Hoge weerstand 8 inch 200mm Silicon Carbide Wafer Productie Klasse 4H-N

Productbeschrijving:

Als toonaangevende fabrikant en leverancier van SiC (Siliciumcarbide) substraatplaatjes biedt ZMSH de beste prijs op de markt voor 2 inch en 3 inch Research grade Silicon Carbide substraatplaatjes.SiC-substraten-wafers worden veel gebruikt in elektronische apparaten met een hoog vermogen en een hoge frequentie.De lichtdiode (LED) is een van de vele elektronische apparaten die de voordelen van SiC-substraatwafels benutten.LED is een soort halfgeleider dat elektronen en gaten combineert om een energiezuinige koude lichtbron te vormen.waardoor ze een aantrekkelijke keuze zijn voor industriële toepassingenDaarom, met de beste prijs en het gebruik vanWafers met SiC-substraatIn verschillende elektronische apparaten is ZMSH de verdere keuze voor de fabrikanten die siliconcarbide-substraten willen kopen.

Kenmerken:

Siliciumcarbide (SiC) enkelkristalheeft uitstekende warmtegeleidendheids eigenschappen, een hoge verzadigings-elektronenmobiliteit en een hoge spanningsafbraakweerstand.en stralingsbestendige elektronische apparaten.

SiC-singelkristal heeft vele uitstekende eigenschappen, waaronder een hoge thermische geleidbaarheid, een hoge verzadigde elektronenmobiliteit en een sterke anti-spanningsverbreking.SiC enkelkristal is geschikt voor de bereiding van hoogfrequente, elektrische apparaten met een hoog vermogen, hoge temperatuur en stralingsbestandheid.

 

Technische parameters:

Productnaam:Siliciumcarbide substraat, siliconcarbide wafer, SiC wafer, SiC substraat.

Groeimethode: MOCVD.

Kristalstructuur: 6H en 4H.

Grietparameters: 6H (a=3,073 Å, c=15,117 Å); 4H (a=3,076 Å, c=10,053 Å).

Stapelvolgorde: 6H (ABCACB), 4H (ABCB).

Grade: Productie Grade, Onderzoek Grade, Dummy Grade.

Leidingbaarheid: N-type of semi-isolatieve.

Band-gap: 3,23 eV.

Hardheid: 9,2 mohs.

Thermische geleidbaarheid @300K: 3,2 ~ 4,9 W/cm.K.

Dielectrische constanten: e(11) = e(22) = 9.66, e(33) = 10.33.

Resistiviteit: 4H-SiC-N (0,015~0,028 Ω·cm); 6H-SiC-N (0,02~0,1 Ω·cm); 4H/6H-SiC-SI (>1E7 Ω·cm).

Verpakking: schoon zak van klasse 100, in schoon kamer van klasse 1000.

 

Toepassingen:

met een vermogen van niet meer dan 10 Wmet inbegrip van4H-N type SiCSubstraat en halfisolatieSiC-substraat, is een uitstekende keuze voor degenen in de automotive elektronica, opto-elektronica apparaten, en industriële toepassingsmarkten.Dit sterke en veerkrachtige materiaal is de ideale keuze voor gebruik in industriële situaties waar stabiliteit en duurzaamheid een must zijn en het is een favoriet onder veel gebruikers geworden.

De eigenschappen van SiC-wafers, met inbegrip van de uitstekende halfgeleider eigenschappen en superieure temperatuurweerstand, maken het een ideale keuze voor automobielelektronica.De hoge temperatuurweerstand maakt het ook ideaal voor gebruik in sommige opto-elektronische apparaten die buitengewone prestaties vereisen onder verschillende temperatuuromgevingenTen slotte maakt zijn superieure elektrische en thermische geleidbaarheid het ideaal voor industriële toepassingen in plaatsen zoals chemische fabrieken, energiecentrales, enz.

De superieure eigenschappen vanSiC-waferHet is een uitstekende optie voor automobielelektronica, opto-elektronica en zelfs industriële toepassingen.Als u op zoek bent naar een superieur materiaal met superieure eigenschappen, dan is de Silicon Carbide Wafer de ideale keuze voor jou.

 

Ondersteuning en diensten:

Siliciumcarbide-wafersWij bieden een verscheidenheid aan technische ondersteuning en diensten om ervoor te zorgen dat onze klanten het meeste uit hun product halen.

• Technische bijstand en probleemoplossing
• Reparatie en onderhoud
• Productonderzoek en kalibratie
• Op maat gemaakte oplossingen
• Software- en firmware-updates
• Opleiding en certificering

Verpakking en verzending:

met een gewicht van niet meer dan 10 kgworden doorgaans verpakt in een afgesloten, vochtdichte verpakking om hen te beschermen tegen milieuomstandigheden tijdens het vervoer.Ze worden meestal verzonden in een doos of envelop met schuim of bubbelwrap om ervoor te zorgen dat de wafers veilig en veilig zijn tijdens het vervoerHet pakket moet ook duidelijk gemarkeerd zijn met de naam, het adres en andere belangrijke informatie van de klant.

 

Vragen:

V: Wat is Silicon Carbide Wafer?

A: Siliconcarbide-wafers zijn een soort halfgeleidermateriaal gemaakt van siliciumcarbide, dat een uitstekende hittebestendigheid en thermische geleidbaarheid heeft in vergelijking met andere materialen.

V: Wat is de merknaam van Silicon Carbide Wafer?

A: De merknaam van Silicon Carbide Wafer is ZMSH.

V: Wat is het modelnummer van Silicon Carbide Wafer?

A: Het modelnummer van Silicon Carbide Wafer is Silicon Carbide.

V: Waar wordt Silicon Carbide Wafer geproduceerd?

A: Silicon Carbide Wafer wordt geproduceerd in China.

V: Wat is de minimale orderhoeveelheid voor Silicon Carbide Wafer?

A: De minimale bestelhoeveelheid voor Silicon Carbide Wafer is 5.

V: Hoe lang duurt het om Silicon Carbide Wafer te leveren?

A: Het duurt 2 weken om Silicon Carbide Wafer te leveren.

V: Wat zijn de betalingsvoorwaarden voor Silicon Carbide Wafer?

A: De betalingsvoorwaarden voor Silicon Carbide Wafer zijn 100% T/T.

V: Wat is de leveringscapaciteit voor Silicon Carbide Wafer?

A: De leveringscapaciteit voor Silicon Carbide Wafer is 100.000.