische componenten, mobiele telefoon lens covers, keramiek, LT, Siliciumcarbide SIC, Kwarts en halfgeleider kristal wafers. Met deskundige expertise en geavanceerde apparatuur excelleren we in niet-standaard productverwerking, met als doel een toonaangevende opto-elektronische materialen hightech onderneming te zijn.