• Proefonderzoek het Carbidewafeltje van het 2 Duim 6H-semi Silicium
  • Proefonderzoek het Carbidewafeltje van het 2 Duim 6H-semi Silicium
  • Proefonderzoek het Carbidewafeltje van het 2 Duim 6H-semi Silicium
  • Proefonderzoek het Carbidewafeltje van het 2 Duim 6H-semi Silicium
Proefonderzoek het Carbidewafeltje van het 2 Duim 6H-semi Silicium

Proefonderzoek het Carbidewafeltje van het 2 Duim 6H-semi Silicium

Productdetails:

Plaats van herkomst: CHINA
Merknaam: ZMKJ
Modelnummer: 6H-semi

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal: 5pcs
Prijs: by case
Verpakking Details: het enige wafeltjepakket in 100 sorteert schoonmakende ruimte
Levertijd: 1-6weeks
Betalingscondities: T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 1-50pcs/month
Beste prijs Contact

Gedetailleerde informatie

Materiaal: Sic enig kristal 6H-semi type Rang: Proef
Thicnkss: 0.33mmt Suraface: opgepoetste SSP
Toepassing: infrarood optisch onderzoek Diameter: 2 duim
Kleur: Groen Weerstandsvermogen: >1E5 Ω.cm
Hoog licht:

6H-semi het Wafeltje van het Siliciumcarbide

,

Proef het Carbidewafeltje van het Onderzoeksilicium

,

2 het Carbidewafeltje van het duimsilicium

Productomschrijving

 

Van het het Siliciumcarbide van 2INCH de 6H-semi rang van het het Wafeltje330um proefonderzoek sic
Customziedsize/10x10x0.5mmt/2inch/3inch/4inch/6inch 6h-n/4h-SEMI SIC baren 4h-n/Hoge zuiverheids 4h-n 4inch 6inch dia 150mm van het enige kristal (sic) substraten wafersS/van het silicium gesneden sic wafeltjes carbide Customzied

Het Kristal ongeveer van het Siliciumcarbide (sic)

 

Het siliciumcarbide (sic), ook gekend als carborundum, is een halfgeleider sic bevattend silicium en koolstof met chemische formule. Sic wordt gebruikt in de apparaten van de halfgeleiderelektronika die bij hoge temperaturen of hoge voltages werken, of both.SiC is ook één van de belangrijke LEIDENE componenten, is het een populair substraat voor het kweken van GaN-apparaten, en het dient ook als hitteverspreider in high-power LEDs.

1. Beschrijving
 
Bezit 4H-sic, Enig Kristal 6H-sic, Enig Kristal
Roosterparameters a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Het stapelen van Opeenvolging ABCB ABCACB
Mohshardheid ≈9.2 ≈9.2
Dichtheid 3.21 g/cm3  

4 het duim n-gesmeerde 4H-Wafeltje van het Siliciumcarbide sic

Van het het Siliciumcarbide van de hoge zuiverheids4inch het Substraatspecificatie diameter (sic)
 

 
2inch van het het Carbide (sic) Substraat van het diameter de Specificatie Silicium  
Rang Nul MPD-Rang Productierang Onderzoekrang Proefrang  
 
Diameter 50.8 mm±0.2mm  
 
Dikte 330 μm±25μm  
 
Wafeltjerichtlijn Van as: 4.0° naar <1120> ±0.5° voor 4h-n/4h-Si op as: <0001> ±0.5° voor 6h-n/6h-si/4h-n/4h-Si  
 
Micropipedichtheid ≤2 cm2 ≤5 cm2 ≤15 cm2 ≤100 cm2  
 
Weerstandsvermogen 4h-n 0.015~0.028 Ω•cm  
 
6h-n 0.02~0.1 Ω•cm  
 
4/6h-Si ≥1E5 Ω·cm  
 
Primaire Vlakte {10-10} ±5.0°  
 
Primaire Vlakke Lengte 18.5 mm±2.0 mm  
 
Secundaire Vlakke Lengte 10.0mm±2.0 mm  
 
Secundaire Vlakke Richtlijn Siliciumgezicht - omhoog: 90° CW. van Eerste vlakke ±5.0°  
 
Randuitsluiting 1 mm  
 
TTV/Bow /Warp ≤10μm/≤10μm/≤15μm  
 
Ruwheid Poolse Ra≤1 NM  
 
CMP Ra≤0.5 NM  
 
Barsten door hoge intensiteitslicht Niets 1 toegestaan, ≤2 mm Cumulatieve lengte ≤ 10mm, enige length≤2mm  
 
 
Hexuitdraaiplaten door hoge intensiteitslicht Cumulatief gebied ≤1% Cumulatief gebied ≤1% Cumulatief gebied ≤3%  
 
Polytypegebieden door hoge intensiteitslicht Niets Cumulatief gebied ≤2% Cumulatief gebied ≤5%  
 
 
Krassen door hoge intensiteitslicht 3 krassen aan 1×wafer-diameter cumulatieve lengte 5 krassen aan 1×wafer-diameter cumulatieve lengte 5 krassen aan 1×wafer-diameter cumulatieve lengte  
 
 
randspaander Niets 3 toegestaan, ≤0.5 mm elk 5 toegestaan, ≤1 mm elk  

 

 

6h-n
  

Proefonderzoek het Carbidewafeltje van het 2 Duim 6H-semi Silicium 1Proefonderzoek het Carbidewafeltje van het 2 Duim 6H-semi Silicium 2
 
6H-semi
 
 Proefonderzoek het Carbidewafeltje van het 2 Duim 6H-semi Silicium 3
Proefonderzoek het Carbidewafeltje van het 2 Duim 6H-semi Silicium 4
 
CATALOGUS   GEMEENSCHAPPELIJKE GROOTTE
    
 

 

4 H-N Type/Hoge Zuiverheids sic wafeltje/baren
2 duim4h n-Type sic wafeltje/baren
3 duim4h n-Type sic wafeltje
4 duim4h n-Type sic wafeltje/baren
6 duim4h n-Type sic wafeltje/baren

 
4H Semi-insulating/Hoge Zuiverheids sic wafeltje

2 duim4h Semi-insulating sic wafeltje
3 duim4h Semi-insulating sic wafeltje
4 duim4h Semi-insulating sic wafeltje
6 duim4h Semi-insulating sic wafeltje
 
 
6H-n-Type sic wafeltje
2 duim6h n-Type sic wafeltje/baar
 
Customziedgrootte voor 2-6inch
 
 

 

FAQ

1. Bent u handelsmaatschappij of fabrikant?
A: Wij zijn handelsbedrijf maar wij hebben eigen fabriek die nadruk op saffier en sic wafeltjes is.

 
2. Waar bent u? Kan ik u bezoeken?
A: Zeker, welkom aan u bezoek op elk ogenblik onze fabriek.
 
3.How over de levertijd?
A: Within3-8 dagen nadat wij u vereiste bevestigen.
 
4.what het soort betaling doet uw bedrijfsteun?
A: T/T, 100% L/C bij gezicht, Contant geld, Western Union allen worden goedgekeurd als u andere betaling, alstublieft hebt ons contacteren.

 

Wilt u meer details over dit product weten
Ik ben geïnteresseerd Proefonderzoek het Carbidewafeltje van het 2 Duim 6H-semi Silicium kun je me meer details sturen zoals type, maat, hoeveelheid, materiaal, etc.
Bedankt!
Wachten op je antwoord.