Merknaam:	ZMKJ
Modelnummer:	2inch-alN-Saffier
MOQ:	5pcs
Prijs:	by case
Verpakking:	enige wafeltjecontainer in het schoonmaken van ruimte
Betalingsvoorwaarden:	T/T, Western Union, Paypal

Gedetailleerde informatie

Productbeschrijving

Gedetailleerde informatie

Plaats van herkomst:

China

SUBSTRAAT:

saffierwafeltje

Laag:

AlNmalplaatje

Laagdikte:

1-5um

Geleidingsvermogentype:

N/P

Richtlijn:

0001

Toepassing:

hoge macht/hoge frequentie elektronische apparaten

Toepassing 2:

de Apparaten van 5G saw/BAW

siliciumdikte:

525um/625um/725um

Levering vermogen:

50PCS/Month

Markeren:

Saffier gebaseerde AlN-malplaatjes

6 het wafeltje van de duimsaffier

6 de malplaatjes van duimaln

Productbeschrijving

film van de malplaatjesaln van 2inch 4iinch 6Inch de Saffier gebaseerde AlN op van het de saffiervenster van het saffiersubstraat de saffierwafeltje

Toepassingen van AlNmalplaatje

De op silicium-gebaseerde halfgeleidertechnologie heeft zijn grenzen bereikt en niet aan de vereisten van toekomst kunnen voldoen

elektronische apparaten. Als een typisch soort het materiaal van de 3rd/4th-generatiehalfgeleider, heeft het aluminiumnitride (AlN)

superieure fysieke en chemische eigenschappen zoals brede bandgap, hoog warmtegeleidingsvermogen, hoge ingediende analyse,

de de hoge elektronische mobiliteit en corrosie/stralingsweerstand, en zijn een perfect substraat voor optoelectronic apparaten,

radiofrequentie (rf) apparaten, high-power/met hoge frekwentie elektronische apparaten etc… In het bijzonder, AlN-is het substraat

beste kandidaat voor uv-GELEIDE, UVdetectors, UVlasers, high-power/met hoge frekwentie rf apparaten en 5G SAW/BAW van 5G

apparaten, die wijd in milieubescherming, elektronika, draadloze communicaties, druk konden worden gebruikt,

biologie, gezondheidszorg, militaire en andere gebieden, zoals UVreiniging/sterilisatie, het UV genezen, photocatalysis, coun?

terfeit opsporing, high-density opslag, medische phototherapy, drugontdekking, draadloze en veilige mededeling,

ruimtevaart/diep-ruimteopsporing en andere gebieden.

wij hebben series van merkgebonden processen en technologieën om ontwikkeld te vervaardigen

AlN-malplaatjes de van uitstekende kwaliteit. Momenteel, Onze is OEM wereldwijd het enige bedrijf wie 2-6 duim AlN kan veroorzaken

malplaatjes in industriële productievermogen op grote schaal met capaciteit van 300.000 stukken in 2020 om explosief te ontmoeten

de marktvraag van uvc-GELEIDE, 5G-draadloze communicatie, UVdetectors en sensoren enz.

Onze OEM heeft series van merkgebonden technologieën en de de de-staat-van-reactoren en faciliteiten van de kunstpvt groei aan ontwikkeld

vervaardig verschillende grootte van de enige kristallijne AlN-wafeltjes van uitstekende kwaliteit, AlN temlpates. Wij zijn één van weinigen wereld-leidt

high-tech bedrijven wie volledige AlN-vervaardigingscapa bezitten? bilities om AlN van uitstekende kwaliteit boules en wafeltjes te produceren, en te verstrekken

profes? de sionaldiensten en kant en klare oplossingen voor onze die klanten, van het van de groeireactor en hotzone ontwerp worden geschikt,

modellering en simulatie, procesontwerp en optimalisering, de kristalgroei,

wafering en materiële characteriza? tion. Tot April 2019, hebben zij meer dan 27 octrooien toegepast (met inbegrip van PCT).

Specificatie

De aracteristic 6 de Malplaatjeswafeltje van duimsapphire based AlN voor van de de Apparatensaffier van 5G BAW het venster van de het wafeltjesaffier 0

Specificatie van CH

Andere relaterd4inch GaN Template Specificatie

	GaN/Al ₂ O ₃ Substraten (4“) 4inch
Punt	Un-doped	N-type	Hoog-gesmeerd N-type
Grootte (mm)	Φ100.0±0.5 (4“)
Substraatstructuur	GaN op Saffier (0001)
SurfaceFinished	(Norm: SSP Optie: DSP)
Dikte (μm)	4.5±0.5; 20±2; Aangepast
Geleidingstype	Un-doped	N-type	Hoog-gesmeerd n-Type
Weerstandsvermogen (Ω·cm) (300K)	≤0.5	≤0.05	≤0.01
GaN Thickness Uniformity	≤±10% (4“)
Dislocatiedichtheid (cm2)	≤5×108
Bruikbare Oppervlakte	>90%
Pakket	Verpakt in een klasse 100 schoon ruimtemilieu.

6 de Malplaatjeswafeltje van duimsapphire based AlN voor van de de Apparatensaffier van 5G BAW het venster van de het wafeltjesaffier 1

6 de Malplaatjeswafeltje van duimsapphire based AlN voor van de de Apparatensaffier van 5G BAW het venster van de het wafeltjesaffier 2

Kristalstructuur	Wurtzite
Roosterconstante (Å)	a=3.112, c=4.982
Het type van geleidingsband	Directe bandgap
Dichtheid (g/cm3)	3.23
Oppervlaktemicrohardness (Knoop-test)	800
Smeltpunt (℃)	2750 (bar 10-100 in N2)
Warmtegeleidingsvermogen (W/m·K)	320
De energie van het bandhiaat (eV)	6.28
Elektronenmobiliteit (V·s/cm2)	1100
Elektrisch analyseveld (MV/cm)	11.7

6 de Malplaatjeswafeltje van duimsapphire based AlN voor van de de Apparatensaffier van 5G BAW het venster van de het wafeltjesaffier 4

Tags: