 |
2 inch 3 inch InP Laser Epitaxiale Wafer Indium Phosphide epi Wafer Halve Leider Aanpassen FP laser diode
Productdetails:
| Place of Origin: | China |
| Merknaam: | ZMSH |
| Model Number: | InP Laser Epitaxial Wafe |
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
| Delivery Time: | 2-4weeks |
|---|---|
| Payment Terms: | T/T |
|
Gedetailleerde informatie |
|||
| Substrate: | InP Laser Epitaxial Wafe | Polishing: | DSP SSP |
|---|---|---|---|
| PL Wavelength Control:: | Better Than 3nm | PL Wavelength Uniformity:: | Std. Dev Better Than 1nm @inner 42mm |
| P-InP Doping (cm-3):: | Zn Doped; 5e17 To 2e18 | N-InP Doping (cm-3):: | Si Doped; 5e17 To 3e18 |
| Markeren: | 2 inch InP Laser Epitaxiale Wafer,3 inch InP Laser Epitaxiale Wafer,Halfrol InP Laser Epitaxiale Wafer |
||
Productomschrijving
2 inch 3 inch InP Laser Epitaxiale Wafer Indium Phosphide epi Wafer Halve Leider Aanpassen FP laser diode
Beschrijving van InP Laser Epitaxial Wafer:
Indiumfosfide (InP) is een belangrijk halfgeleidermateriaal dat optische systemen in staat stelt de vereiste prestaties te leveren voor datacenters, mobiele backhaul, metro en langeafstandstoepassingen.fotodioden en golfleidingen vervaardigd op inP-epitaxiale wafers werken op het optimale transmissiesvenster van glasvezel, die efficiënte glasvezelcommunicatie mogelijk maken.
InP laser epitaxiale wafer is een gespecialiseerd halfgeleider substraat dat bestaat uit meerdere lagen van verschillende materialen gekweekt op een indiumfosfide (InP) wafer door middel van epitaxiale groei technieken.Deze extra lagen zijn zorgvuldig ontworpen om structuren te creëren die geschikt zijn voor lasertoepassingen.
InP-laser-epitaxiale wafers zijn cruciale componenten bij de fabricage van halfgeleiderlasers, waaronder rand-emitterende lasers en verticale holte-oppervlak-emitterende lasers (VCSEL).De epitaxiale lagen zijn ontworpen met specifieke optische en elektrische eigenschappen om efficiënte lichtemissie en versterking mogelijk te maken, waardoor ze essentieel zijn in verschillende opto-elektronische apparaten voor telecommunicatie, sensoren en andere toepassingen die lasertechnologie vereisen.
Het karakter van de InP Laser Epitaxial Wafer:
Optische eigenschappen:
Emissiegolflengte: afstembare emissiegolflengte in het infrarood spectrum.
Hoge kwantum-efficiëntie: efficiënte lichtemissie en versterkingseigenschappen.
Laag absorptiecoëfficiënt: zorgt voor lage optische verliezen in het materiaal.
Structurele eigenschappen:
Gelaagde epitaxiale structuur: bestaat uit meerdere lagen van verschillende halfgeleidermaterialen die op een InP-substraat worden gekweekt.
Een glad oppervlak: een gelijkmatig en foutvrij oppervlak is cruciaal voor de prestaties van de laser.
Gecontroleerde dikte: de dikte van elke laag wordt nauwkeurig gecontroleerd op specifieke optische en elektrische eigenschappen.
Elektrische eigenschappen:
Dragermobiliteit: hoge dragermobiliteit voor efficiënt ladingvervoer.
Lage defectdichtheid: weinig kristaldefecten voor verbeterde elektronische prestaties.
P-N Junction Formation: Mogelijkheid om p-n junctions te vormen voor laserbewerking.
Thermische eigenschappen:
Hoge thermische geleidbaarheid: efficiënte verdrijving van de warmte die wordt gegenereerd tijdens de werking van de laser.
Thermische stabiliteit: handhaaft de structurele integriteit onder verschillende bedrijfsomstandigheden.
Vervaardigbaarheid:
Compatibiliteit: Compatibel met standaard halfgeleiderfabricageprocessen.
Uniformiteit: consistentheid van de eigenschappen in de wafer voor massaproductie.
Aanpasbaarheid: op maat gemaakte epitaxiale ontwerpen voor specifieke lasertoepassingen.
Vorm van InP Laser Epitaxiale Wafer:
| Productparameters | DFB-epitaxiale wafer | High Power DFB Epitaxiale Wafer | Silicon Photonics Epitaxiale Wafer |
| tarief | 10G/25G/50G | / | / |
| golflengte | 1310 nm | ||
| grootte | 2/3 inch | ||
| Productkenmerken | CWDM 4/PAM 4 | BH tech | PQ /AlQ DFB |
| PL Sturing van de golflengte | Beter dan 3nm | ||
| LPL Uniformiteit van de golflengte | Std.Dev beter dan 1nm @inner | ||
| Diktecontrole | 42 mmBeter dan +3% | ||
| Eenvormigheid van de dikte | Beter dan +3% @inner 42mm | ||
| Dopingcontrole | Beter dan +10% | ||
| P-lnP doping (cm-3) | Zn gedopeerd; 5e17 tot en met 2e18 | ||
| N-InP doping (cm-3) | Si gedopeerd; 5e17 tot en met 3e18 | ||
Fysieke foto van InP Laser Epitaxial Wafer:
EPl-laag standaardstructuur van InP Laser Epitaxial Wafe:
Toepassing van InP Laser Epitaxial Wafer:
Laserdioden: geschikt voor randemitterende lasers en VCSEL's.
Telecommunicatie: essentieel voor optische communicatiesystemen.
Sensoren en beeldvorming: worden gebruikt in optische sensoren en beeldvormingstoepassingen.
Medische apparaten: gebruikt in medische lasersystemen.
Toepassingsbeeld van InP Laser Epitaxial Wafer:
Vragen:
1.V: Wat is een epitaxiale wafer?
A:Een epitaxiale wafer (ook epi-wafer, epi-wafer of epiwafer genoemd) is een wafer van halfgeleidermateriaal gemaakt door epitaxiale groei (epitaxy) voor gebruik in fotonica, micro-elektronica, spintronics,of fotovoltaïsche.
2.V:Wat zijn de voordelen van InP?
A:De duidelijke voordelen die InP-wafers bieden:Hoge elektronenmobiliteit: InP vertoont een elektronenmobiliteit die bijna tien keer groter is dan die van silicium,waardoor het perfect is voor transistors en versterkers met hoge snelheid in telecommunicatiesystemen en radarsystemen.
Aanbevolen product:
1.8 inch GaN-on-Si Epitaxy Si Substraat 110 111 110 voor MOCVD-reactoren of RF-energie-toepassingen
2.InP wafer 2 inch 3 inch 4 inch VGF P type N type Depant Zn S Fe Undoped Prime Grade Testing Grade
Sleutelwoord: InP Laser Epitaxiale Wave;InP