Productoverzicht

EenSaffiraanstaanderis een precisietechnisch geconstrueerd onderdeel vervaardigd van hoogzuivere enkelkristallen saffier (Al2O3). Het is ontworpen voor het tillen, positioneren en overbrengen van wafers in semiconductorverwerkingsapparatuur.Saffirafters worden veel gebruikt bij CVD, PECVD, PVD, MOCVD, RTP, diffusie-, etserings- en epitaxy-systemen, waarbij hoge temperatuurbestendigheid, chemische stabiliteit en ultrazuivere prestaties essentieel zijn.

Dankzij de uitzonderlijke mechanische sterkte en slijtvastheid van saffier,Deze liftepenen helpen deeltjesgeneratie te minimaliseren en zorgen tegelijkertijd voor nauwkeurige bewerking van wafers in alle halfgeleiderproductieprocessen.

Belangrijkste kenmerken

Hoge zuiverheid enkelkristallijn saffier

Gemaakt van optisch hoogwaardige enkelkristallijnsaffier, met uitstekende zuiverheid, mechanische sterkte en langdurige betrouwbaarheid in veeleisende halfgeleideromgevingen.

Uitstekende weerstand tegen hoge temperaturen

Safir behoudt een uitstekende dimensionale stabiliteit en mechanische eigenschappen bij verhoogde temperaturen, waardoor het geschikt is voor installaties voor afzetting, glooien en thermische verwerking bij hoge temperaturen.

Uitstekende chemische en plasmaweerstand

Het materiaal vertoont een uitstekende weerstand tegen corrosieve procesgassen, plasmaomgevingen en agressieve chemicaliën, waardoor de levensduur van de onderdelen aanzienlijk wordt verlengd.

Ultralage deeltjesopwekking

Met een Mohs-hardheid van 9 en uitzonderlijke slijtvastheid verminderen saffier-hefspenen de door wrijving veroorzaakte deeltjesverontreiniging, waardoor de waferopbrengst en de procesconsistentie verbeteren.

Hoge precisiefabricage

Elke liftpin wordt met precisie bewerkt, gepolijst en geïnspecteerd om te voldoen aan de strenge normen van de halfgeleiderindustrie voor dimensie-nauwkeurigheid en oppervlakteafwerking.

Typische specificaties

Op aanvraag zijn aangepaste afmetingen en toleranties beschikbaar.

Toepassingen

Sapphire Lift Pins worden veel gebruikt in:

• apparatuur voor het verwerken van halfgeleiderwafers
• Chemische dampafzetting (CVD)
• Plasma-verbeterde CVD (PECVD)
• Fysieke dampafzetting (PVD)
• Metalen organische CVD (MOCVD)
• Rapide thermische verwerking (RTP)
• Difusieovens
• Plasma-etseringssystemen
• Epitaxy-apparatuur
• Vervaardiging van halfgeleiders van SiC en GaN
• Productie van LED-wafers

Voordelen van saffierhefspenen

• Uitstekende thermische stabiliteit bij verwerking bij hoge temperaturen
• Superieure hardheid en slijtvastheid (hardheid van Mohs 9)
• Uitstekende chemische en plasmacorrosiebestendigheid
• Ultralage deeltjesopwekking voor cleanroomtoepassingen
• Hoge elektrische isolatie
• Lange levensduur met minder onderhoud
• Uitstekende dimensionale stabiliteit voor nauwkeurige waferpositionering

Vaak gestelde vragen (FAQ)

1Wat is een saffier lift pin?

Een saffieren liftpin is een precisiecomponent gemaakt van eenkristallige saffieren (Al2O3) die gebruikt wordt om halfgeleiderwafels te tillen, te ondersteunen en te positioneren tijdens productieprocessen.Het wordt vaak geïnstalleerd in CVD, PVD, PECVD, MOCVD, RTP en etseringsapparatuur waar hoge temperatuur, chemische weerstand en lage deeltjesopwekking vereist zijn.

2Waarom wordt saffier gebruikt voor liftpinnen?

Safir biedt verschillende voordelen ten opzichte van conventionele keramische of metalen materialen, waaronder:

• Uitstekende stabiliteit bij hoge temperaturen
• Superieure slijtvastheid (hardheid van Mohs 9)
• Gebrekkige deeltjesopwekking
• Uitstekende chemische en plasmaweerstand
• Hoge elektrische isolatie
• Lange levensduur

Deze eigenschappen maken saffier tot een ideaal materiaal voor het nauwkeurig hanteren van wafers.

3Welke halfgeleiderapparatuur gebruikt saffieren liftpinnen?

Saffirafters worden veel gebruikt in:

• CVD-systemen
• PECVD-systemen
• PVD-apparatuur
• MOCVD-reactoren
• RTP-systemen
• Difusieovens
• apparatuur voor plasma-etsen
• Systemen voor het inspecteren en verwerken van wafers
• apparatuur voor de vervaardiging van halfgeleiders van SiC en GaN