 |
2 het Wafeltje van de het Malplaatjelaag van duimsapphire substrate AlN voor de Apparaten van 5G BAW
Productdetails:
| Plaats van herkomst: | China |
| Merknaam: | ZMKJ |
| Modelnummer: | 2inch-alN-Saffier |
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
| Min. bestelaantal: | 5pcs |
|---|---|
| Prijs: | by case |
| Verpakking Details: | enige wafeltjecontainer in het schoonmaken van ruimte |
| Levertijd: | in 30days |
| Betalingscondities: | T/T, Western Union, Paypal |
| Levering vermogen: | 50PCS/Month |
|
Gedetailleerde informatie |
|||
| substraat: | saffierwafeltje | laag: | AlNmalplaatje |
|---|---|---|---|
| laagdikte: | 1-5um | geleidingsvermogentype: | N/P |
| Richtlijn: | 0001 | toepassing: | hoge macht/hoge frequentie elektronische apparaten |
| toepassing 2: | de Apparaten van 5G saw/BAW | siliciumdikte: | 525um/625um/725um |
| Markeren: | het Malplaatje van 2 duimaln,het Malplaatje van de Apparatenaln van 5G BAW,het substraat van de 2 duimsaffier |
||
Productomschrijving
film van de malplaatjesaln van 2inch 4iinch 6Inch de Saffier gebaseerde AlN op saffiersubstraat
2inch op het Wafeltje van de het Malplaatjelaag van AlN van het saffiersubstraat voor de Apparaten van 5G BAW
Toepassingen van AlNmalplaatje
Onze OEM heeft series van merkgebonden technologieën en de de de-staat-van-reactoren en faciliteiten van de kunstpvt groei aan ontwikkeld
vervaardig verschillende grootte van de enige kristallijne AlN-wafeltjes van uitstekende kwaliteit, AlN temlpates. Wij zijn één van weinigen wereld-leidt
high-tech bedrijven wie volledige AlN-vervaardigingscapa bezitten? bilities om AlN van uitstekende kwaliteit boules en wafeltjes te produceren, en te verstrekken
profes? de sionaldiensten en kant en klare oplossingen voor onze die klanten, van het van de groeireactor en hotzone ontwerp worden geschikt,
modellering en simulatie, procesontwerp en optimalisering, de kristalgroei,
wafering en materiële characteriza? tion. Tot April 2019, hebben zij meer dan 27 octrooien toegepast (met inbegrip van PCT).
Specificatie
De aracteristic
Specificatie van CH
Specificatie van CH
Andere relaterd4inch GaN Template Specificatie
| GaN/Al ₂ O ₃ Substraten (4“) 4inch | |||
| Punt | Un-doped | N-type |
Hoog-gesmeerd N-type |
| Grootte (mm) | Φ100.0±0.5 (4“) | ||
| Substraatstructuur | GaN op Saffier (0001) | ||
| SurfaceFinished | (Norm: SSP Optie: DSP) | ||
| Dikte (μm) | 4.5±0.5; 20±2; Aangepast | ||
| Geleidingstype | Un-doped | N-type | Hoog-gesmeerd n-Type |
| Weerstandsvermogen (Ω·cm) (300K) | ≤0.5 | ≤0.05 | ≤0.01 |
| GaN Thickness Uniformity |
≤±10% (4“) | ||
| Dislocatiedichtheid (cm2) |
≤5×108 | ||
| Bruikbare Oppervlakte | >90% | ||
| Pakket | Verpakt in een klasse 100 schoon ruimtemilieu. | ||
| Kristalstructuur |
Wurtzite |
| Roosterconstante (Å) | a=3.112, c=4.982 |
| Het type van geleidingsband | Directe bandgap |
| Dichtheid (g/cm3) | 3.23 |
| Oppervlaktemicrohardness (Knoop-test) | 800 |
| Smeltpunt (℃) | 2750 (bar 10-100 in N2) |
| Warmtegeleidingsvermogen (W/m·K) | 320 |
| De energie van het bandhiaat (eV) | 6.28 |
| Elektronenmobiliteit (V·s/cm2) | 1100 |
| Elektrisch analyseveld (MV/cm) | 11.7 |
Wilt u meer details over dit product weten