Merknaam:	ZMKJ
Modelnummer:	2inch-alN-Saffier
MOQ:	5pcs
Prijs:	by case
Verpakking:	enige wafeltjecontainer in het schoonmaken van ruimte
Betalingsvoorwaarden:	T/T, Western Union, Paypal

Gedetailleerde informatie

Productbeschrijving

Gedetailleerde informatie

Plaats van herkomst:

China

substraat:

saffierwafeltje

laag:

AlNmalplaatje

laagdikte:

1-5um

geleidingsvermogentype:

N/P

Richtlijn:

0001

toepassing:

hoge macht/hoge frequentie elektronische apparaten

toepassing 2:

de Apparaten van 5G saw/BAW

siliciumdikte:

525um/625um/725um

Levering vermogen:

50PCS/Month

Markeren:

het Malplaatje van 2 duimaln

het Malplaatje van de Apparatenaln van 5G BAW

het substraat van de 2 duimsaffier

Productbeschrijving

film van de malplaatjesaln van 2inch 4iinch 6Inch de Saffier gebaseerde AlN op saffiersubstraat

2inch op het Wafeltje van de het Malplaatjelaag van AlN van het saffiersubstraat voor de Apparaten van 5G BAW

Toepassingen van AlNmalplaatje

Onze OEM heeft series van merkgebonden technologieën en de de de-staat-van-reactoren en faciliteiten van de kunstpvt groei aan ontwikkeld

vervaardig verschillende grootte van de enige kristallijne AlN-wafeltjes van uitstekende kwaliteit, AlN temlpates. Wij zijn één van weinigen wereld-leidt

high-tech bedrijven wie volledige AlN-vervaardigingscapa bezitten? bilities om AlN van uitstekende kwaliteit boules en wafeltjes te produceren, en te verstrekken

profes? de sionaldiensten en kant en klare oplossingen voor onze die klanten, van het van de groeireactor en hotzone ontwerp worden geschikt,

modellering en simulatie, procesontwerp en optimalisering, de kristalgroei,

wafering en materiële characteriza? tion. Tot April 2019, hebben zij meer dan 27 octrooien toegepast (met inbegrip van PCT).

Specificatie

De aracteristic 2 het Wafeltje van de het Malplaatjelaag van duimsapphire substrate AlN voor de Apparaten van 5G BAW 0

Specificatie van CH

Andere relaterd4inch GaN Template Specificatie

	GaN/Al ₂ O ₃ Substraten (4“) 4inch
Punt	Un-doped	N-type	Hoog-gesmeerd N-type
Grootte (mm)	Φ100.0±0.5 (4“)
Substraatstructuur	GaN op Saffier (0001)
SurfaceFinished	(Norm: SSP Optie: DSP)
Dikte (μm)	4.5±0.5; 20±2; Aangepast
Geleidingstype	Un-doped	N-type	Hoog-gesmeerd n-Type
Weerstandsvermogen (Ω·cm) (300K)	≤0.5	≤0.05	≤0.01
GaN Thickness Uniformity	≤±10% (4“)
Dislocatiedichtheid (cm2)	≤5×108
Bruikbare Oppervlakte	>90%
Pakket	Verpakt in een klasse 100 schoon ruimtemilieu.

2 het Wafeltje van de het Malplaatjelaag van duimsapphire substrate AlN voor de Apparaten van 5G BAW 1

Kristalstructuur	Wurtzite
Roosterconstante (Å)	a=3.112, c=4.982
Het type van geleidingsband	Directe bandgap
Dichtheid (g/cm3)	3.23
Oppervlaktemicrohardness (Knoop-test)	800
Smeltpunt (℃)	2750 (bar 10-100 in N2)
Warmtegeleidingsvermogen (W/m·K)	320
De energie van het bandhiaat (eV)	6.28
Elektronenmobiliteit (V·s/cm2)	1100
Elektrisch analyseveld (MV/cm)	11.7

2 het Wafeltje van de het Malplaatjelaag van duimsapphire substrate AlN voor de Apparaten van 5G BAW 3

Tags: