Merknaam:	ZMKJ
Modelnummer:	UTI-AlN-1inch enig kristal
MOQ:	1PCS
Prijs:	by case
Verpakking:	enige wafeltjecontainer in het schoonmaken van ruimte
Betalingsvoorwaarden:	T/T, Western Union, Paypal

Gedetailleerde informatie

Productbeschrijving

Gedetailleerde informatie

Plaats van herkomst:

China

materiaal:

AlNkristal

dikte:

400um

Richtlijn:

0001

toepassing:

hoge macht/hoge frequentie elektronische apparaten

toepassing 2:

de Apparaten van 5G saw/BAW

Ra:

0.5nm

opgepoetste oppervlakte:

Al gezicht cmp, n-Gezicht mp

kristaltype:

Levering vermogen:

10PCS/Month

Markeren:

Het nitridewafeltje van het AlNaluminium

50.8mm het wafeltje van het aluminiumnitride

BAW-het wafeltje van Apparatenaln

Productbeschrijving

van dia50.8mm 2inch 1inch AlN het substraat/van AlN enig kristalwafeltjes

10x10mm of diameter 10mm dia25.4mm dia30mm, dia45mm, van het substraataln van dia50.8mm AlN het enige kristalwafeltjes

Toepassingen van AlNmalplaatje

wij hebben series van merkgebonden processen en technologieën om ontwikkeld te vervaardigen

AlN-malplaatjes de van uitstekende kwaliteit. Momenteel, Onze is OEM wereldwijd het enige bedrijf wie 2-6 duim AlN kan veroorzaken

malplaatjes in industriële productievermogen op grote schaal met capaciteit van 300.000 stukken in 2020 om explosief te ontmoeten

de marktvraag van uvc-GELEIDE, 5G-draadloze communicatie, UVdetectors en sensoren enz.

Wij voorzien momenteel klanten van gestandaardiseerde hoge 10x10mm/Φ10mm/Φ15mm/Φ20mm/Φ25.4mm/Φ30mm/Φ50.8mm - kwaliteitsstikstof
Kunnen de het substraatproducten van het aluminium enige kristal, en klanten van niet-polaire 1020mm ook voorzien
Het m-vlakke het enige kristalsubstraat van het aluminiumnitride, of past niet genormaliseerde 5mm50.8mm aan klanten aan
Opgepoetst het enige kristalsubstraat van het aluminiumnitride. Dit product wordt wijd gebruikt als high-end substraatmateriaal
Gebruikt in uvc-GELEIDE spaanders, UVdetectors, UVlasers, en diverse hoge macht
/High-temperatuur/hoge frequentie elektronisch apparatengebied.

Kenmerkende Specificatie

Model UTI-AlN-10x10B-enig kristal
Diameter 10x10±0.5mm; of dia10mm, dia25.4mm, of dia30mm, of dia45mm;

Substraatdikte (µm) 400 ± 50
Richtlijn C-as [0001] +/- 0.5°

Kwaliteitsrang (Super) s-rang P-rang (productie) R-rang (Onderzoek)

Barsten Niets Niets <3mm>

FWHM-2θXRD@ (0002)<150><300> 0
FWHM-HRXRD@ (10-12)<100><200> 0
Oppervlakteruwheid [5×5µm] (NM) Al-gezicht CMP<0>

Bruikbaar gebied 90%
Absorbering<50>

eerste VAN lengterichtlijn {10-10} ±5°;
TTV (µm) ≤30
Boog (µm) ≤30
Afwijking (µm) -30~30
Nota: Deze karakteriseringsresultaten kunnen lichtjes afhankelijk van het aangewende materiaal en/of de software variëren

BAW-Apparaten Dia 50.8mm het Wafeltje van het het Aluminiumnitride van 1 Duimaln 1

BAW-Apparaten Dia 50.8mm het Wafeltje van het het Aluminiumnitride van 1 Duimaln 2

BAW-Apparaten Dia 50.8mm het Wafeltje van het het Aluminiumnitride van 1 Duimaln 3

BAW-Apparaten Dia 50.8mm het Wafeltje van het het Aluminiumnitride van 1 Duimaln 4

onzuiverheidselement C O Fe van Ti van Si B Na W.P.S

PPMW 27 90 5,4 0,92 0,23 <0>

Kristalstructuur	Wurtzite
Roosterconstante (Å)	a=3.112, c=4.982
Het type van geleidingsband	Directe bandgap
Dichtheid (g/cm3)	3.23
Oppervlaktemicrohardness (Knoop-test)	800
Smeltpunt (℃)	2750 (bar 10-100 in N2)
Warmtegeleidingsvermogen (W/m·K)	320
De energie van het bandhiaat (eV)	6.28
Elektronenmobiliteit (V·s/cm2)	1100
Elektrisch analyseveld (MV/cm)	11.7

BAW-Apparaten Dia 50.8mm het Wafeltje van het het Aluminiumnitride van 1 Duimaln 5

Tags:

saffiersubstraat

Saffier Optische Vensters

Het Wafeltje van het siliciumcarbide

Sapphire Tube

Het Wafeltje van het galliumnitride

Halfgeleidersubstraat

Synthetisch Gem Stone

Keramische onderdelen

wetenschappelijk laboratoriummateriaal

De Horlogekast van het saffierkristal

De Doos van de wafeltjedrager

Supergeleidend Dun Monocrystalline Substraat