Kort: Bekijk deze overzichtsvideo om te ontdekken waarom veel professionals aandacht besteden aan de High-Purity CVD/SSiC Silicon Carbide Tray voor de verwerking van halfgeleiderwafels. Leer meer over de uitzonderlijke mechanische sterkte, thermische stabiliteit en dimensionale precisie, ontworpen voor veeleisende industriële toepassingen.
Gerelateerde Productkenmerken:
Ontworpen met multi-zone ringvormige sleuven voor gewichtsvermindering en optimalisatie van de warmtestroom.
Beschikt over een versterkt radiaal ribbennetwerk voor verbeterde mechanische sterkte en rotatiestabiliteit.
Hoogprecisie bewerkte oppervlakte garandeert vlakheid en dikte-uniformiteit voor halfgeleidertoepassingen.
Gecentraliseerde montage-interface maakt veilige installatie op roterende assen en geautomatiseerde systemen mogelijk.
Structurele versterking aan de buitenring verbetert de trillingsbestendigheid en de stabiliteit bij perifere belasting.
Beschikbaar in meerdere hoogwaardige materialen, waaronder SSiC, RBSiC, aluminiumoxide keramiek en zeer sterke metalen.
Ideaal voor de productie van halfgeleiders, LED-productie, geavanceerde materiaalbewerking en precisie-machines.
Biedt thermische efficiëntie, structurele duurzaamheid, processtabiliteit en aanpasbaarheid voor diverse industriële behoeften.
FAQ's:
Wat is een SiC keramische tray?
Een SiC keramische tray is een precisiedrager gemaakt van hoogzuiver siliciumcarbide, ontworpen voor het ondersteunen, laden en transporteren van wafers of substraten tijdens de productie van halfgeleiders, LED's, optische componenten en vacuümprocessen. Het biedt uitzonderlijke thermische stabiliteit, mechanische sterkte en weerstand tegen vervorming in zware omstandigheden.
Wat zijn de voordelen van het gebruik van SiC-trays in vergelijking met trays van kwarts, grafiet of aluminium?
SiC-trays bieden superieure prestatievoordelen, waaronder bestandheid tegen hoge temperaturen tot 1600-1800°C, uitstekende thermische geleidbaarheid, uitstekende mechanische sterkte, lage thermische uitzetting, hoge corrosiebestendigheid en een langere levensduur onder continue productieomstandigheden met hoge belasting.
Voor welke toepassingen worden SiC keramische trays voornamelijk gebruikt?
SiC-trays worden veel gebruikt bij de handling van halfgeleiderwafels, LPCVD, PECVD, MOCVD thermische processen, annealing, diffusie, oxidatie en epitaxie processen, het laden van saffierwafels/optische substraten, hoogvacuüm- en hoge-temperatuuromgevingen en precisie CMP- of polijstfixtureplatforms.