 |
Dia 200mm AlGaN-Wafeltjen Type van Si Epi voor Micro- LEIDENE 6 Duim
Productdetails:
| Plaats van herkomst: | CHINA |
| Merknaam: | zmkj |
| Modelnummer: | Si HEMT-op-U Epiwafer van 8inch 6inch AlGaN/GaN |
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
| Min. bestelaantal: | 1pcs |
|---|---|
| Prijs: | 1200~2500usd/pc |
| Verpakking Details: | enig wafeltjegeval door vacuümverpakking |
| Levertijd: | 1-5weeks |
| Betalingscondities: | T/T |
| Levering vermogen: | 50PCS per maand |
|
Gedetailleerde informatie |
|||
| Materiaal: | GaN-laag op sI-substraat | Grootte: | 8 inch/6 inch |
|---|---|---|---|
| GaN-dikte: | 2-5UM | Type: | N-TYPE |
| Toepassing: | Halfgeleiderapparaat | ||
| Hoog licht: | Dia 200mm het Wafeltje van Si Epi,6 het Wafeltje van duimsi Epi,Arsenide van het AlGaNgallium Wafeltje |
||
Productomschrijving
8 inch 6 inch AlGaN/GaN HEMT-on-HR Si Epiwafer GaN-on-Si Epiwafer voor Micro-LED voor RF-toepassing
GaN-waferkenmerken
- III-nitride ((GaN,AlN,InN)
Galliumnitried is een soort breed-gap samengestelde halfgeleiders.
Het is gemaakt met de originele HVPE-methode en waferverwerkingstechnologie, die oorspronkelijk 10+ jaar in China is ontwikkeld.De kenmerken zijn hoogkristallijn.GaN-substraten worden voor veel soorten toepassingen gebruikt, voor witte LED en LD ((violet, blauw en groen).de ontwikkeling is gevorderd voor toepassingen op het gebied van elektrische apparaten met vermogen en hoge frequentie.
Voor het aanbrengen van energie
Productspecificatie
| Artikel 2 | Waarden/Reikwijdte |
| Substraat | - Jawel. |
| Waferdiameter | 4 ¢/ 6 ¢ / 8” |
| Dikte van de epilaag | 4-5μm |
| Waferboog | < 30μmTypisch |
| Oppervlakte morfologie | RMS < 0,5 nm in 5 × 5 μm² |
| Barrière | AlXGa.1-XN, 0 |
| Hoofdlaag | In situSiNof GaN (D-modus); p-GaN (E-modus) |
| 2DEG-dichtheid | > 9E12/cm2(20 nm Al0.25GaN) |
| Elektronenmobiliteit | > 1800 cm2/Vs(20 nm Al0.25GaN) |
Voor RF-toepassingen
Productspecificatie
| Artikel 2 | Waarden/Reikwijdte |
| Substraat | HR_Si/SiC |
| Waferdiameter | 4/6/ voorSiC, 4 ¢/ 6 ¢/ 8 ¢HR_Si |
| Epi-laagdikte | 2-3μm |
| Waferboog | < 30μmTypisch |
| Oppervlakte morfologie | RMS < 0,5 nm in 5 × 5 μm² |
| Barrière | AlGaNofAlNofInAlN |
| Hoofdlaag | In situSiNof GaN |
Voor LED-toepassingen
Over onze OEM-fabriek
Onze Factroy Enterprise Visie
We zullen met onze fabriek hoogwaardige GaN-substraat en toepassingstechnologie voor de industrie leveren.
Een hoogwaardig GaN-materiaal is de beperkende factor voor de toepassing van III-nitriden, bijvoorbeeld lange levensduur.
en hoogstabiele LD's, hoogvermogen en hoge betrouwbaarheid van microgolfapparaten,
en een efficiënte, energiebesparende LED.
- Vragen
V: Wat kunnen u leveren logistiek en kosten?
(1) Wij accepteren DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF, enz.
(2) Als u uw eigen expressnummer heeft, is dat geweldig.
Als dat niet het geval is, kunnen wij u helpen met de levering.
V: Wat is de levertijd?
(1) Voor de standaardproducten zoals 2 inch 0,33 mm wafers.
Voor voorraad: de levering is 5 werkdagen na bestelling.
Voor op maat gemaakte producten: de levering is 2 of 4 werkweek na bestelling.
V: Hoe moet ik betalen?
100% T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, veilige betaling en handelszekerheid.