6 het Wafeltje Hoge Zuiverheid PVD van het duimn Type Opgepoetste Silicium/CVD-Deklaag
Productdetails:
Plaats van herkomst: | China |
Merknaam: | ZMSH |
Certificering: | ROHS |
Modelnummer: | SI-WAFELTJE |
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: | 25PCS |
---|---|
Prijs: | by quantites |
Verpakking Details: | 25pcs cassettedoos of enige wafeltjecontainer |
Levertijd: | 2-4weeks |
Betalingscondities: | Western Union, T/T |
Gedetailleerde informatie |
|||
Materiaal: | Het enige kristal van Si | Type: | N-type of p-Type |
---|---|---|---|
Methode: | CZ of Fz | Toepassing: | halfgeleiderwafeltjes |
Grootte: | 2-12inch | Productnaam: | de wafeltjes van Si substrate/si |
Dikte: | 0.2-1.0mmt | Pakket: | 25pcs cassettedoos |
Markeren: | 6 duim Opgepoetst Siliciumwafeltje,N Type Opgepoetst Halfgeleidersubstraat,Opgepoetst het Siliciumwafeltje van PVD Deklaag |
Productomschrijving
n-Type van 6inch 8inch 2inch 1inch FZ CZ poetste van het de wafeltjessilicium van het siliciumwafeltje DSP SiO2 van het het oxyde de wafeltje Opgepoetste Silicium van het Wafeltje High-purity (11N) 1-12 duim wafeltjes van Czochralski enige en dubbel-opgepoetste op
De opgepoetste High-purity (11N) wafeltjes van 1-12 duim enige en dubbel-opgepoetste Czochralski van het Siliciumwafeltje
Grootte 1“ 2“ 3“ 4“ 5“ 6“ 8“ 12“ en speciale grootte en specificatiewafeltjes
Oppervlakte Enige oppoetsende schijf, dubbele oppoetsende schijf, schurende schijf, corrosieschijf, scherpe schijf
Kristalrichtlijn <100> <111> <110> <211> <511> en siliciumwafeltjes met diverse van-hoeken
Dikte 100um 200um 300um 400um 500um 1mm 5mm en andere dikten, diktetolerantie +-10um,
TTV-< 10um="" or="" according="" to="" customer="" requirements="">
Geleidingsvermogentype n-Type, p-Type, undope (intrinsiek hoge weerstand)
Enig kristalmethode Czochralski (CZ), streek die (FZ) smelten, NTD (middenfoto)
Weerstandsvermogen re-Smeert kan bereiken <0>
streek intrinsiek smelten: > 1000 ohm.cm, >3000 ohm.cm, >5000 ohm.cm, >8000 ohm.cm, >10000 ohm.cm
TIR de Vlakheid van procesparameters: ≤3μm, Warpage TTV: ≤10μm,
Boog/Warp≤40μm, roughness≤0.5nm, deeltjesgrootte <> 0.3μ)
Ultra-Schone de aluminiumfolie van de verpakkingsmethode vacuüm verpakking 10 stukken, 25 stukken
De verwerkingsaanpassing de verwerkingstijd van model, kristalrichtlijn, dikte, weerstandsvermogen, enz. is lichtjes verschillend volgens verschillende specificaties en parameters.
De toepassingsinleiding wordt het gebruikt voor de steekproefdragers van de synchotronstraling zoals processen, PVD/CVD-deklagen als substraten, steekproeven van de magnetron de sputterende groei, XRD, SEM,
De atoomkracht, de infrarode spectroscopie, de fluorescentiespectroscopie en andere analyse testen substraten, moleculaire straalepitaxy de groeisubstraten, Röntgenstraalanalyse van kristallijne halfgeleiders
ZMSH is de fabriek van de Halfgeleidersterkte, speciaal voor het wetenschappelijke het materiaal van het onderzoeklaboratorium testen, 2-3-4-5-6-8 de duim opgepoetste wafeltjes van het siliciumoxyde, high-purity wafeltjes van het het onderzoeksubstraat van de enig kristalsilicium met een laag bedekte elektronenmicroscoop wetenschappelijke
Gelieve te raadplegen de eigenaar alvorens een orde voor specifieke specificaties te plaatsen, en gelieve vrij te voelen om eender welke vragen over siliciumwafeltjes te stellen.
Alle wetenschappelijke onderzoeklaboratoria en halfgeleiderbedrijven zijn welkom om opdracht te geven tot, en OEM de orden kunnen worden ontvangen, en de siliciumwafeltjes kunnen worden ingevoerd.
Speciale verklaring: Alle siliciumwafeltjes van ons bedrijf worden van enig die kristalsilicium verwerkt van inheemse polysilicon, niet goedkope gerecycleerde siliciumwafeltjes of gebruikte opnieuw gepolijste siliciumwafeltjes wordt getrokken! Het citaat omvat een 16%-de BTW rekening.
Onze inventarislijst voor Siliciumwafeltjes (IC-Rang, Trekkrachtmethode CZ)
Het rechte Wafeltje van het Trekkracht Enige Kant Opgepoetste Silicium
van 1 duim (25.4mm) enig-opgeruimde opgepoetste Czochralski het wafeltjedikte 500um
2 (50.8mm) van de enig-opgeruimde opgepoetste Czochralski-wafeltjeduim dikte 280um
3 (76.2mm) van de enig-opgeruimde opgepoetste Czochralski-wafeltjeduim dikte 380um
van de 4 duim (100mm) enig-opgeruimd opgepoetst recht-trekkracht het siliciumwafeltje met een dikte van 500um
van 5 duim (125mm) enig-opgeruimde opgepoetste Czochralski het wafeltjedikte 625um
6 (150mm) van de enig-opgeruimde opgepoetste Czochralski-wafeltjeduim dikte 675um
Wafeltjes van het Czochralski de tweezijdige opgepoetste silicium
van 1 duim (25.4mm) tweezijdige opgepoetste Czochralski het wafeltjedikte 500um
2 (50.8mm) van de tweezijdige opgepoetste Czochralski-wafeltjeduim dikte 280um
3 (76.2mm) van de tweezijdige opgepoetste Czochralski-wafeltjeduim dikte 380um
4 (100mm) van de tweezijdige opgepoetste Czochralski-wafeltjeduim dikte 500um
5 (125mm) van de tweezijdige opgepoetste Czochralski-wafeltjeduim dikte 625um
6 (150mm) van de tweezijdige opgepoetste Czochralski-wafeltjeduim dikte 675um
Recht-getrokken enig-opgeruimde opgepoetste uiterst dunne siliciumwafeltjes
van het het siliciumwafeltje van de 1 duim (25.4mm) de enig-opgeruimde opgepoetste uiterst dunne recht-trekkracht dikte 100um
2 (50.8mm) van de enig-kant opgepoetste uiterst dunne het wafeltjeduim dikte 100um van het recht-trekkrachtsilicium
3 (76.2mm) van de enig-kant opgepoetste uiterst dunne het wafeltjeduim dikte 100um van het recht-trekkrachtsilicium
van de 4 duim (100mm) enig-opgeruimd opgepoetst uiterst dun recht-trekkracht het siliciumwafeltje met een dikte van 100um
Wafeltjes van het Czochralski de tweezijdige opgepoetste uiterst dunne silicium
van 1 duim (25.4mm) tweezijdige opgepoetste uiterst dunne Czochralski het wafeltjedikte 100um
2 (50.8mm) van de tweezijdige opgepoetste uiterst dunne Czochralski-wafeltjeduim dikte 100um
3 (76.2mm) van de tweezijdige opgepoetste uiterst dunne Czochralski-wafeltjeduim dikte 100um
4 (100mm) van de tweezijdige opgepoetste uiterst dunne Czochralski-wafeltjeduim dikte 100um
Siliciumwafeltje (IC-rang, streek die FZ smelten)
Wafeltje van het streek het smeltende enig-kant opgepoetste silicium
1 duim (25.4mm) smolt de dikte 500um van het siliciumwafeltje op enig-opgeruimd het oppoetsen gebied
2 duim (50.8mm) smolt de dikte 280um van het siliciumwafeltje op enig-kant het oppoetsen gebied
3-duim (76.2mm) smolt de dikte 380um van het siliciumwafeltje op enig-kant het oppoetsen gebied
4 duim (100mm) smolt de dikte 500um van het siliciumwafeltje op enig-kant het oppoetsen gebied
Streek die tweezijdige opgepoetste siliciumwafeltjes smelten
1 duim (25.4mm) smolt de dikte 500um van het siliciumwafeltje op tweezijdig het oppoetsen gebied
2 duim (50.8mm) smolt de dikte 280um van het siliciumwafeltje op tweezijdig het oppoetsen gebied
3 duim (76.2mm) smolt de dikte 380um van het siliciumwafeltje op tweezijdig het oppoetsen gebied
4 duim (100mm) smolt de dikte 500um van het siliciumwafeltje op tweezijdig het oppoetsen gebied
Wafeltje van het streek het smeltende enig-kant opgepoetste uiterst dunne silicium
1 duim (25.4mm) enig-opgeruimde het oppoetsen streek die de uiterst dunne dikte 100um smelten van het siliciumwafeltje
2 duim (50.8mm) enig-opgeruimde het oppoetsen streek die de uiterst dunne dikte 100um smelten van het siliciumwafeltje
3 duim (76.2mm) enig-opgeruimde het oppoetsen streek die de uiterst dunne dikte 100um smelten van het siliciumwafeltje
4 duim (100mm) enig-opgeruimde het oppoetsen streek die de uiterst dunne dikte 100um smelten van het siliciumwafeltje
Streek die tweezijdige opgepoetste uiterst dunne siliciumwafeltjes smelten
1 duim (25.4mm) tweezijdig het oppoetsen gebied die de uiterst dunne dikte 100um smelten van het siliciumwafeltje
2 duim (50.8mm) tweezijdig het oppoetsen gebieds die de uiterst dunne dikte 100um smelten van het siliciumwafeltje
3 duim (76.2mm) tweezijdig het oppoetsen gebieds die de uiterst dunne dikte 100um smelten van het siliciumwafeltje
4 duim (100mm) tweezijdig het oppoetsen gebieds die de uiterst dunne dikte 100um smelten van het siliciumwafeltje
Gebruikt voor de steekproefdragers van de synchotronstraling zoals processen, PVD/CVD-deklaag als substraat, steekproeven van de magnetron de sputterende groei, XRD, SEM, atoomkracht, de infrarode spectroscopie, de fluorescentiespectroscopie en andere analyse en het testen substraten, moleculaire straalepitaxy de groeisubstraten, Röntgenstraalanalyse Crystal Semiconductor Lithography
Het opdracht geven van tot informatie moet omvatten:
1. Weerstandsvermogen
2. Grootte: 2“, kunnen 3“, 4“, 5“, andere grootte worden aangepast
3. Dikte
4. Het éénzijdige oppoetsen, het tweezijdige oppoetsen, geen het oppoetsen
5. Rang: Mechanische Rang, Testrang, Eerste Rang (Positieve Film)
6. Geleidingsvermogentype: P type, n-type
7. Kristalrichtlijn
7. Het smeren van type: borium-gesmeerd, fosfor-gesmeerd, arsenicum-gesmeerd, gallium-gesmeerd, antimonium-gesmeerd, undoped
8. TTV, BOOG (de normale waarde is <10um>
Productdetails
1. hoe kunnen wij kwaliteit waarborgen?
Altijd een voorproductiesteekproef vóór massaproduktie;
Altijd definitieve Inspectie vóór verzending;
2.what kunt u van ons kopen?
Het Metaaldeel van de laserbesnoeiing, het Glas van de Laserbesnoeiing, Sapphire Glass, Laser sneed plastic/Acryl, het aluminium van de Laserbesnoeiing/Ceramisch deel
3. waarom zou u van ons niet van andere leveranciers moeten kopen?
1. meer dan 10 jaar ervarings. 2.Fast levering en fijne prijs. 3.Better kwaliteit en klantenservice. 4.100% inspectie vóór verzending. 5.many de verschillende manieren om aan waarborg te verschepen leveren snel en goedkope vrachtkosten.
4. welke diensten kunnen wij verlenen?
Goedgekeurde Leveringstermijnen: FOB, CIF CFR, EXW, FAS, CIP, FCA, CPT, DEQ, DDP, DDU, Uitdrukkelijke Levering, DAF, DES;
Toegelaten Betalingsmunt: USD, EUR, JPY, CAD, AUD, HKD, GBP, CNY, CHF;
Toegelaten Betalingstype: T/T, L/C, D/P D/A, MoneyGram, Creditcard, Paypal, Western Union, Contant geld, Borg;
Gesproken taal: Engels, Chinees, Spaans, Japans, Portugees, Duits, Arabisch, Frans, Russisch, Koreaans, Italiaanse Hindi,