 |
GaP Wafer 2 inch N Type Undoped S Doped 100 DSP SSP CZ Hoge zuiverheid 5N 99,999%
Productdetails:
| Place of Origin: | China |
| Merknaam: | ZMSH |
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
| Levertijd: | 2-4weeks |
|---|---|
| Betalingscondities: | T/T |
|
Gedetailleerde informatie |
|||
| Moleculair gewicht (g/mol): | 100.697 | Kleur/verschijning: | Lichte oranje vaste stof |
|---|---|---|---|
| Zuiverheid: | ≥ 99,999%, 5N | Smeltpunt (°C) tertiaal: | 1,457 |
| Bandgap (eV) ent: | 2.24 | Elektronenmobiliteit (cm2/(V·s)): | 300 |
| Magnetische gevoeligheid (χ) (cgs): | -13,8 × 10−6 | Verwarmingsgeleidbaarheid (W/(cm·K)): | 0.752 |
| Markeren: | N-type GaP-wafer,2 inch GaP Wafer,GaP-wafers van hoge zuiverheid |
||
Productomschrijving
GaP Wafer 2 inch N Type Undoped S Doped 100 DSP SSP CZ Hoge zuiverheid 5N 99,999%
Beschrijving van de GaP-wafer:
In halfgeleiders is galliumfosfide een type III-V samengestelde halfgeleider die een brede indirecte band galliumfosfide (gap) Wafersgap heeft.De kristallenstructuur van deze verbinding is hetzelfde als van silicium.Het materiaal is geurloos en onoplosbaar in water.Het is gebruikt bij de fabricage van veel elektronische apparaten, met inbegrip van CMOS- en RF/V/A-switches.
Het belangrijkste substraatmateriaal voor LED's is galliumfosfide, en het is transparant voor rood, geel en oranje licht.Deze diodes zijn transparant voor het meeste licht.Het gebruik van dit materiaal in elektronische componenten hangt af van de helderheid van het licht dat het uitstraalt.het geeft niet voldoende licht af om nuttig te zijn als verlichtingsbron.
Het karakter van de GaP-wafer:
1Bandgap: GaP heeft een directe bandgap van ongeveer 2,26 eV bij kamertemperatuur.
2Optische eigenschappen: GaP-wafers vertonen uitstekende optische eigenschappen, zoals een hoge transparantie in het zichtbare spectrum.Deze doorzichtigheid is gunstig voor opto-elektronische apparaten die in het zichtbare lichtbereik werken.
3Elektrische eigenschappen: GaP heeft goede elektrische eigenschappen, waaronder een hoge elektronenmobiliteit en een lage donkere stroom.met een vermogen van meer dan 10 W,.
4. Thermische eigenschappen: GaP-wafers hebben een relatief goede thermische geleidbaarheid en helpen bij de warmteafvoer van elektronische apparaten.Deze eigenschap is belangrijk voor het behoud van de prestaties en betrouwbaarheid van het apparaat.
5. Kristallenstructuur: GaP heeft een zinkblende kristallenstructuur, die zijn elektronische en optische eigenschappen beïnvloedt.De kristallenstructuur beïnvloedt ook de groei- en fabricageprocessen van op GaP gebaseerde apparaten.
6Doping: GaP-wafers kunnen met verschillende onzuiverheden worden gedopeerd om hun elektrische geleidbaarheid en optische eigenschappen te wijzigen.Deze dopantcontrole is essentieel voor het aanpassen van GaP-apparaten voor specifieke toepassingen.
7- Compatibiliteit met III-V-verbindingen: GaP is compatibel met andere III-V-verbindingen,het mogelijk maken van heterostructuren en de integratie van verschillende materialen om geavanceerde apparaten te maken.
De vorm van de GaP-wafer:
| Kristallenstructuur | Een kw. a = 5.4505?/FONT> | |
| Groeimethode | CZ (LEC) | |
| Dichtheid | 4.13 g/cm3 | |
| Smeltpunt | 1480 oC | |
| Thermische expansie | 5.3 x10-6 / oC | |
| Dopant | S gedrogeerd | niet gedrogeerd |
| Kristalgroeias | <111> of <100> | < 100> of < 111> |
| Leidingsoort | N | N |
| Dragerconcentratie | 2 ~ 8 x1017 /cm3 | 4 ~ 6 x1016 /cm3 |
| Resistiviteit | ~ 0,03 W-cm | ~ 0,3 W-cm |
| EPD | < 3x105 | < 3x105 |
De fysieke foto van GaP Wafer:
Toepassingen van GaP Wafer:
1. Lichtdioden:
GaP-wafers worden vaak gebruikt bij de vervaardiging van LED's voor verschillende verlichtingstoepassingen, waaronder indicatorlichten, displays en automotive verlichting.
2Laserdioden:
GaP-wafers worden gebruikt bij de productie van laserdioden voor toepassingen zoals optische gegevensopslag, telecommunicatie en medische apparaten.
3Foto-detectoren:
GaP-wafers worden gebruikt in fotodetectoren voor lichtgevoelige toepassingen, waaronder optische communicatie, beeldsystemen en milieubewaking.
4Zonnecellen:
GaP-wafers worden gebruikt bij de ontwikkeling van hoogwaardige zonnecellen, met name in multijunction zonnecellenstructuren voor ruimtevaarttoepassingen en fotovoltaïsche concentratoren op aarde.
5. Opto-elektronische apparaten:
GaP-wafers zijn een integraal onderdeel van verschillende opto-elektronische apparaten, zoals fotonische geïntegreerde schakelingen, optische sensoren en opto-elektronische modulatoren.
6High-speed elektronica:
GaP-wafers worden gebruikt in high-speed elektronische apparaten, waaronder hoogfrequente transistors, microwave geïntegreerde circuits en RF-versterkers.
7. Halfrollasers:
GaP-wafers worden gebruikt bij de fabricage van halfgeleiderlasers die worden gebruikt in toepassingen zoals optische communicatie, barcode-scanners en medische apparatuur.
8Fotonica:
GaP-wafers spelen een cruciale rol in fotonica-toepassingen, waaronder golfgeleiders, optische schakelaars en fotonische kristallen voor het manipuleren van licht op nanoschaal.
9Sensortechnologie:
GaP-wafers worden gebruikt bij de ontwikkeling van sensoren voor verschillende toepassingen, zoals gassensoren, milieubewaking en biomedische diagnostiek.
10.Heterojunctieapparaten:
GaP-wafers worden geïntegreerd met andere III-V samengestelde halfgeleiders om heterojunctie-apparaten te creëren, waardoor geavanceerde functionaliteiten in elektronische en opto-elektronische systemen mogelijk zijn.
Toepassingsfoto's van GaP Wafer:
Vragen:
1. V: Waar wordt galliumfosfide voor gebruikt?
A: Galliumfosfide wordt sinds de jaren zestig gebruikt bij de vervaardiging van goedkope rode, oranje en groene lichtdioden (LED's) met een lage tot gemiddelde helderheid.Het wordt alleen of samen met galliumarsenide gebruikt
Product aanbeveling:
1.SOI Wafer Silicon On Isolator Wafer Dopant P BOX laag 0.4-3 Substraat oriëntatie 100 111