SOI Wafer Silicon On Isolator Wafer Dopant P BOX laag 0,4-3 Substraat oriëntatie 100 111
Productdetails:
Plaats van herkomst: | China |
Merknaam: | ZMSH |
Modelnummer: | SOI-wafer |
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: | 1 |
---|---|
Levertijd: | 2-4 weken |
Betalingscondities: | T/T, T/T |
Gedetailleerde informatie |
|||
Diameter: | 4 inch 6 inch 8 inch | Doteermiddel: | 100 111 |
---|---|---|---|
Type: | SIMOX, BESOI, Simbond, Smart-cut | Dikte (um): | 0.2-150 |
De Uniformiteit: | <5> | BOX-laag: | Dikte (mm) 0,4-3 |
Uniformiteit: | <2> | Resistiviteit: | 0.001-20000 ohm-Cm |
Markeren: | 100 111 SOI-wafers,P BOX laag SOI-wafer,0.4-3 SOI-wafer |
Productomschrijving
SOI Wafer Silicon On Isolator Wafer Dopant P BOX laag 0.4-3 Substraat oriëntatie 100 111
SOI-wafers abstract
SOI (Silicon-On-Insulator) -wafers zijn een soort halfgeleidermateriaaltechnologie die voornamelijk in de micro-elektronica-industrie wordt gebruikt.Deze wafers worden gemaakt door een dunne laag isolatiemateriaal erin te plaatsenDeze configuratie biedt een aantal voordelen ten opzichte van conventionele bulk silicium wafers.
Foto van de SOI-wafer
Eigenschappen van SOI-wafers
SOI-wafers (Silicon-On-Insulator) vertonen een reeks onderscheidende eigenschappen die ze bijzonder waardevol maken in verschillende hoogwaardige en gespecialiseerde micro-elektronica-toepassingen.Hier zijn enkele van de belangrijkste eigenschappen van SOI-wafers:
-
Elektrische isolatie: De begraven oxide (BOX) -laag in SOI-wafers zorgt voor een uitstekende elektrische isolatie tussen de bovenste siliciumlaag waar de apparaten zijn gebouwd en het onderliggende substraat.Deze isolatie helpt bij het verminderen van parasitaire capaciteit, waardoor de prestaties van hogesnelheidscircuits worden verbeterd.
-
Verminderd energieverbruik: Vanwege de verminderde parasitaire capaciteit en lekstromen verbruiken apparaten gebouwd op SOI-wafers minder stroom dan apparaten gebouwd op bulk silicium.Deze eigenschap is met name nuttig voor draagbare en op batterijen werkende apparaten.
-
Hoge prestaties: De dunne bovenste siliciumlaag kan volledig uitgeput worden, wat leidt tot een betere controle van het kanaal en verminderde kortschanaleffecten in transistors.Dit resulteert in transistors die kunnen werken bij lagere drempelspanningen met hogere aandrijflijnen, waardoor snellere schakelsnelheden en hogere prestaties mogelijk zijn.
-
Thermische isolatie: De isolerende laag zorgt ook voor een zekere warmte-isolatie tussen de actieve laag en het substraat.Dit kan voordelig zijn in toepassingen waarbij de warmte die door het apparaat wordt gegenereerd, moet worden beperkt tot de bovenste laag, waardoor de thermische effecten effectiever kunnen worden beheerd.
-
Immuniteit van het vergrendelen: SOI-technologie biedt inherente immuniteit tegen vergrendeling, een soort kortsluiting die kan optreden in bulk siliciumapparaten.Dit is te wijten aan het ontbreken van een p-n-koppeling tussen de n-type en p-type gebieden die zich uitstrekken tot in het substraat., wat een typische oorzaak is van vergrendeling in bulkapparaten.
-
Stralingshardheid: De structurele configuratie van SOI-wafers zorgt ervoor dat op deze wafers aangebrachte apparaten beter bestand zijn tegen stralingseffecten zoals totale ioniserende dosis (TID) en single event upsets (SEU).Deze eigenschap is van cruciaal belang voor ruimtevaarttoepassingen en andere omgevingen die worden blootgesteld aan hoge straling.
-
Scalabiliteit: De SOI-technologie is zeer schaalbaar en maakt het mogelijk om apparaten te maken met zeer kleine kenmerken.
-
Compatibiliteit met reguliere fabricageprocessen: Hoewel SOI-wafers unieke voordelen bieden, kunnen ze nog steeds worden verwerkt met behulp van veel van dezelfde productietechnieken als traditioneel bulk silicium.die de integratie in bestaande productielijnen vergemakkelijkt.
- Ik weet het niet.
Diameter | 4 ¢ | 5 ¢ | 6 ¢ | 8 ¢ | |
Device-laag |
Dopant | Bor, fos, arseen, antimon, niet gedopeerd | |||
Oriëntatie | Het is niet mogelijk om de volgende gegevens te verwerken: | ||||
Type | SIMOX, BESOI, Simbond, Smart-cut | ||||
Resistiviteit | 0.001-20000 Ohm-cm | ||||
Dikte (mm) | 0.2-150 | ||||
De uniformiteit | < 5% | ||||
BOX-laag |
Dikte (mm) | 0.4-3 | |||
Uniformiteit | < 2,5% | ||||
Substraat |
Oriëntatie | Het is niet mogelijk om de volgende gegevens te verwerken: | |||
Type/Dopant | P-type/Boren, N-type/Phos, N-type/As, N-type/Sb | ||||
Dikte (mm) | 300 tot 725 | ||||
Resistiviteit | 0.001-20000 Ohm-cm | ||||
Afgerond oppervlak | P/P, P/E | ||||
Partikel | < 10@.0.3m |
SOI (Silicon-On-Insulator) -wafers zijn een soort halfgeleidermateriaaltechnologie die voornamelijk in de micro-elektronica-industrie wordt gebruikt.Deze wafers worden gemaakt door een dunne laag isolatiemateriaal erin te plaatsenDeze configuratie biedt een aantal voordelen ten opzichte van conventionele bulk silicium wafers.
Toepassingen van SOI-wafers
SOI (Silicon-On-Insulator) wafers worden gebruikt in verschillende hightech toepassingen vanwege hun unieke eigenschappen zoals verminderde parasitaire capaciteit, verbeterde prestaties bij hoge frequenties,lager stroomverbruikHier zijn enkele van de belangrijkste toepassingen van SOI-wafers:
-
Hoogwaardige microprocessoren: SOI-technologie wordt veel gebruikt bij de productie van microprocessors voor computers en servers.die van cruciaal belang is voor hoogwaardige computertoepassingen.
-
Radiofrequentie (RF) circuits: SOI-wafers zijn bijzonder gunstig voor RF-toepassingen vanwege hun uitstekende isolatie-eigenschappen, die cross-talk verminderen en de prestaties in RF-switching en signaalverwerking verbeteren.Dit maakt ze ideaal voor gebruik in mobiele telefoons, draadloze netwerken en andere communicatieapparaten.
-
Automobiele elektronica: De verbeterde duurzaamheid en operationele stabiliteit van op SOI gebaseerde apparaten onder hoge temperaturen en stralingsomstandigheden maken ze geschikt voor toepassingen in de automobielindustrie,met inbegrip van motorbesturingseenheden, automotive sensoren en energiebeheersystemen.
-
Stroomtoestellen: SOI-technologie is nuttig in energieapparaten die worden gebruikt voor spanningsomzetting en energiebeheer in verschillende elektronische producten.Deze apparaten profiteren van het vermogen van SOI om met hogere spanningen en vermogendichtheden om te gaan met een betere efficiëntie en een verminderde warmteopwekking.
-
MEMS (micro-elektromechanische systemen): SOI-wafers bieden een robuust platform voor het ontwikkelen van MEMS-apparaten, zoals versnellingsmeters en gyroscopen, die worden gebruikt in airbags, smartphones en andere consumentenelektronica.De begraven oxidelaag in SOI-wafers biedt uitstekende mechanische en elektrische isolatie, wat cruciaal is voor MEMS-apparaten.
-
Fotonica en opto-elektronica: De eigenschappen van SOI-wafers vergemakkelijken de integratie van optische componenten zoals golfgeleiders, modulatoren en detectoren met elektronische circuits.Deze integratie is van vitaal belang voor de ontwikkeling van geavanceerde opto-elektronische systemen voor gegevensoverdracht, telecommunicatie en sensoren.
-
Quantum Computing: SOI-wafers worden ook onderzocht als ondergrond voor de ontwikkeling van quantumbits (qubits) voor quantumcomputing,dankzij hun vermogen om te werken bij cryogene temperaturen en hun compatibiliteit met bestaande halfgeleiderprocessen.
-
Ruimte- en militaire toepassingen: Apparaten die zijn gebouwd op SOI-wafers zijn bestand tegen stralingseffecten, waardoor ze geschikt zijn voor ruimtevaarttoepassingen en militaire apparatuur waar blootstelling aan straling een probleem is.
SOI-technologie blijft evolueren en neemt steeds complexere uitdagingen aan in deze toepassingen, bevordert vooruitgang op het gebied van elektronica en vergemakkelijkt nieuwe innovaties op talrijke gebieden.
V&A
Wat is een SOI silicium wafer?
Een SOI (Silicon-On-Insulator) siliciumwafer is een soort halfgeleidermateriaal dat voornamelijk in de micro-elektronica-industrie wordt gebruikt.Het bestaat uit een dunne laag silicium, gescheiden van een dikker siliciumsubstraat door een laag isolatiemateriaalDeze structuur wordt bereikt door middel van gespecialiseerde fabricageprocessen zoals de scheiding door implantering van zuurstof (SIMOX) of de Smart Cut-techniek.
Het belangrijkste voordeel van SOI-siliciumwafers ten opzichte van traditionele siliciumwafels is de aanwezigheid van de isolatielaag, die de parasitaire capaciteit aanzienlijk vermindert,Verbetert de prestaties door elektrisch lek te minimaliserenDit leidt tot verbeteringen in snelheid, energie-efficiëntie en algemene prestaties van elektronische apparaten.SOI-wafers worden veel gebruikt in verschillende toepassingen, waaronder onder andere hoogwaardige microprocessors, radiofrequentie (RF) -circuits, krachtelektronica en MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems).Hun eigenschappen maken ze bijzonder geschikt voor omgevingen waar hoge snelheden, laag stroomverbruik en weerstand tegen moeilijke omstandigheden zijn essentieel.