Kort: Ontdek de hoogwaardige 10 x 10 x 0,5 mm siliciumcarbidewafer 4H-N SiC-kristalchips, perfect voor halfgeleider- en opto-elektronische toepassingen. Deze optische SiC-vensters bieden uitzonderlijke thermische en elektrische eigenschappen, ideaal voor omgevingen met hoge temperaturen en hoge spanning. Aangepaste formaten beschikbaar voor uw specifieke behoeften.
Gerelateerde Productkenmerken:
Zeer zuivere 4H-N-type siliciumcarbide (SiC) kristalchips met uitstekende thermische geleidbaarheid.
Verkrijgbaar in aangepaste maten, waaronder 2 inch, 3 inch, 4 inch en 6 inch diameters.
Ideaal voor halfgeleiderelektronica die werkt bij hoge temperaturen of hoge spanningen.
Populair substraat voor het kweken van GaN-apparaten en warmteverspreider in krachtige LED's.
Mohs-hardheid van ≈9,2, wat duurzaamheid en slijtvastheid garandeert.
Thermische uitzettingscoëfficiënt van 4-5×10-6/K, geschikt voor stabiele prestaties onder thermische belasting.
Brekingsindex @750 nm: no = 2,61, ne = 2,66 voor nauwkeurige optische toepassingen.
Doorslag elektrisch veld van 3-5×106V/cm, perfect voor elektronische apparaten met hoog vermogen.
FAQ's:
Wat zijn de gebruikelijke maten die beschikbaar zijn voor de siliciumcarbidewafer?
De siliciumcarbidewafel is verkrijgbaar in de gangbare maten 2 inch, 3 inch, 4 inch en 6 inch diameters, met aanpassingsmogelijkheden voor specifieke vereisten.
Wat zijn de belangrijkste toepassingen van de 4H-N SiC-kristalchips?
De 4H-N SiC-kristalchips worden veel gebruikt in halfgeleiderelektronica, krachtige LED's en als substraten voor GaN-apparaten vanwege hun uitstekende thermische en elektrische eigenschappen.
Kan de siliciumcarbidewafel worden aangepast aan specifieke behoeften?
Ja, de siliciumcarbidewafer kan qua maat en type (4H-N, 6H-N of semi-isolerend) worden aangepast om aan de specifieke eisen van uw toepassing te voldoen.