Productomschrijving

Abstract

 
De 4-HSemi-isolatieve SiCSubstraat is een hoogwaardig halfgeleidermateriaal met een breed scala aan toepassingen.Dit substraat vertoont uitzonderlijke elektrische eigenschappen, met een hoge weerstand en een lage dragerconcentratie, waardoor het een ideale keuze is voor radiofrequentie (RF), microgolven en krachtelektronica.
 
Belangrijkste kenmerken van de 4-HSemi-isolatieve SiCHet substraat heeft zeer uniforme elektrische eigenschappen, een lage verontreinigingsconcentratie en een uitstekende thermische stabiliteit.Deze eigenschappen maken het geschikt voor de fabricage van hoogfrequente RF-energieapparaten, hoge temperatuur elektronische sensoren, en microgolf elektronische apparatuur.De hoge afbraakveldsterkte en de uitstekende warmtegeleidbaarheid positioneren het ook als het voorkeurssubstraat voor apparaten met een hoog vermogen.
 
Bovendien is de 4-HSemi-isolatieve SiChet substraat toont uitstekende chemische stabiliteit, waardoor het in corrosieve omgevingen kan werken en het toepassingsgebied kan uitbreiden.Het speelt een cruciale rol in industrieën zoals de vervaardiging van halfgeleiders., telecommunicatie, defensie, en hoogenergetische natuurkunde experimenten.
 
Kortom, de 4-HSemi-isolatieve SiCeen substraat met uitstekende elektrische en thermische eigenschappen,is veelbelovend op het gebied van halfgeleiders en biedt een betrouwbare basis voor de productie van hoogwaardige elektronische apparaten.
 

Eigenschappen

Elektronische apparaten met een hoog vermogen:Semi-isolatieve SiCis ideaal voor krachtige en hoogfrequente elektronische apparaten vanwege de hoge breukspanning en hoge thermische geleidbaarheid.
 
RF-apparaten: vanwege de hoge thermische geleidbaarheid en het lage verlies,Semi-isolatieve SiCwordt gebruikt in RF-apparaten zoals microwaveversterkers en RF-transistors.
 
Opto-elektronische apparaten:Semi-isolatieve SiCHet heeft ook uitstekende opto-elektronica eigenschappen, waardoor het geschikt is voor de productie van LED's, lasers en fotodetectoren.
 
Elektronische apparaten in hoge temperatuuromgevingen: het hoge smeltpunt en de uitstekende chemische stabiliteit van het materiaalSemi-isolatieve SiCwordt veel gebruikt in elektronische apparaten die werken in omgevingen met hoge temperaturen, zoals in de lucht- en ruimtevaart, de automobielindustrie en de industriële procesbesturing.
 
Stralingsbestendige apparaten:Semi-isolatieve SiCis zeer bestand tegen straling, waardoor het geschikt is voor stralingsbestendige elektronische apparaten in kernreactoren en ruimteapplicaties.
 
Sensoren: de unieke eigenschappen vanSemi-isolatieve SiCHet materiaal maakt het geschikt voor de vervaardiging van verschillende soorten sensoren, zoals temperatuursensoren, druksensoren en chemische sensoren.
 

Kenmerken:

Hoge weerstand:Semi-isolatieve SiCheeft een zeer hoge weerstand, wat betekent dat het de stroom van elektrische stroom effectief kan belemmeren, waardoor het geschikt is voor gebruik als isolatielaag in elektronische apparaten met een hoog vermogen
 
Hoge warmtegeleidbaarheid:SiCHet materiaal heeft een zeer hoge warmtegeleidbaarheid, waardoor warmte snel en efficiënt van apparaten wordt afgevoerd, waardoor de prestaties en betrouwbaarheid van apparaten worden verbeterd.
 
Hoge breukspanning:Semi-isolatieve SiCheeft een zeer hoge breukspanning, wat betekent dat het in hoogspanningstoepassingen kan werken zonder elektrische storing.
 
Uitstekende chemische stabiliteit:SiCblijft chemisch stabiel in een breed temperatuurbereik en is zeer bestand tegen de meeste zuren en basen.
 
Hoog smeltpunt:SiCheeft een uitzonderlijk hoog smeltpunt, ongeveer 2.730°C (4.946°F), waardoor het stabiel kan blijven in extreme omgevingen met hoge temperaturen.
 
Stralingsverdraagzaamheid: halfeisolerendSiCHet heeft een hoge tolerantie voor straling, waardoor het uitstekend presteert in kernreactoren en ruimteapplicaties.
 
Uitstekende mechanische eigenschappen:SiCis een zeer hard materiaal, met uitstekende slijtvastheid en hoge sterkte.
 
Breedbandgap halfgeleider:SiCis een brede bandgap halfgeleider, met een hoge elektronenmobiliteit en een lage lekstroom, wat resulteert in uitstekende prestaties in elektronische apparaten met hoge temperatuur en hoge frequentie.
 

Verpakking en verzending:

Silicon Carbide (SiC) wafers zijn dunne plakjes halfgeleidermateriaal dat voornamelijk wordt gebruikt voor krachtelektronica.het is belangrijk om de juiste verpakkings- en verzendinstructies te volgen.

Verpakking

• Wafers moeten in een ESD-veilige verpakking worden verzonden.
• Elke wafer moet in een ESD-veilig materiaal worden gewikkeld, zoals ESD-schuim of bubbelverpakking.
• De verpakking moet worden verzegeld met ESD-veilige tape.
• De verpakking moet worden gelabeld met het ESD-veilig symbool en de sticker "Fragile".