• 2 inch SiC Wafer 4H N type 6H-N type 4H Semi type 6H Semi type Double Side Polished
  • 2 inch SiC Wafer 4H N type 6H-N type 4H Semi type 6H Semi type Double Side Polished
  • 2 inch SiC Wafer 4H N type 6H-N type 4H Semi type 6H Semi type Double Side Polished
  • 2 inch SiC Wafer 4H N type 6H-N type 4H Semi type 6H Semi type Double Side Polished
2 inch SiC Wafer 4H N type 6H-N type 4H Semi type 6H Semi type Double Side Polished

2 inch SiC Wafer 4H N type 6H-N type 4H Semi type 6H Semi type Double Side Polished

Productdetails:

Place of Origin: China
Merknaam: ZMSH
Model Number: Silicon Carbide

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Delivery Time: 2 weeks
Payment Terms: 100%T/T
Beste prijs Contact

Gedetailleerde informatie

Diameter: 2 inch Deeltje: Vrij/Laag Deeltje
Materiaal: Siliciumcarbide Type: 4H-N/ 6H-N/4/6H-SI
richtlijn: Op-as/Off-Axis Resistiviteit: Hoog - laag Weerstandsvermogen
onzuiverheid: Vrije/Lage Onzuiverheid Ruwheid van het oppervlak: ≤1.2nm
Markeren:

50.8 mm Silicon Carbide wafer

,

wafers van siliciumcarbide van de categorie P

,

Dubbelzijdig gepolijst sic-wafer

Productomschrijving

2 inch Silicon Carbide wafer Diameter 50.8mm P-klasse R-klasse D-draad Dubbele zijde gepolijst

Productbeschrijving:

De Silicon Carbide Wafer is een hoogwaardig materiaal dat wordt gebruikt bij de productie van elektronische apparaten.Het is gemaakt van een Silicon Carbide laag bovenop een Silicon wafer en is verkrijgbaar in verschillende kwaliteitenDe wafer heeft een vlakheid van Lambda/10, wat ervoor zorgt dat de uit de wafer vervaardigde elektronische apparaten van de hoogste kwaliteit en prestaties zijn.De Silicon Carbide Wafer is een ideaal materiaal voor gebruik in de krachtelektronicaWe leveren hoogwaardige SiC-wafers ((Siliciumcarbide)) aan de elektronische en opto-elektronische industrie.

Persoonlijkheid:

Een SIC (Silicon Carbide) wafer is een soort halfgeleiderwafer op basis van siliciumcarbide.

 

1. Hoger warmtegeleidingsvermogen: SIC-wafers hebben een veel hogere thermische geleidbaarheid dan silicium, wat betekent dat SIC-wafers effectief warmte kunnen afvoeren en geschikt zijn voor gebruik in omgevingen met hoge temperaturen.


2- Hoger elektronen mobiliteit:SIC-wafers hebben een hogere elektronenmobiliteit dan silicium, waardoor SIC-apparaten bij hogere snelheden kunnen werken.


3- Hoger breukspanning:Het SIC-wafermateriaal heeft een hogere afbraakspanning, waardoor het geschikt is voor de vervaardiging van hoogspanningssemiconductorapparaten.


4- Hoger chemisch stabiel:SIC-wafers vertonen een grotere weerstand tegen chemische corrosie, wat bijdraagt tot een betere betrouwbaarheid en duurzaamheid van apparaten.


5Wijdere bandgap:SIC-wafers hebben een bredere bandgap dan silicium, waardoor SIC-apparaten beter en stabieler kunnen werken bij hoge temperaturen.


6Betere stralingsbestendigheid:SIC-wafers zijn sterker bestand tegen straling, waardoor ze geschikt zijn voor gebruik in stralingsomgevingen

De Commissie is van mening dat de Commissie in de eerste plaats de nodige maatregelen moet nemen om de economische en sociale samenhang te bevorderen.


7Hoger hardheid:SIC-wafers zijn harder dan silicium, waardoor de duurzaamheid van wafers tijdens de verwerking wordt verbeterd.


8Laagere dielectrische constante:SIC-wafers hebben een lagere dielectrische constante dan silicium, wat helpt om de parasitaire capaciteit in apparaten te verminderen en de prestaties op hoge frequentie te verbeteren.


9Hoger verzadigings-elektrondrift snelheid:SIC-wafers hebben een hogere verzadigingselektronenverschuivingssnelheid dan silicium, waardoor SIC-apparaten een voordeel hebben in hoogfrequente toepassingen.


10.Hoger vermogen:Met de bovengenoemde kenmerken kunnen SIC-waferapparaten in kleinere afmetingen een hoger vermogen bereiken.

 

Graad Productieklasse Onderzoeksgraad Vervaardiging
Diameter 500,8 mm±0,38 mm
Dikte 330 μm±25 μm
Waferoriëntatie Op de as: <0001>±0,5°
voor 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI
Af van de as:4.0° richting 1120±0,5° voor 4H-N/4H-SI
Micropipe Drientation ((cm-2) ≤ 5 ≤ 15 ≤ 50
Resistiviteit ((Ω·cm) 4H-N 0.015­0.028 Ω·cm
6H-N 0.02 tot 0.1
4/6H-SI > 1E5 (90%) > 1E5
Primaire platte oriëntatie {10-10} ± 5,0°
Primêre platte lengte (mm) 15.9 ± 1.7
Tweede platte lengte ((mm) 8.0 ± 1.7
Secundaire platte oriëntatie Silicium opwaarts: 90° CW. vanaf Prime flat ±5,0°
Buitekant uitsluiting 1 mm
TTV/Bow/Warp (um) ≤15 /≤25 /≤25
Ruwheid Pools Ra≤1 nm
CMP Ra≤0,5 nm
Randen scheuren door licht van hoge intensiteit Geen Geen 1 toegestaan, ≤ 1 mm
Hexplaten door licht met hoge intensiteit Cumulatieve oppervlakte ≤ 1 % Cumulatieve oppervlakte ≤ 1 % Cumulatieve oppervlakte ≤ 3 %
 

2 inch SiC Wafer 4H N type 6H-N type 4H Semi type 6H Semi type Double Side Polished 0

 

Toepassingen:

1. Power Electronics: SiC-wafers worden veel gebruikt in elektrische apparaten zoals powerconverters, omvormers,en hoogspanningsschakelaars vanwege hun hoge breukspanning en lage vermogensafname.
Elektrische voertuigen: SiC-wafers worden gebruikt in elektrische voertuigen om de efficiëntie te verbeteren en het gewicht te verminderen, waardoor sneller opladen en langere rijbereiken mogelijk zijn.
2. Hernieuwbare energie: SiC-wafers spelen een cruciale rol in toepassingen van hernieuwbare energie, zoals zonne-omvormers en windenergiesystemen, waardoor de efficiëntie en betrouwbaarheid van de energieomzetting worden verbeterd.
3Luchtvaart en defensie: SiC-wafers zijn essentieel in de luchtvaart- en defensie-industrie voor toepassingen met hoge temperaturen, hoge vermogen en stralingsbestandheid.met inbegrip van vliegtuigkrachtsystemen en radarsystemen.
4Industriële motoren: SiC-wafers worden gebruikt in industriële motoren om de energie-efficiëntie te verbeteren, de warmteafvoer te verminderen en de levensduur van apparatuur te verlengen.
5. Draadloze communicatie: SiC-wafers worden gebruikt in RF-versterkers en hoogfrequente toepassingen in draadloze communicatiesystemen, waardoor een hogere vermogendichtheid en verbeterde prestaties worden geboden.
6. Elektronica bij hoge temperaturen: SiC-wafers zijn geschikt voor elektronische toepassingen bij hoge temperaturen waarbij conventionele siliciumapparaten mogelijk niet betrouwbaar werken,met een vermogen van niet meer dan 50 W.
7Medische apparaten: SiC-wafers vinden toepassingen in medische apparaten zoals MRI-machines en röntgenapparatuur vanwege hun duurzaamheid, hoge thermische geleidbaarheid en stralingsresistentie.
8Onderzoek en ontwikkeling:SiC-wafers worden gebruikt in onderzoekslaboratoria en academische instellingen voor de ontwikkeling van geavanceerde halfgeleiderapparaten en het verkennen van nieuwe technologieën op het gebied van elektronica.
9. Andere toepassingen: SiC-wafers worden ook gebruikt in gebieden zoals sensoren voor een harde omgeving, high-power lasers en quantum computing vanwege hun unieke eigenschappen en prestatievoordelen.

 

2 inch SiC Wafer 4H N type 6H-N type 4H Semi type 6H Semi type Double Side Polished 1

 

Aanpassing:

We bieden aanpassingsdiensten voor deeltjes, materiaal, kwaliteit, oriëntatie en diameter.Onze Silicon Carbide Wafer wordt geleverd met on-as of off-as oriëntatie afhankelijk van uw vereisteU kunt ook de diameter van de Silicon Carbide Wafer die u nodig hebt te kiezen.

De Silicon Carbide Wafer is verkrijgbaar in verschillende kwaliteiten, waaronder Productie, Onderzoek en Dummy.De Production-grade wafer wordt gebruikt bij de productie van elektronische apparaten en is van de hoogste kwaliteit.De Research-grade wafer wordt gebruikt voor onderzoeksdoeleinden, terwijl de Dummy-grade wafer wordt gebruikt voor test- en kalibratiedoeleinden.met inbegrip van 4H, dat het meest voorkomende type is dat in elektronische apparaten wordt gebruikt.

 

  Vragen:

V: Hoe maak je een SiC-wafer?
A: Het proces omvat het omzetten van grondstoffen zoals silicazand in puur silicium.,en het reinigen en bereiden van de wafers voor gebruik in halfgeleiderapparaten.

V: Hoe wordt SiC geproduceerd?
A:Siliciumcarbide productieproces - GAB Neumann.Het eenvoudigste productieproces voor de productie van siliciumcarbide is het combineren van silicazand en koolstof in een Acheson grafiet elektrische weerstandsoven bij een hoge temperatuur, tussen 1600°C (2910°F) en 2500°C (4530°F).

V: Wat zijn de toepassingen van siliciumcarbide wafers?
A: In de elektronica worden SiC-materialen gebruikt bij lichtdioden en detectoren.SiC-wafers worden gebruikt in elektronische apparaten die bij hoge temperaturen werken, hoge spanningen, of beide.

Product aanbeveling:

1.8 inch SiC Wafer

 

2 inch SiC Wafer 4H N type 6H-N type 4H Semi type 6H Semi type Double Side Polished 2

 

2.2 inch 3 inch 4 inch SiC Substraat 330um Dikte 4H-N Type Productiekwaliteit2 inch SiC Wafer 4H N type 6H-N type 4H Semi type 6H Semi type Double Side Polished 3

 

Wilt u meer details over dit product weten
Ik ben geïnteresseerd 2 inch SiC Wafer 4H N type 6H-N type 4H Semi type 6H Semi type Double Side Polished kun je me meer details sturen zoals type, maat, hoeveelheid, materiaal, etc.
Bedankt!
Wachten op je antwoord.