• Van het a-as het Wafeltje Galliumnitride HVPE Vrij Bevindend Chip Template 5x5/10x10/5x10 Mm
Van het a-as het Wafeltje Galliumnitride HVPE Vrij Bevindend Chip Template 5x5/10x10/5x10 Mm

Van het a-as het Wafeltje Galliumnitride HVPE Vrij Bevindend Chip Template 5x5/10x10/5x10 Mm

Productdetails:

Plaats van herkomst: CHINA
Merknaam: zmkj
Modelnummer: GaN-FS-M-N-S5*10-DSP

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal: 10pcs
Prijs: 1200~2500usd/pc
Verpakking Details: enig wafeltjegeval door vacuümverpakking
Levertijd: 1-5weeks
Betalingscondities: T/T
Levering vermogen: 50pcs per maand
Beste prijs Contact

Gedetailleerde informatie

Materiaal: GaN enig kristal grootte: 10x10/5x5/5x10 mmt
dikte: 0.35mm type: N-type
toepassing: halfgeleiderapparaat
Hoog licht:

Een het Nitridewafeltje van het Asgallium

,

5x5 het Wafeltje van het galliumnitride

,

Vrij Bevindend Chip Template GaN Wafer

Productomschrijving

de substratenmalplaatje van 2inch GaN, GaN-wafeltje voor het Geleide, semiconducting Wafeltje van het Galliumnitride voor LD, GaN-malplaatje, mocvd GaN Wafer, Free-standing GaN Substrates door Aangepaste grootte, het kleine wafeltje van groottegan voor leiden, mocvd wafeltje 10x10mm, 5x5mm, 10x5mm GaN wafeltje, Niet-polair Freestanding GaN Substrates van het Galliumnitride (a-vliegtuig en m-vliegtuig)

 

 

GaN Wafer Characteristic

Product Van het galliumnitride (GaN) de substraten
Productomschrijving:

Het malplaatje van Saphhiregan is voorgestelde Epitxial-de faseepitaxy van de hydridedamp (HVPE) methode. In het HVPE-proces,

het zuur door de reactie GaCl wordt geproduceerd, die op zijn beurt met ammoniak aan het nitridesmelting die van het opbrengsgallium wordt gereageerd. Epitaxial GaN-malplaatje is een rendabele manier om het enige kristalsubstraat van het galliumnitride te vervangen.

Technische parameters:
Grootte 2 „ronde; 50mm ± 2mm
Product het Plaatsen C-as <0001> ± 1,0.
Geleidingsvermogentype N-type & p-Type
Weerstandsvermogen R <0>
Oppervlaktebehandeling (GA-gezicht) ZOALS Gegroeid
RMS <1nm>
Beschikbare oppervlakte > 90%
Specificaties:

 

GaN epitaxial film (c-Vliegtuig), n-Type, 2 „* 30 microns, saffier;

GaN epitaxial film (c-Vliegtuig), n-Type, 2 „* 5 microns saffier;

GaN epitaxial film (r-Vliegtuig), n-Type, 2 „* 5 microns saffier;

GaN epitaxial film (M Plane), n-Type, 2 „* 5 microns saffier.

AL2O3 + GaN-film (n-Type gesmeerd Si); AL2O3 + GaN-film (p-Type gesmeerd Mg)

Nota: volgens speciale de stoprichtlijn en grootte van de klantenvraag.

Norm die verpakken: schone ruimte 1000, schone zak 100 of enige doos verpakking
 

Van het a-as het Wafeltje Galliumnitride HVPE Vrij Bevindend Chip Template 5x5/10x10/5x10 Mm 0

 

Toepassing

GaN kan op vele gebieden zoals LEIDENE vertoning, High-energy Opsporing en Weergave worden gebruikt,
De Vertoning van de laserprojectie, Machtsapparaat, enz.

  • De Vertoning van de laserprojectie, Machtsapparaat, enz.
  • Datumopslag
  • Energy-efficient verlichting
  • De volledige vertoning van kleurenfla
  • Laser Projecttions
  • Hoog rendement Elektronische apparaten
  • Microgolfapparaten met hoge frekwentie
  • High-energy Opsporing en veronderstelt
  • Nieuwe de waterstoftechnologie van energiesolor
  • Milieuopsporing en biologische geneeskunde
  • Lichtbron terahertz band


Van het a-as het Wafeltje Galliumnitride HVPE Vrij Bevindend Chip Template 5x5/10x10/5x10 Mm 1

Specificaties:

  Niet-polair Freestanding GaN Substrates (a-vliegtuig en m-vliegtuig)
Punt GaN-FS-a GaN-FS-m
Afmetingen 5.0mm×5.5mm
5.0mm×10.0mm
5.0mm×20.0mm
Aangepaste Grootte
Dikte 350 ± 25 µm
Richtlijn a-vliegtuig ± 1° m-vliegtuig ± 1°
TTV ≤15 µm
BOOG ≤20 µm
Geleidingstype N-type
Weerstandsvermogen (300K) < 0="">
Dislocatiedichtheid Minder dan 5x106-cm2
Bruikbare Oppervlakte > 90%
Het oppoetsen Front Surface: Ra < 0="">
Achteroppervlakte: Fijne grond
Pakket Verpakt in een klasse 100 schoon ruimtemilieu, in enige wafeltjecontainers, onder een stikstofatmosfeer.

Van het a-as het Wafeltje Galliumnitride HVPE Vrij Bevindend Chip Template 5x5/10x10/5x10 Mm 2

Van het a-as het Wafeltje Galliumnitride HVPE Vrij Bevindend Chip Template 5x5/10x10/5x10 Mm 3

FAQ

Q: Wat is uw minimumordevereiste?
A: MOQ: 10 stuk

Q: Hoe lang het zal nemen om mijn orde en levering het uit te voeren?
A: bevestig de orde 1days na het bevestigen van de betaling en de levering in 5days als op voorraden.

Q: Kunt u garantie van uw producten geven?
A: Wij beloven de kwaliteit, als de kwaliteit om het even welke problemen heeft, wij zullen produceren nieuw produceren of terugkeren u geld.

Q: Hoe te betalen?
A: T/T, Paypal, het Westenunie, bankoverdracht.

Q: HOE ongeveer de vracht?
A: wij kunnen u helpen voor de prijs betalen als u geen rekening hebt,

als de orde over 10000usd is, langs CIF kunnen wij levering.

Wilt u meer details over dit product weten
Ik ben geïnteresseerd Van het a-as het Wafeltje Galliumnitride HVPE Vrij Bevindend Chip Template 5x5/10x10/5x10 Mm kun je me meer details sturen zoals type, maat, hoeveelheid, materiaal, etc.
Bedankt!
Wachten op je antwoord.