Solid SiC Vacuum Chuck – Ultra-Flat Carrier Plate for Thin Wafer Processing

Introductie van SiC Vacuüm Chuck

De ultraplatte keramische wafer vacuüm chuck is gemaakt met een coating van zeer zuiver siliciumcarbide (SiC), ontworpen voor geavanceerde wafer-verwerkingsprocessen. Geoptimaliseerd voor gebruik in MOCVD- en compound halfgeleider groeiapparatuur, biedt het uitstekende hitte- en corrosiebestendigheid, wat zorgt voor uitzonderlijke stabiliteit in extreme verwerkomgevingen. Dit draagt bij aan een verbeterd yield management en betrouwbaarheid bij de fabricage van halfgeleiderwafers.

De configuratie met weinig contact met het oppervlak helpt deeltjesverontreiniging aan de achterkant te minimaliseren, waardoor het ideaal is voor zeer gevoelige wafertoepassingen waar reinheid en precisie cruciaal zijn.

Deze oplossing combineert hoge prestaties met kostenefficiëntie en ondersteunt veeleisende productieomgevingen met betrouwbare en duurzame prestaties.

WerkingsprincipeVanSiC Vacuüm Chuck

In processen bij hoge temperaturen dient de SiC-dragerplaat als ondersteuning voor het dragen van wafers of dunne-film materialen. De hoge thermische geleidbaarheid zorgt voor een gelijkmatige warmteverdeling, waardoor de processtabiliteit en uniformiteit worden verbeterd. Bovendien behoudt de plaat dankzij zijn hardheid en chemische inertie de structurele integriteit, zelfs in corrosieve omgevingen, waardoor de productzuiverheid en de veiligheid van de apparatuur worden gewaarborgd.

Parameters van Wafer Vacuüm Chuck

Kenmerken van Wafer Vacuüm Chuck

● Ultraplatte mogelijkheden

● Spiegelglans

● Uitzonderlijk lichtgewicht

● Hoge stijfheid

● Lage thermische uitzetting

● Φ 300 mm diameter en groter

● Extreme slijtvastheid

Toepassingen van SiC Poreuze Vacuüm Chuck

In de halfgeleider- en opto-elektronische industrie worden ultradunne wafers vaak op poreuze siliciumcarbide (SiC) vacuüm chucks geplaatst. Door verbinding te maken met een vacuümgenerator wordt negatieve druk uitgeoefend om de wafer stevig op zijn plaats te houden zonder mechanische klemmen. Dit maakt een nauwkeurige en stabiele verwerking mogelijk tijdens de volgende fasen:

• Waxmontage

• Achterkant verdunnen (slijpen of lappen)

• Ontwaxen

• Reiniging

• Snijden / Zagen

Het gebruik van een zeer zuivere, poreuze SiC vacuüm chuck zorgt voor uitstekende thermische en chemische stabiliteit gedurende deze processen, terwijl verontreiniging wordt geminimaliseerd en de wafervlakheid wordt gehandhaafd. De superieure mechanische sterkte en thermische geleidbaarheid verminderen ook het risico op waferbreuk tijdens de verwerking, vooral voor fragiele of ultradunne substraten zoals GaAs, InP of SiC.

Veelgestelde vragen (FAQ) – SiC Poreuze Vacuüm Chuck

V1: Wat is het belangrijkste doel van een poreuze SiC vacuüm chuck?
A: Het wordt gebruikt om dunne of fragiele wafers stevig vast te houden tijdens kritieke verwerkingsstappen zoals waxmontage, verdunning, reiniging en snijden. Vacuümzuiging door het poreuze SiC-materiaal zorgt voor een uniforme en stabiele houvast zonder het waferoppervlak te beschadigen.

V2: Welke materialen kunnen worden verwerkt met behulp van een SiC vacuüm chuck?
A: Het ondersteunt een breed scala aan halfgeleidermaterialen, waaronder:

• Silicium (Si)

• Galliumarsenide (GaAs)

• Indiumfosfide (InP)

• Siliciumcarbide (SiC)

• Saffier
  Dit zijn typisch dunne of brosse wafers die een stabiele handling vereisen tijdens back-end verwerking.

V3: Wat is het voordeel van het gebruik van poreus SiC ten opzichte van metalen of keramische chucks?
A: Poreus SiC biedt verschillende voordelen:

• Uitstekende thermische geleidbaarheid – voorkomt warmteopbouw tijdens de verwerking

• Hoge mechanische sterkte – minimaliseert het risico op vervorming

• Chemische inertie – compatibel met agressieve reinigingschemicaliën

• Lage deeltjesgeneratie – geschikt voor cleanroom-omgevingen

• Stabiele vacuümverdeling – uniforme zuiging over het waferoppervlak

Gerelateerde Producten

12 inch SiC Wafer 300mm Siliciumcarbide wafer Geleidende Dummy Grade N-Type Research grade

4H/6H P-Type Sic Wafer 4inch 6inch Z Grade P Grade D Grade Off Axis 2.0°-4.0° Richting P-type Doping