Merknaam: | ZMSH |
Modelnummer: | GaAs substraat |
MOQ: | 3PCS |
Prijs: | BY case |
Verpakking: | enige wafeltjecontainer onder schoonmakende ruimte |
Betalingsvoorwaarden: | T/T, Western Union |
Duim4inch N Type P van VGF 2 Type GaAs het Substraat van de Wafeltjehalfgeleider voor Epitaxial Groei
Galliumarsenide kan in semi-insulating hoog-weerstandsmaterialen met weerstandsvermogen meer dan tot 3 grootteordes worden gemaakt hoger dan silicium en germanium, die worden gebruikt om de substraten van geïntegreerde schakelingen, infrarode detectors, de detectors van het gammafoton, enz. te maken. Omdat zijn elektronenmobiliteit 5 tot 6 keer groter dan dat van silicium is, heeft het belangrijke toepassingen in de vervaardiging van microgolfapparaten en hoge snelheids digitale kringen. Galliumarsenide van galliumarsenide kan wordt gemaakt in semi-insulating hoog-weerstandsmaterialen met weerstandsvermogen van meer dan 3 grootteordes worden gemaakt hoger dan silicium en germanium, die worden gebruikt om de substraten van geïntegreerde schakelingen en infrarode detectors te maken die.
1. Toepassing van galliumarsenide in opto-elektronica
2. Toepassing van galliumarsenide in micro-elektronica
3. Toepassing van galliumarsenide in mededeling
4. Toepassing van galliumarsenide in microgolf
5. Toepassing van galliumarsenide in zonnecellen
Type/Additief | Semi-geïsoleerd | P-Type/Zn | N-Type/Si | N-Type/Si |
Toepassing | Micro Eletronic | Leiden | Laserdiode | |
De groeimethode | VGF | |||
Diameter | 2“, 3“, 4“, 6“ | |||
Richtlijn | (100) ±0.5° | |||
Dikte (µm) | 350-625um±25um | |||
OF/IF | De V.S. EJ of Inkeping | |||
Dragerconcentratie | - | (0.5-5) *1019 | (0.4-4) *1018 | (0.4-0.25) *1018 |
Weerstandsvermogen (ohm-cm) | >107 | (1.2-9.9) *10-3 | (1.2-9.9) *10-3 | (1.2-9.9) *10-3 |
Mobiliteit (cm2/V.S.) | >4000 | 50-120 | >1000 | >1500 |
Ets Hoogtedichtheid (/cm2) | <5000> | <5000> | <5000> | <500> |
TTV [P/P] (µm) | <5> | |||
[P/E] TTV (µm) | <10> | |||
Afwijking (µm) | <10> | |||
Gebeëindigde oppervlakte | P/E P/P, E/E |
Galliumarsenide is het belangrijkste en wijd gebruikte halfgeleidermateriaal in samenstellingshalfgeleiders, en het is ook het rijpste en grootste materiaal van de samenstellingshalfgeleider momenteel in productie.