10x10mm het type van AftastenElektronenmicroscoop P het Vierkante Stuk SEM van het Siliciumwafeltje

Productomschrijving

n-Type van 2inch 3inch 4inch 5inch 6inch 8inch 12inch FZ CZ poetste van het de wafeltjessilicium van het siliciumwafeltje DSP SiO2 het oxydewafeltje op

1inch 2inch 10x10mm van het het siliciumwafeltje van de Aftastenelektronenmicroscoop het kleine vierkante stuk SEM

De opgepoetste High-purity (11N) wafeltjes van 1-12 duim enige en dubbel-opgepoetste Czochralski van het Siliciumwafeltje
Grootte 1“ 2“ 3“ 4“ 5“ 6“ 8“ 12“ en speciale grootte en specificatiewafeltjes
Oppervlakte Enige oppoetsende schijf, dubbele oppoetsende schijf, schurende schijf, corrosieschijf, scherpe schijf
Kristalrichtlijn <100> <111> <110> <211> <511> en siliciumwafeltjes met diverse van-hoeken
Dikte 100um 200um 300um 400um 500um 1mm 5mm en andere dikten, diktetolerantie +-10um,

TTV-< 10um="" or="" according="" to="" customer="" requirements=""> Geleidingsvermogentype n-Type, p-Type, undope (intrinsiek hoge weerstand)
Enig kristalmethode Czochralski (CZ), streek die (FZ) smelten, NTD (middenfoto)
Weerstandsvermogen re-Smeert kan bereiken <0>

streek intrinsiek smelten: > 1000 ohm.cm, >3000 ohm.cm, >5000 ohm.cm, >8000 ohm.cm, >10000 ohm.cm
TIR de Vlakheid van procesparameters: ≤3μm, Warpage TTV: ≤10μm,
Boog/Warp≤40μm, roughness≤0.5nm, deeltjesgrootte <> 0.3μ)
Ultra-Schone de aluminiumfolie van de verpakkingsmethode vacuüm verpakking 10 stukken, 25 stukken
De verwerkingsaanpassing de verwerkingstijd van model, kristalrichtlijn, dikte, weerstandsvermogen, enz. is lichtjes verschillend volgens verschillende specificaties en parameters.
De toepassingsinleiding wordt het gebruikt voor de steekproefdragers van de synchotronstraling zoals processen, PVD/CVD-deklagen als substraten, steekproeven van de magnetron de sputterende groei, XRD, SEM,
De atoomkracht, de infrarode spectroscopie, de fluorescentiespectroscopie en andere analyse testen substraten, moleculaire straalepitaxy de groeisubstraten, Röntgenstraalanalyse van kristallijne halfgeleiders

ZMSH is de fabriek van de Halfgeleidersterkte, speciaal voor het wetenschappelijke het materiaal van het onderzoeklaboratorium testen, 2-3-4-5-6-8 de duim opgepoetste wafeltjes van het siliciumoxyde, high-purity wafeltjes van het het onderzoeksubstraat van de enig kristalsilicium met een laag bedekte elektronenmicroscoop wetenschappelijke

Gelieve te raadplegen de eigenaar alvorens een orde voor specifieke specificaties te plaatsen, en gelieve vrij te voelen om eender welke vragen over siliciumwafeltjes te stellen.

Alle wetenschappelijke onderzoeklaboratoria en halfgeleiderbedrijven zijn welkom om opdracht te geven tot, en OEM de orden kunnen worden ontvangen, en de siliciumwafeltjes kunnen worden ingevoerd.

Speciale verklaring: Alle siliciumwafeltjes van ons bedrijf worden van enig die kristalsilicium verwerkt van inheemse polysilicon, niet goedkope gerecycleerde siliciumwafeltjes of gebruikte opnieuw gepolijste siliciumwafeltjes wordt getrokken! Het citaat omvat een 16%-de BTW rekening.

Onze inventarislijst voor Siliciumwafeltjes (IC-Rang, Trekkrachtmethode CZ)
 Het rechte Wafeltje van het Trekkracht Enige Kant Opgepoetste Silicium
van 1 duim (25.4mm) enig-opgeruimde opgepoetste Czochralski het wafeltjedikte 500um
2 (50.8mm) van de enig-opgeruimde opgepoetste Czochralski-wafeltjeduim dikte 280um
3 (76.2mm) van de enig-opgeruimde opgepoetste Czochralski-wafeltjeduim dikte 380um
van de 4 duim (100mm) enig-opgeruimd opgepoetst recht-trekkracht het siliciumwafeltje met een dikte van 500um
van 5 duim (125mm) enig-opgeruimde opgepoetste Czochralski het wafeltjedikte 625um
6 (150mm) van de enig-opgeruimde opgepoetste Czochralski-wafeltjeduim dikte 675um

Wafeltjes van het Czochralski de tweezijdige opgepoetste silicium
van 1 duim (25.4mm) tweezijdige opgepoetste Czochralski het wafeltjedikte 500um
2 (50.8mm) van de tweezijdige opgepoetste Czochralski-wafeltjeduim dikte 280um
3 (76.2mm) van de tweezijdige opgepoetste Czochralski-wafeltjeduim dikte 380um

4 (100mm) van de tweezijdige opgepoetste Czochralski-wafeltjeduim dikte 500um
5 (125mm) van de tweezijdige opgepoetste Czochralski-wafeltjeduim dikte 625um
6 (150mm) van de tweezijdige opgepoetste Czochralski-wafeltjeduim dikte 675um
Recht-getrokken enig-opgeruimde opgepoetste uiterst dunne siliciumwafeltjes

van het het siliciumwafeltje van de 1 duim (25.4mm) de enig-opgeruimde opgepoetste uiterst dunne recht-trekkracht dikte 100um
2 (50.8mm) van de enig-kant opgepoetste uiterst dunne het wafeltjeduim dikte 100um van het recht-trekkrachtsilicium
3 (76.2mm) van de enig-kant opgepoetste uiterst dunne het wafeltjeduim dikte 100um van het recht-trekkrachtsilicium
van de 4 duim (100mm) enig-opgeruimd opgepoetst uiterst dun recht-trekkracht het siliciumwafeltje met een dikte van 100um

Wafeltjes van het Czochralski de tweezijdige opgepoetste uiterst dunne silicium
van 1 duim (25.4mm) tweezijdige opgepoetste uiterst dunne Czochralski het wafeltjedikte 100um
2 (50.8mm) van de tweezijdige opgepoetste uiterst dunne Czochralski-wafeltjeduim dikte 100um
3 (76.2mm) van de tweezijdige opgepoetste uiterst dunne Czochralski-wafeltjeduim dikte 100um
4 (100mm) van de tweezijdige opgepoetste uiterst dunne Czochralski-wafeltjeduim dikte 100um

Siliciumwafeltje (IC-rang, streek die FZ smelten)
Wafeltje van het streek het smeltende enig-kant opgepoetste silicium
1 duim (25.4mm) smolt de dikte 500um van het siliciumwafeltje op enig-opgeruimd het oppoetsen gebied
2 duim (50.8mm) smolt de dikte 280um van het siliciumwafeltje op enig-kant het oppoetsen gebied

3-duim (76.2mm) smolt de dikte 380um van het siliciumwafeltje op enig-kant het oppoetsen gebied
4 duim (100mm) smolt de dikte 500um van het siliciumwafeltje op enig-kant het oppoetsen gebied

Streek die tweezijdige opgepoetste siliciumwafeltjes smelt
1 duim (25.4mm) smolt de dikte 500um van het siliciumwafeltje op tweezijdig het oppoetsen gebied
2 duim (50.8mm) smolt de dikte 280um van het siliciumwafeltje op tweezijdig het oppoetsen gebied
3 duim (76.2mm) smolt de dikte 380um van het siliciumwafeltje op tweezijdig het oppoetsen gebied
4 duim (100mm) smolt de dikte 500um van het siliciumwafeltje op tweezijdig het oppoetsen gebied

Wafeltje van het streek het smeltende enig-kant opgepoetste uiterst dunne silicium
1 duim (25.4mm) enig-opgeruimde het oppoetsen streek die de uiterst dunne dikte 100um smelten van het siliciumwafeltje
2 duim (50.8mm) enig-opgeruimde het oppoetsen streek die de uiterst dunne dikte 100um smelt van het siliciumwafeltje
3 duim (76.2mm) enig-opgeruimde het oppoetsen streek die de uiterst dunne dikte 100um smelt van het siliciumwafeltje
4 duim (100mm) enig-opgeruimde het oppoetsen streek die de uiterst dunne dikte 100um smelt van het siliciumwafeltje

Streek die tweezijdige opgepoetste uiterst dunne siliciumwafeltjes smelten
1 duim (25.4mm) tweezijdig het oppoetsen gebied die de uiterst dunne dikte 100um smelten van het siliciumwafeltje
2 duim (50.8mm) tweezijdig het oppoetsen gebieds die de uiterst dunne dikte 100um smelten van het siliciumwafeltje

3 duim (76.2mm) tweezijdig het oppoetsen gebieds dat de uiterst dunne dikte 100um smelt van het siliciumwafeltje
4 duim (100mm) tweezijdig het oppoetsen gebieds dat de uiterst dunne dikte 100um smelt van het siliciumwafeltje


Productparameters. voor 8inch-de wafeltjes van Si
 Productgrootte. 8-duim enig-opgeruimd opgepoetst siliciumwafeltje
productiemethodes.   Czochralski (CZ)
Diameter en tolerantie mm 200±0.3mm
Model/Smerend Type.  N type (fosfor, arsenicum) P type (gesmeerd borium)
kristalrichtlijn.<111><100><110>
  Weerstandsvermogen. 0.001-50 (ohm-cm) (de verschillende weerstandsvermogenwaaiers kunnen volgens klantenvereisten worden aangepast)
TIR vlakheid.<3um>  Ruwheidsra die<0> 25 stukken inpakken verpakt de dubbel-laag van de 100 niveau schone ruimte vacuüm verpakking
 
Gebruikt voor de steekproefdragers van de synchotronstraling zoals processen, PVD/CVD-deklaag als substraat, steekproeven van de magnetron de sputterende groei, XRD, SEM, atoomkracht, de infrarode spectroscopie, de fluorescentiespectroscopie en andere analyse en het testen substraten, moleculaire straalepitaxy de groeisubstraten, Röntgenstraalanalyse Crystal Semiconductor Lithography

Het opdracht geven van tot informatie moet omvatten:
1. Weerstandsvermogen
2. Grootte: 2“, kunnen 3“, 4“, 5“, andere grootte worden aangepast
3. Dikte
4. Het éénzijdige oppoetsen, het tweezijdige oppoetsen, geen het oppoetsen
5. Rang: Mechanische Rang, Testrang, Eerste Rang (Positieve Film)
6. Geleidingsvermogentype: P type, n-type
7. Kristalrichtlijn
7. Het smeren van type: borium-gesmeerd, fosfor-gesmeerd, arsenicum-gesmeerd, gallium-gesmeerd, antimonium-gesmeerd, undoped
8. TTV, BOOG (de normale waarde is <10um>