 |
12 inch SiC Wafer Siliciumcarbide Wafer 300mm Substraat 750±25um 4H-N Type Orientatie 100 Productie Onderzoeksgraad
Productdetails:
| Plaats van herkomst: | Chinees |
| Merknaam: | ZMSH |
| Certificering: | Rohs |
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
| Min. bestelaantal: | 1 |
|---|---|
| Verpakking Details: | enige wafeltjecontainer |
| Levertijd: | 2-4weeks |
| Betalingscondities: | T/T, |
|
Gedetailleerde informatie |
|||
| Polytype: | 4H-SiC 6H-SiC | Diameter: | 12 inch 300 mm |
|---|---|---|---|
| Leidingkracht: | N | Doteermiddel: | N2 (stikstof) V (vanadium) |
| richtlijn: | Op as <0001> af van as <0001> af van 4° | Resistiviteit: | 0.015 ~ 0,03 ohm-cm (4H-N) |
| Micropipe Dichtheid (MPD): | ≤10/cm2 ~ ≤1/cm2 | TTV: | ≤ 25 μm |
| Markeren: | 4H-N Silicon Carbide wafer,12 inch Silicon Carbide wafer,300 mm siliconcarbide wafer |
||
Productomschrijving
12 inch SiC wafer Silicon Carbide wafer 300mm 750±25um 4H-N type oriëntatie 100 Productie Onderzoeksgraad
Abstract van de 12 inch SiC wafer
Deze 12-inch Silicon Carbide (SiC) wafer is ontworpen voor geavanceerde halfgeleider toepassingen, met een diameter van 300 mm, 750 ± 25 μm dikte,met een kristaloriëntatie van 4H-N met een poly-type van 4H-SiCDe wafer wordt geproduceerd met behulp van hoogwaardige productietechnieken om aan de normen van onderzoeks- en productieomgevingen te voldoen.hoge temperatuur, en hoogfrequente apparaten, vaak gebruikt in toepassingen zoals elektrische voertuigen (EV's), krachtelektronica en RF-technologie.De superieure structurele integriteit van de wafers en de precieze specificaties zorgen voor een hoge opbrengst bij de fabricage van apparaten., die optimale prestaties biedt in geavanceerd onderzoek en industriële toepassingen.
12 inch SiC wafer data grafiek
| 1 2inch Silicon Carbide (SiC) Substraatspecificatie | |||||
| Graad | ZeroMPD Productie Klasse ((Z-klasse) |
Standaardproductie Klasse ((P-klasse) |
Vervaardiging (D-graad) |
||
| Diameter | 3 0 0 mm | ||||
| Dikte | 4H-N | 750 μm±15 μm | 750 μm±25 μm | ||
| 4H-SI | 750 μm±15 μm | 750 μm±25 μm | |||
| Waferoriëntatie | Buiten de as: 4,0° richting < 1120 > ± 0,5° voor 4H-N, op de as: < 0001> ± 0,5° voor 4H-SI | ||||
| Gewichtsverlies van de micropipe | 4H-N | ≤ 0,4 cm-2 | ≤ 4 cm-2 | ≤ 25 cm-2 | |
| 4H-SI | ≤ 5 cm-2 | ≤ 10 cm-2 | ≤ 25 cm-2 | ||
| Resistiviteit | 4H-N | 0.0150.024 Ω·cm | 0.0150.028 Ω·cm | ||
| 4H-SI | ≥ 1E10 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |||
| Primaire platte oriëntatie | {10-10} ±5,0° | ||||
| Primaire vlakke lengte | 4H-N | N/A | |||
| 4H-SI | Deeltjes | ||||
| Buitekant uitsluiting | 3 mm | ||||
| LTV/TTV/Bow/Warp | ≤ 5 μm/≤ 15 μm/≤ 35 μm/≤ 55 μm | ≤ 5 μm/≤ 15 μm/≤ 35 □ μm/≤ 55 □ μm | |||
| Ruwheid | Pools Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra≤0,5 nm | ||||
| Randen scheuren door licht van hoge intensiteit Hexplaten door licht met hoge intensiteit Polytypische gebieden door licht van hoge intensiteit Visuele koolstofinclusie Siliciumoppervlak gescheurd door licht van hoge intensiteit |
Geen Cumulatieve oppervlakte ≤ 0,05% Geen Cumulatieve oppervlakte ≤ 0,05% Geen |
Kumulatieve lengte ≤ 20 mm, enkelvoudige lengte ≤ 2 mm Cumulatieve oppervlakte ≤ 0,1% Cumulatieve oppervlakte ≤ 3% Cumulatieve oppervlakte ≤ 3% Kumulatieve lengte ≤ 1 × waferdiameter |
|||
| Edge-chips met licht van hoge intensiteit | Geen toegestaan ≥ 0,2 mm breedte en diepte | 7 toegestaan, ≤ 1 mm elk | |||
| (TSD)Verwijzing van de draadschroef | ≤500 cm-2 | N/A | |||
| (BPD)Verplaatsing van het basisvlak | ≤1000 cm-2 | N/A | |||
| Silicon OppervlakVerontreiniging door licht van hoge intensiteit | Geen | ||||
| Verpakking | Multi-wafer cassette of single wafer container | ||||
| Vermelding: | |||||
| 1 Defectenlimieten gelden voor het gehele oppervlak van de wafer, met uitzondering van het randgebied. 2De schrammen dienen alleen op de Si-kant te worden gecontroleerd. 3 De dislocatiegegevens zijn uitsluitend afkomstig van KOH geëtste wafers. |
|||||
De foto van de 12 inch SiC wafer.
12 inch SiC wafer eigenschappen
1.Materiële eigenschappen van SiC:
- Grote bandgap: SiC heeft een brede bandgap (~ 3,26 eV), waardoor het bij hogere spanningen, temperaturen en frequenties kan werken in vergelijking met traditioneel silicium (Si).
- Hoge warmtegeleiding: De warmtegeleidbaarheid van SiC is veel hoger dan die van silicium (ongeveer 3,7 W/cm·K), waardoor het zeer geschikt is voor toepassingen met een hoog vermogen waarbij de warmteafvoer cruciaal is.
- Hoge breukspanning: SiC kan veel hogere spanningen aan (tot tien keer hoger dan silicium), waardoor het ideaal is voor krachtelektronica, zoals krachtransistoren en dioden.
- Hoge elektronenmobiliteit: De elektronenmobiliteit in SiC is hoger dan in traditioneel silicium, wat bijdraagt tot snellere schakeltijden in elektronische apparaten.
2.Mechanische eigenschappen:
- Hoge hardheid: SiC is zeer hard (hardheid van Mohs 9), wat bijdraagt aan zijn slijtvastheid, maar het ook moeilijk maakt om te verwerken en te bewerken.
- Stijfheid: Het heeft een hoge Young's modulus, wat betekent dat het stijver en duurzamer is in vergelijking met silicium, wat de robuustheid ervan in apparaten verbetert.
- Breekbaarheid: SiC is brooser dan silicium, wat bij de verwerking van wafers en de vervaardiging van apparaten belangrijk is.
Toepassingen van 12 inch SiC-wafers
12-inch SiC-wafers worden voornamelijk gebruikt in high-performance power electronics, waaronder power MOSFET's, diodes en IGBT's, waardoor efficiënte energieconversie mogelijk is in industrieën zoalselektrische voertuigen,hernieuwbare energie, enindustriële stroomsystemenDe hoge thermische geleidbaarheid, de brede bandbreedte en het vermogen om hoge temperaturen te weerstaan, maken SiC® ideaal voor toepassingen inelektronica voor automobielindustrie,met een vermogen van niet meer dan 300 kW, enhoogvermogensenergiesystemen. Het gebruik inhoogfrequente RF-apparatenenmicrogolvekommunicatiesystemenHet maakt het ook cruciaal voor telecommunicatie, ruimtevaart en militaire radarsystemen.
Bovendien worden SiC-wafers gebruikt inLED's en opto-elektronica, als substraat voorblauwe en UV-LED'sHet materiaal is zeer sterk voor de verlichting, voor de vertoning en voor de sterilisatie.voor hoogtemperatuursensoren,medische hulpmiddelen, ensatellietkrachtsystemen. Met zijn groeiende rol inslimme netwerken,energieopslag, enenergieverdeling, SiC helpt de efficiëntie, betrouwbaarheid en prestaties in een breed scala aan toepassingen te verbeteren.
12 inch SiC wafer's vragen en antwoorden
1.Wat is een 12-inch SiC wafer?
Antwoord.: Een 12-inch SiC-wafer is een substraat van siliciumcarbide (SiC) met een diameter van 12 inch, voornamelijk gebruikt in de halfgeleiderindustrie, met name voor hoog vermogen, hoge temperatuur,en hoogfrequente toepassingenSiC-materialen worden veel gebruikt in krachtelektronica, automobielelektronica en energieomzetapparaten vanwege hun uitstekende elektrische, thermische en mechanische eigenschappen.
2.Wat zijn de voordelen van een 12 inch SiC wafer?
Antwoord.: De voordelen van een 12-inch SiC-wafer zijn:
- Hoge temperatuurstabiliteit: SiC kan werken bij temperaturen tot 600°C of hoger, waardoor het een betere prestatie biedt bij hoge temperaturen dan traditionele siliciummaterialen.
- Hoog vermogen: SiC kan bestand zijn tegen hoge spanning en stroom, waardoor het geschikt is voor toepassingen met een hoog vermogen, zoals batterijbeheer voor elektrische voertuigen en industriële voedingsmiddelen.
- Hoge warmtegeleiding: SiC heeft een aanzienlijk hogere thermische geleidbaarheid in vergelijking met silicium, wat bijdraagt aan een betere warmteafvoer, waardoor de betrouwbaarheid en efficiëntie van het apparaat worden verbeterd.