 |
SOI wafer P Type N Type 6 inch 8 inch 12 inch Oppervlaktepoets SSP/DSP
Productdetails:
| Plaats van herkomst: | China |
| Merknaam: | ZMSH |
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
| Min. bestelaantal: | 25 |
|---|---|
| Prijs: | undetermined |
| Verpakking Details: | schuimplastic+karton |
| Levertijd: | 2-4weeks |
| Betalingscondities: | T/T |
| Levering vermogen: | 1000 stuks per week |
|
Gedetailleerde informatie |
|||
| Dikte van de bovenste siliciumlaag: | 0.1 - 20 μm | Dikte van de begraven oxidelaag: | 0.1 - 3 μm |
|---|---|---|---|
| Substraattype: | Silicium (Si), hoogresistief silicium (HR-Si) of andere | Resistiviteit van de apparaatlaag: | 1 - 10.000Ω·cm |
| Oxidelaagweerstand: | 1 × 106 tot en met 108Ω·cm | Warmtegeleidbaarheid: | 1.5 - 3,0 W/m·K |
| Markeren: | 8 inch SOI Wafer,12 inch SOI-wafer,6 inch SOI Wafer |
||
Productomschrijving
SOI wafer P Type N Type 6 inch 8 inch 12 inch Oppervlaktepoets SSP/DSP
Samenvatting van SOI-wafer
Silicon on Insulator (SOI) is een geavanceerde halfgeleidertechnologie waarbij een dunne isolatielaag, meestal siliciumdioxide (SiO2),wordt tussen het siliciumsubstraat en de actieve siliciumlaag geplaatstDeze structuur vermindert de parasitaire capaciteit aanzienlijk, verbetert de schakelingssnelheid, verlaagt het stroomverbruik en verbetert de stralingsweerstand in vergelijking met de traditionele bulk siliciumtechnologie.
SOI staat voor silicium-op-isolator, of Silicon On a substrate, dat een laag van begraven oxide tussen de bovenste laag silicium en het onderliggende substraat introduceert.
Specificatie van de SOI
| Warmtegeleidbaarheid | Relatief hoge thermische geleidbaarheid |
| Actieve laagdikte | Gewoonlijk varieert het van een paar tot enkele tientallen nanometers (nm) |
| Waferdiameter | 6 inch, 8 inch, 12 inch. |
| Procesvoordelen | Een hogere prestatie van het apparaat en een lager stroomverbruik |
| Prestatievoordelen | Uitstekende elektrische eigenschappen, verminderde afmeting van het apparaat, geminimaliseerd overspel tussen elektronische componenten |
| Resistiviteit | Normaal gesproken varieert het van enkele honderden tot duizenden ohm-cm |
| Energieverbruikskenmerken | Laag energieverbruik |
| Concentratie van onzuiverheid | Lage verontreinigingsconcentratie |
| Siliciumondersteuning op isolatiewafer | SOI Silicon Wafer 4-inch, CMOS Drie-laag structuur |
Structuur van de overheidsinstanties
SOI-wafers bestaan doorgaans uit drie hoofdlagen:
1.Bovenste siliciumlaag (apparaatlaag)De dikte varieert van enkele nanometers tot tientallen micrometers, afhankelijk van de toepassing.
2.Buried Oxide (BOX) laag: Een dunne laag siliciumdioxide (SiO2) die elektrische isolatie biedt.
3.Handle Wafer (substraat): Een mechanische draaglaag, meestal gemaakt van silicium of andere hoogwaardige materialen.
De dikte van zowel de bovenste silicium- als de begraven oxidelagen kan worden aangepast om de prestaties voor specifieke toepassingen te optimaliseren.
Productieprocessen van SOI's
SOI-wafers worden geproduceerd met behulp van drie primaire methoden:
1.SIMOX (separatie door geïmplanteerde zuurstof)
Het gaat om het implanteren van zuurstof ionen in een silicium wafer en het oxideren van hen bij hoge temperaturen om een begraven oxide laag te vormen.
Productie van hoogwaardige SOI-wafers, maar relatief duur.
2.Smart CutTM (ontwikkeld door Soitec, Frankrijk)
Gebruikt waterstof ion implantatie en wafer binding om SOI structuren te creëren.
De meest gebruikte methode in de commerciële productie van SOI.
3.Wafer binding & etch-back
Het gaat om het binden van twee siliconen wafers en het selectief etsen van één tot de gewenste dikte.
Gebruikt voor dikke SOI en gespecialiseerde toepassingen.
Toepassingen van BSO's
Door de unieke prestatievoordelen wordt SOI-technologie op grote schaal toegepast in verschillende industrieën:
1.High-Performance Computing (HPC)
Bedrijven als IBM en AMD gebruiken SOI in high-end server CPU's om de verwerkingssnelheid te verhogen en het energieverbruik te verminderen.
SOI wordt veel gebruikt in supercomputers en AI-processors.
2.Mobiele en laagvermogen apparaten
FD-SOI-technologie wordt gebruikt in smartphones, wearables en IoT-apparaten om prestaties en energie-efficiëntie in evenwicht te brengen.
Chipfabrikanten als STMicroelectronics en GlobalFoundries produceren FD-SOI-chips voor toepassingen met een laag vermogen.
3.RF & draadloze communicatie (RF SOI)
RF SOI wordt veel gebruikt in 5G, Wi-Fi 6E en millimetergolfcommunicatie.
Gebruikt in RF-switches, low-noise versterkers (LNA) en RF front-end modules (RF FEM).
4.Auto-elektronica
Power SOI wordt veel gebruikt in elektrische voertuigen (EV's) en geavanceerde rijhulpsystemen (ADAS).
Het maakt het mogelijk om te werken bij hoge temperaturen en hoge spanning, waardoor de betrouwbaarheid onder moeilijke omstandigheden wordt gewaarborgd.
5.Siliciumfotonica en optische toepassingen
SOI-substraten worden gebruikt in siliciumfotonica-chips voor snelle optische communicatie.
Toepassingen omvatten datacenters, optische snelheidsverbindingen en LiDAR (Light Detection and Ranging).
Voordelen van SOI-wafers
1.Verminderde parasitaire capaciteit en verhoogde bedrijfssnelheidIn vergelijking met bulk siliciummaterialen bereiken SOI-apparaten een snelheidsverbetering van 20-35%.
2.Minder energieverbruikDoor de verminderde parasitaire capaciteit en de beperkte lekstroom kunnen SOI-apparaten het stroomverbruik met 35-70% verlagen.
3.Eliminatie van vergrendelingseffecten¢ SOI-technologie voorkomt vergrendeling en verbetert de betrouwbaarheid van het apparaat.
4- Onderdrukking van het geluid van het substraat en vermindering van zachte fouten SOI vermindert effectief de interferentie van pulsstromen van het substraat, waardoor het voorkomen van zachte fouten afneemt.
5.compatibiliteit met bestaande siliciumprocessenDe technologie van SOI is goed geïntegreerd met de conventionele siliciumfabricage, waardoor de verwerkingsstappen met 13-20% worden verminderd.
Tag:#SOI-wafer # P-type # N-type # 6 inch # 8 inch # 12 inch # oppervlaktepoets SSP/DSP