N-InP-substraatbandbreedte 02:2.5G golflengte 1270 nm epi-wafer voor FP-laserdiode

Productomschrijving

N-InP-substraatbandbreedte 02:2.5G golflengte 1270 nm epi-wafer voor FP-laserdiode

N-InP substraat FP Epiwafer's Overzicht

Onze N-InP Substrate FP Epiwafer is een hoogwaardige epitaxiale wafer die is ontworpen voor de fabricage van Fabry-Pérot (FP) laserdioden, speciaal geoptimaliseerd voor optische communicatie toepassingen.Deze Epiwafer bevat een N-type Indiumfosfide (N-InP) substraatHet is een materiaal dat bekend staat om zijn uitstekende elektronische en opto-elektronische eigenschappen, waardoor het ideaal is voor hogesnelheids- en hoogfrequente apparaten.

De Epiwafer is ontworpen om laserdiodes te produceren die werken op een golflengte van 1270 nm.die een kritische golflengte is voor CWDM-systemen in glasvezelcommunicatieDe nauwkeurige controle van de samenstelling en dikte van de epitaxiale laag zorgt voor een optimale prestatie, waarbij de FP-laserdiode een operationele bandbreedte van maximaal 2,5 GHz kan bereiken.Deze bandbreedte maakt het apparaat goed geschikt voor hoge snelheid gegevensoverdracht, die een snelle en betrouwbare communicatie vereisen.

De Fabry-Pérot (FP) holtestructuur van de laserdiode, mogelijk gemaakt door de hoogwaardige epitaxiale lagen op het InP-substraat,zorgt voor de opwekking van samenhangend licht met minimaal lawaai en een hoog rendementDeze Epiwafer is ontworpen om consistente, betrouwbare prestaties te leveren, waardoor het een uitstekende keuze is voor fabrikanten die geavanceerde laserdiodes willen produceren voor telecommunicatie,datacenters, en andere snelle netwerkomgevingen.

Kortom, onze N-InP Substrate FP Epiwafer is een cruciaal onderdeel voor geavanceerde optische communicatiesystemen, met uitstekende materiaal eigenschappen, precieze golflengte targeting,en een hoge operationele bandbreedteHet biedt een stevige basis voor de productie van FP-laserdioden die voldoen aan de strenge eisen van moderne hogesnelheidscommunicatienetwerken.

Eigenschappen van N-InP-substraat FP Epiwafer

The N-InP Substrate FP Epiwafer is characterized by a set of specialized properties that make it an ideal choice for the fabrication of Fabry-Pérot (FP) laser diodes used in high-performance optical communication systemsHieronder zijn de belangrijkste eigenschappen van deze Epiwafer:

1. Substraatmateriaal:

   • Type: N-type indiumfosfide (N-InP)
   • Eigenschappen: Hoge elektronenmobiliteit, lage resistiviteit en uitstekende warmtegeleidbaarheid, waardoor het geschikt is voor elektronische en opto-elektronische toepassingen met hoge snelheid.

1. Epitaxiale laag:

   • Groeitechniek: Epitaxiale lagen worden op het N-InP-substraat gekweekt met behulp van technieken zoals metaal-organische chemische dampdepositie (MOCVD) of moleculaire bundel-epitaxie (MBE).
   • Samenstelling van de laag: Precieze controle van de dopingconcentratie en de samenstelling van het materiaal om de gewenste elektronische en optische eigenschappen te bereiken.

2. Waallengte:

   • Doelgolflengte: 1270 nm
   • Toepassing: Ideaal voor grofgolflengte-divisie multiplexing (CWDM) in glasvezelcommunicatiesystemen.

3. Bandbreedte:

   • Operationeel bandbreedte: tot 2,5 GHz
   • Prestaties: Geschikt voor hoge snelheidsgegevensoverdracht, waardoor betrouwbare prestaties worden gewaarborgd in telecommunicatie en datanetwerken.

4. Fabry-Pérot holte:

   • Structuur: De Epiwafer ondersteunt de vorming van een Fabry-Pérot-holte, die essentieel is voor het genereren van samenhangend licht met een hoog rendement.
   • Laser eigenschappen: produceert laserdioden met minimaal lawaai, stabiele golflengte-emissie en een hoog uitgangsvermogen.

5. Oppervlakte kwaliteit:

   • Polieren: Het substraatoppervlak is zeer gepolijst om gebreken tot een minimum te beperken, waardoor een kwalitatief hoogwaardige epitaxiale laag met minimale verplaatsingen wordt gewaarborgd.

6. Thermische eigenschappen:

   • Warmteafvoer: De uitstekende thermische geleidbaarheid van het N-InP-substraat ondersteunt een effectieve warmteafvoer, cruciaal voor het behoud van de prestaties en de levensduur van de laserdiode.

7. Geschiktheid voor toepassing:

   • Doeltoestellen: Ontworpen voor FP-laserdioden die worden gebruikt in optische communicatiesystemen, datacenters en andere omgevingen voor snelle netwerken.

Deze eigenschappen dragen gezamenlijk bij aan het vermogen van de Epiwafer om de productie van hoogwaardige FP-laserdioden te ondersteunen,de strenge eisen van moderne optische communicatietechnologieën te voldoen.

Toepassingen van N-InP-substraat FP Epiwafer

De N-InP Substraat FP Epiwafer is een cruciaal onderdeel in de ontwikkeling van geavanceerde opto-elektronicaapparaten, met name Fabry-Pérot (FP) laserdiodes.Door zijn eigenschappen is het geschikt voor een breed scala aan toepassingen in hogesnelheidscommunicatie en aanverwante gebiedenHier zijn de belangrijkste toepassingen:

1. Optische communicatiesystemen:

   • Glasvezeltransmissie: De Epiwafer is ideaal voor de fabricage van FP-laserdioden die werken op de golflengte van 1270 nm, die vaak worden gebruikt in CWDM-systemen.Deze systemen zijn afhankelijk van nauwkeurige golflengtecontrole om meerdere datakanalen over één vezel te verzenden, waardoor de bandbreedte wordt vergroot zonder dat extra vezels nodig zijn.
   • Hoge snelheidsgegevensverbindingen: de wafer ondersteunt laserdioden met een operationele bandbreedte tot 2,5 GHz, waardoor deze geschikt is voor toepassingen voor hogesnelheidsgegevensoverdracht,met inbegrip van metropolitaanse netwerken (MAN) en langeafstandsoptische netwerken.

2. Datacenters:

   • Interconnecties: FP-laserdioden vervaardigd uit deze Epiwafer worden gebruikt in optische interconnecties in datacenters, waar hoge snelheid en lage latentie van cruciaal belang zijn.Deze lasers zorgen voor een efficiënte gegevensoverdracht tussen servers., opslagsystemen en netwerkapparatuur.
   • Infrastructuur voor cloudcomputing: Nu clouddiensten steeds hogere gegevenssnelheden vereisen, helpen FP-laserdioden de prestaties en betrouwbaarheid van datacenternetwerken te handhaven door grootschalige,gedistribueerde computeromgevingen.

3. Telecommunicatie:

   • 5G-netwerken: De Epiwafer wordt gebruikt bij de productie van laserdioden voor 5G-telecommunicatie-infrastructuur, waar hoge gegevenssnelheden en betrouwbare verbindingen nodig zijn.FP-laserdioden leveren de optische signalen die nodig zijn voor de gegevensoverdracht via de ruggengraat van 5G-netwerken.
   • FTTx (vezel tot x): Deze technologie houdt in dat glasvezelnetwerken dichter bij eindgebruikers (woningen, bedrijven) worden ingezet en FP-laserdioden zijn belangrijke onderdelen van de in FTTx-systemen gebruikte optische zenders.

4. Test- en meetapparatuur:

   • Optische spectrumanalysatoren: De uit deze Epiwafer geproduceerde FP-laserdioden worden gebruikt in optische spectrumanalysatoren, essentiële instrumenten voor het testen en meten van de prestaties van optische communicatiesystemen.
   • Optische coherentietomografie (OCT): In de medische beeldvorming, met name in OCT-systemen, bieden FP-laserdioden de nodige lichtbron voor beeldvorming van biologische weefsels met hoge resolutie.

5. Sensoren en metrologie:

   • Optische sensoren: De nauwkeurigheid en stabiliteit van FP-laserdioden maken ze geschikt voor gebruik in optische sensoren voor milieubewaking, industriële procesregeling en biomedische toepassingen.
   • Afstands- en positioneringssystemen: FP-laserdioden worden ook gebruikt in systemen die nauwkeurige afstandsmetingen vereisen, zoals LIDAR (Light Detection and Ranging) en andere positioneringstechnologieën.

De veelzijdigheid en hoge prestaties van de N-InP Substrate FP Epiwafer maken het een hoeksteen voor een breed scala aan geavanceerde technologieën in optische communicatie, datacenters,telecommunicatie, en daarbuiten.

Foto's van het N-InP-substraat FP Epiwafer