 |
6 de Malplaatjeswafeltje van duimsapphire based AlN voor van de de Apparatensaffier van 5G BAW het venster van de het wafeltjesaffier
Productdetails:
| Plaats van herkomst: | China |
| Merknaam: | ZMKJ |
| Modelnummer: | 2inch-alN-Saffier |
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
| Min. bestelaantal: | 5pcs |
|---|---|
| Prijs: | by case |
| Verpakking Details: | enige wafeltjecontainer in het schoonmaken van ruimte |
| Levertijd: | in 30days |
| Betalingscondities: | T/T, Western Union, Paypal |
| Levering vermogen: | 50PCS/Month |
|
Gedetailleerde informatie |
|||
| SUBSTRAAT: | saffierwafeltje | Laag: | AlNmalplaatje |
|---|---|---|---|
| Laagdikte: | 1-5um | Geleidingsvermogentype: | N/P |
| Richtlijn: | 0001 | Toepassing: | hoge macht/hoge frequentie elektronische apparaten |
| Toepassing 2: | de Apparaten van 5G saw/BAW | siliciumdikte: | 525um/625um/725um |
| Markeren: | Saffier gebaseerde AlN-malplaatjes,6 het wafeltje van de duimsaffier,6 de malplaatjes van duimaln |
||
Productomschrijving
film van de malplaatjesaln van 2inch 4iinch 6Inch de Saffier gebaseerde AlN op van het de saffiervenster van het saffiersubstraat de saffierwafeltje
Toepassingen van AlNmalplaatje
De op silicium-gebaseerde halfgeleidertechnologie heeft zijn grenzen bereikt en niet aan de vereisten van toekomst kunnen voldoen
elektronische apparaten. Als een typisch soort het materiaal van de 3rd/4th-generatiehalfgeleider, heeft het aluminiumnitride (AlN)
superieure fysieke en chemische eigenschappen zoals brede bandgap, hoog warmtegeleidingsvermogen, hoge ingediende analyse,
de de hoge elektronische mobiliteit en corrosie/stralingsweerstand, en zijn een perfect substraat voor optoelectronic apparaten,
radiofrequentie (rf) apparaten, high-power/met hoge frekwentie elektronische apparaten etc… In het bijzonder, AlN-is het substraat
beste kandidaat voor uv-GELEIDE, UVdetectors, UVlasers, high-power/met hoge frekwentie rf apparaten en 5G SAW/BAW van 5G
apparaten, die wijd in milieubescherming, elektronika, draadloze communicaties, druk konden worden gebruikt,
biologie, gezondheidszorg, militaire en andere gebieden, zoals UVreiniging/sterilisatie, het UV genezen, photocatalysis, coun?
terfeit opsporing, high-density opslag, medische phototherapy, drugontdekking, draadloze en veilige mededeling,
ruimtevaart/diep-ruimteopsporing en andere gebieden.
wij hebben series van merkgebonden processen en technologieën om ontwikkeld te vervaardigen
AlN-malplaatjes de van uitstekende kwaliteit. Momenteel, Onze is OEM wereldwijd het enige bedrijf wie 2-6 duim AlN kan veroorzaken
malplaatjes in industriële productievermogen op grote schaal met capaciteit van 300.000 stukken in 2020 om explosief te ontmoeten
de marktvraag van uvc-GELEIDE, 5G-draadloze communicatie, UVdetectors en sensoren enz.
Onze OEM heeft series van merkgebonden technologieën en de de de-staat-van-reactoren en faciliteiten van de kunstpvt groei aan ontwikkeld
vervaardig verschillende grootte van de enige kristallijne AlN-wafeltjes van uitstekende kwaliteit, AlN temlpates. Wij zijn één van weinigen wereld-leidt
high-tech bedrijven wie volledige AlN-vervaardigingscapa bezitten? bilities om AlN van uitstekende kwaliteit boules en wafeltjes te produceren, en te verstrekken
profes? de sionaldiensten en kant en klare oplossingen voor onze die klanten, van het van de groeireactor en hotzone ontwerp worden geschikt,
modellering en simulatie, procesontwerp en optimalisering, de kristalgroei,
wafering en materiële characteriza? tion. Tot April 2019, hebben zij meer dan 27 octrooien toegepast (met inbegrip van PCT).
Specificatie
De aracteristic
Specificatie van CH
Specificatie van CH
Andere relaterd4inch GaN Template Specificatie
| GaN/Al ₂ O ₃ Substraten (4“) 4inch | |||
| Punt | Un-doped | N-type |
Hoog-gesmeerd N-type |
| Grootte (mm) | Φ100.0±0.5 (4“) | ||
| Substraatstructuur | GaN op Saffier (0001) | ||
| SurfaceFinished | (Norm: SSP Optie: DSP) | ||
| Dikte (μm) | 4.5±0.5; 20±2; Aangepast | ||
| Geleidingstype | Un-doped | N-type | Hoog-gesmeerd n-Type |
| Weerstandsvermogen (Ω·cm) (300K) | ≤0.5 | ≤0.05 | ≤0.01 |
| GaN Thickness Uniformity |
≤±10% (4“) | ||
| Dislocatiedichtheid (cm2) |
≤5×108 | ||
| Bruikbare Oppervlakte | >90% | ||
| Pakket | Verpakt in een klasse 100 schoon ruimtemilieu. | ||
| Kristalstructuur |
Wurtzite |
| Roosterconstante (Å) | a=3.112, c=4.982 |
| Het type van geleidingsband | Directe bandgap |
| Dichtheid (g/cm3) | 3.23 |
| Oppervlaktemicrohardness (Knoop-test) | 800 |
| Smeltpunt (℃) | 2750 (bar 10-100 in N2) |
| Warmtegeleidingsvermogen (W/m·K) | 320 |
| De energie van het bandhiaat (eV) | 6.28 |
| Elektronenmobiliteit (V·s/cm2) | 1100 |
| Elektrisch analyseveld (MV/cm) | 11.7 |
Wilt u meer details over dit product weten