Silicon wafer Si wafer 8 inch N type P type<111><100><110> SSP DSP Prime-klasse Dummy-klasse
Productdetails:
Plaats van herkomst: | China |
Merknaam: | ZMSH |
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Betalingscondities: | T/T |
---|
Gedetailleerde informatie |
|||
Diameter: | 200 mm±0,2 mm | De groeimethode: | Czochralski (CZ) |
---|---|---|---|
Buigen.: | ≤ 30 μm | Warp snelheid.: | ≤ 30 μm |
Totaal dikteverschil (TTV): | ≤ 5 μm | Deeltjes: | ≤ 50 @ ≥ 0,16 μm |
Zuurstofconcentratie: | ≤ 18 ppm | ||
Markeren: | P Type Siliciumwafeltje,N Type Siliciumwafeltje,8 inch siliconen wafer |
Productomschrijving
Silicon wafer Si wafer 8 inch N type P type<111><100><110> SSP DSP Prime-klasse Dummy-klasse
Overzicht van het product: 8-inch Prime Grade Silicon Wafer
Silicon wafers vormen de ruggengraat van de halfgeleiderindustrie en dienen als fundamenteel substraat voor geïntegreerde schakelingen, microchips en diverse elektronische componenten.8 inch (200 mm) siliciumwafer van primaire kwaliteitDeze wafers worden vervaardigd met behulp van geavanceerdeCzochralski (CZ) kristalgroeitechnologieMet een kristalvormige oriëntatie van< 100, eenzijdig gepolijste (SSP) of dubbelzijdig gepolijste (DSP) oppervlakken, enP-type doping met boor, zijn deze wafers ideaal voor gebruik als halfgeleidermateriaal in geavanceerde technologieën.
1.Materiaal en productie
1.1 Eenkristallig silicium
De 8-inch wafer is gemaakt van ultra-hoge zuiverheid enkelkristalliek silicium.een uitstekende uniformiteit van de kristallenstructuur en minimale roosterdefectenDit proces garandeert de betrouwbaarheid van de wafer bij elektronische toepassingen van hoge precisie.
1.2 Hoogwaardige kwaliteit
Siliciumwafers van de hoogste kwaliteit stellen de hoogste kwaliteitsstandaard in de halfgeleiderindustrie voor.Deze wafers worden strikt getest en strikt gecontroleerd om ervoor te zorgen dat ze geschikt zijn voor kritische productieprocessen.Kenmerken van primaire wafers zijn onder meer:
- Zeer lage verontreiniging met deeltjes.
- Uitzonderlijke vlakheid en minimale ruwheid.
- Hoge weerstand, uniformiteit en gebrekbeheersing.
2.Belangrijkste specificaties
Parameter | Specificatie |
---|---|
Diameter | 8 inch (200 mm) |
Materiaal | enkelkristalliek silicium |
Kristalgroeimethode | Czochralski (CZ) |
Kristaloriëntatie | < 100 |
Type/Dopant | P-type / boor |
Oppervlakte afwerking | Eenzijdig gepolijst (SSP) of dubbelzijdig gepolijst (DSP) |
Resistiviteit | Aanpasbaar op basis van toepassingsbehoeften |
Dikte | Standard: 725 μm ± 25 μm |
Vlakheid (TTV) | ≤ 5 μm |
Boog/Warp | ≤ 30 μm |
Ruwheid van het oppervlak (Ra) | SSP: < 0,5 nm; DSP: < 0,3 nm |
Verpakking | Verpakking voor schoonruimte van klasse 100, 25 wafers per cassette |
3.Voor de toepassing van deze richtlijn geldt dat:
De <100> kristaloriëntatie is een van de meest gebruikte oriëntatiepunten in de halfgeleiderindustrie vanwege zijn isotrope etserende eigenschappen en uniforme mechanische kenmerken.Deze oriëntatie stelt de wafer in staat om tijdens processen zoals chemisch etsen een consistente prestatie te leveren, ionenimplantatie en oxidatie.
4.Silicium van het type P met borodopant
De aanduiding P-type geeft aan dat de wafer is gedopt metboron, een groep III-element dat "gaten" creëert als de meerderheid van de ladingsdragers.en complementaire metaal-oxide-halfgeleider (CMOS) technologie.
Belangrijkste voordelen van P-type doping zijn:
- Stabiele elektrische prestaties onder een breed temperatuurbereik.
- Hoge compatibiliteit met standaard halfgeleiderproductieprocessen.
5.Oppervlakteafwerking: SSP en DSP
5.1 Eenzijdig gepolijst (SSP)
- Gebruikt voor toepassingen waarbij slechts één oppervlakte een hoge mate van gladheid en vlakheid vereist.
- De ongepolijste zijde behoudt een natuurlijke textuur, nuttig voor specifieke manipulatie- of bindbehoeften.
- Gewoonlijk toegepast in MEMS, sensoren en testwafers.
5.2 Dubbelzijdig gepolijst (DSP)
- Beide zijden van de wafer worden gepolijst om een uitzonderlijk glad oppervlak met een lage ruwheid (Ra < 0,3 nm) te bereiken.
- Het is essentieel voor hoge precisie processen zoals lithografie en dunne-film afzetting.
- Zorgt voor minimale spanning en vervorming tijdens de fabricage, waardoor het geschikt is voor geavanceerde micro-elektronica.
6.Thermische en mechanische eigenschappen
De 8-inch wafer toont uitstekende thermische en mechanische eigenschappen, die cruciaal zijn voor de hoge temperatuurprocessen die vaak voorkomen bij de fabricage van halfgeleiders:
- Hoge thermische stabiliteit:Een lage thermische uitbreidingscoëfficiënt zorgt voor dimensionale stabiliteit tijdens glooiing of snelle thermische processen.
- Mechanische sterkte:CZ-geteeld silicium van hoge kwaliteit weerstaat fysieke stress tijdens de behandeling en productie.
7.Toepassingen
De 8-inch Prime Grade Silicon Wafer is veelzijdig en heeft een breed scala aan toepassingen in de halfgeleider- en elektronica-industrie:
7.1 Halveringsapparaten
- CMOS-technologieVormt het basismateriaal voor de meeste geïntegreerde schakelingen, met inbegrip van processoren en geheugenapparaten.
- Stroomtoestellen:Ideaal voor de productie van transistors, dioden en IGBT's vanwege de stabiele elektrische eigenschappen.
7.2 MEMS (micro-elektromechanische systemen)
De precieze oppervlakteafwerking en kristaloriëntatie maken deze wafer perfect voor MEMS-apparaten zoals versnellingsmeters, gyroscopen en druksensoren.
7.3 Fotonica en opto-elektronica
De wafer wordt gebruikt in fotonische toepassingen zoals optische sensoren, lichtdioden (LED's) en fotovoltaïsche cellen.
7.4 O&O en prototyping
Het hoogwaardige oppervlak en de elektrische eigenschappen maken het een uitstekende keuze voor onderzoeksinstellingen en de ontwikkeling van prototypes.
8.Verpakking en behandeling
Om de ongerepte kwaliteit van de wafer te behouden, wordt het verpakt onder strenge cleanroom-omstandigheden:
- Klasse 100 Milieu:Zorgt voor minimale verontreiniging door deeltjes tijdens de verpakking.
- Beveiligde verpakking:De wafers worden in cassettes geplaatst (25 wafers per cassette) en verzegeld in zakken met stikstof om oxidatie en verontreiniging tijdens het vervoer te voorkomen.
9.Voordelen van 8-inch Prime Grade Silicon Wafer
9.1 Uitzonderlijke kwaliteit
De topkwaliteit garandeert ongeëvenaarde vlakheid, gladheid van het oppervlak en een minimale defectdichtheid.
9.2 Verenigbaarheid met industrienormen
Deze wafers voldoen aan internationale normen, zoals SEMI M1, waardoor zij verenigbaar zijn met wereldwijde productieprocessen.
9.3 Kosteneffectieve productie
De 8-inch maat zorgt voor een evenwicht tussen betaalbaarheid en productievolume, waardoor het een industriestandaard is voor vele jaren.
9.4 Veelzijdigheid
De beschikbaarheid van SSP- en DSP-opties zorgt ervoor dat de wafers kunnen worden aangepast aan een breed scala aan toepassingen.
10.Aanpassingsopties
Om aan de specifieke behoeften van de klant te voldoen, kan de 8-inch Prime Grade Silicon Wafer op de volgende manieren worden aangepast:
- Resistiviteitsbereik:Verstelbaar om aan de vereisten van verschillende apparaten en processen te voldoen.
- Variatie van de dikte:Speciale diktes kunnen worden vervaardigd voor unieke toepassingen.
- Oxidelaag:Termieke of chemische oxidelagen kunnen indien nodig worden toegevoegd.
11.Conclusies
De 8 inch Prime Grade Silicon Wafer vertegenwoordigt het hoogtepunt van de siliciumwafertechnologie, met ongeëvenaarde kwaliteit, prestaties en veelzijdigheid.De geavanceerde specificaties en de robuuste productieprocessen maken het onmisbaar voor de productie van moderne halfgeleiderapparatenOf u nu next-generation processors, MEMS-apparaten of geavanceerde fotonica ontwerpt, deze wafer zorgt voor de betrouwbaarheid en precisie die nodig zijn voor succes.
Door zowel SSP- als DSP-opties aan te bieden, evenals de flexibiliteit om de weerstand en dikte aan te passen, zijn deze wafers klaar om te voldoen aan de veranderende eisen van de halfgeleiderindustrie.Hun wijdverspreide toepassingen in de hoogtechnologische productie en het onderzoek versterken hun status als een cruciaal onderdeel van de wereldwijde toeleveringsketen voor elektronica.