• 4 het Malplaatje van duimsapphire gallium nitride wafer 5um AlN
  • 4 het Malplaatje van duimsapphire gallium nitride wafer 5um AlN
  • 4 het Malplaatje van duimsapphire gallium nitride wafer 5um AlN
4 het Malplaatje van duimsapphire gallium nitride wafer 5um AlN

4 het Malplaatje van duimsapphire gallium nitride wafer 5um AlN

Productdetails:

Plaats van herkomst: China
Merknaam: zmkj
Modelnummer: AlNmalplaatje

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal: 3pcs
Prijs: 150-250usd/pc
Verpakking Details: enig wafeltjegeval door vacuümverpakking
Levertijd: 1-3weeks
Betalingscondities: T/T
Levering vermogen: 50PCS per maand
Beste prijs Contact

Gedetailleerde informatie

Materiaal: al laag op saffiersubstraat Grootte: 2inch/4inch
GaNdikte: 1-5um Type: N-type
Toepassing: halfgeleiderapparaat Dikte: 430um substraten
Oppervlakte: SSP of DSP
Hoog licht:

Sapphire Aluminum Nitride Wafer

,

Arsenide van het AlNgallium Wafeltje

,

LEIDEN van het galliumnitride Wafeltje

Productomschrijving

de alN-op-Saffier van 2inch 4inch epi-Wafeltje 1-5um AlN malplaatje

gaN-op-Si Epiwafer van Si HEMT-op-U Epiwafer van 8inch 6inch AlGaN/GaN voor micro-Geleid voor rf-toepassing

 

 

 

GaN Wafer Characteristic

  1. Iii-nitride (GaN, AlN, Herberg)

Het galliumnitride is één soort breed-Gap samenstellingshalfgeleiders. Van het galliumnitride (GaN) het substraat is

een single-crystal substraat van uitstekende kwaliteit. Het wordt gemaakt met de originele HVPE-methode en technologie van de wafeltjeverwerking, die oorspronkelijk voor 10+years in China is ontwikkeld. De eigenschappen zijn hoge kristallijne, goede uniformiteit, en superieure oppervlaktekwaliteit. De GaNsubstraten worden gebruikt voor vele soorten toepassingen, voor witte leiden en LD (viooltje, het blauw en groen) Voorts is de ontwikkeling voor macht en hoge frequentie elektronische apparatentoepassingen gevorderd.

 

Verboden bandbreedte (het lichte uitzenden en absorptie) dekking het ultraviolet, het zichtbare licht en infrared.

Toepassing

GaN kan op vele gebieden zoals LEIDENE vertoning, High-energy Opsporing en Weergave worden gebruikt,
De Vertoning van de laserprojectie, Machtsapparaat, enz.

  • De Vertoning van de laserprojectie, Machtsapparaat, enz.       Datumopslag
  • Energy-efficient verlichting                                        De volledige vertoning van kleurenfla
  • Laser Projecttions                                                 Hoog rendement Elektronische apparaten
  • Microgolfapparaten met hoge frekwentie                   High-energy Opsporing en veronderstelt
  • Nieuwe de waterstoftechnologie van energiesolor               Milieuopsporing en biologische geneeskunde

 

Verwante epi-wafeltjes gan-op-Si

 

 

Voor Machtstoepassing

 

Productspecificatie

 
Punten Waarden/Werkingsgebied
Substraat Si
Wafeltjediameter 4“/6“/8“
Epi-layer dikte 4- 5 μm
Wafeltjeboog <30>Typisch μm,
De oppervlaktemorfologie RMS<0> ²
Barrière AlXGa 1-XN, 0
GLB-laag Zonde of GaN in situ (D-Wijze); p-GaN (e-Wijze)
2DEG dichtheid >9E12/cm2 (20nm-Al0,25GaN)
Elektronenmobiliteit >1800 cm2/Vs (20nm-Al0,25GaN)

 

Voor rf-Toepassing

 

Prodcutspecificatie

 
Punten Waarden/Werkingsgebied
Substraat HR_Si/sic
Wafeltjediameter 4 ' ‚/6‘ ‚voor sic, 4“/6“/8“ voor HR_Si
Epi-layer dikte 2-3 μm
Wafeltjeboog <30>Typisch μm,
De oppervlaktemorfologie RMS<0> ²
Barrière AlGaN of AlN of InAlN
GLB-laag Zonde of GaN in situ

 

Voor LEIDENE Toepassing

 

Punten GaN-op-Si GaN-op-saffier
4“/6“/8“ 2“/4“/6“
Epi-layer Dikte <4>μm <7>μm
Gemiddelde Dominante Piekgolflengte 400-420nm, 440-460nm, 510-530nm 270-280nm, 440-460nm, 510-530nm
FWHM

<20nm for="" Blue="">

<40nm for="" Green="">

<15nm for="" UVC="">

<25nm for="" Blue="">

<40nm for="" Green="">

Wafeltjeboog <50>μm <180>μm

 

 

ONGEVEER ONZE OEM Fabriek

4 het Malplaatje van duimsapphire gallium nitride wafer 5um AlN 0

 

Onze Factroy-Ondernemingsvisie
wij zullen hoogte - het substraat van kwaliteitsgan en toepassingstechnologie voor de industrie met onze fabriek verstrekken.
Hoog - de kwaliteit GaNmaterial is de beperkende factor voor de iii-Nitriden toepassing, b.v. met lange levensuur
en hoge stabiliteit LDs, hoge macht en de hoge apparaten van de betrouwbaarheidsmicrogolf, Hoge helderheid
en hoog rendement, energy-saving leiden.

- FAQ –
Q: Wat u kunt logistiek en kosten leveren?
(1) wij keuren DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF en enz. goed
(2) als u uw eigen uitdrukkelijk aantal hebt, is het groot.
Als niet, konden wij u bijstaan om te leveren. Freight=USD25.0 (het eerste gewicht) + USD12.0/kg

Q: Wat is de levertijd?
(1) voor de standaardproducten zoals het wafeltje van 2inch 0.33mm.
Voor inventaris: de levering is 5 werkdagen na orde.
Voor aangepaste producten: de levering is 2 of 4 werkweken na orde.

Q: Hoe te betalen?
100%T/T, Paypal, het Westenunie, MoneyGram, Veilige betaling en Handelsverzekering.

Q: Wat is MOQ?
(1) voor inventaris, is MOQ 5pcs.
(2) voor aangepaste producten, is MOQ 5pcs-10pcs.
Het hangt van hoeveelheid en technieken af.

Q: Hebt u inspectierapport voor materiaal?
Wij kunnen ROHS-rapport leveren en rapporten voor onze producten bereiken.

 

 

Wilt u meer details over dit product weten
Ik ben geïnteresseerd 4 het Malplaatje van duimsapphire gallium nitride wafer 5um AlN kun je me meer details sturen zoals type, maat, hoeveelheid, materiaal, etc.
Bedankt!
Wachten op je antwoord.