Productoverzicht

OnsHBN enkel kristal van apparaatkwaliteitis een hoogwaardig hexagonaal boornitride bulk-monokristal, ontworpen voor geavanceerd 2D-materiaalonderzoek en de fabricage van apparaten. Dit hBN-kristal is gegroeid door een gepatenteerd proces onder atmosferische druk en beschikt over een hoge kristalkwaliteit, schoon splitsingsgedrag, grote gebieden met één domein en uitstekende optische transparantie.

Het is vooral geschikt alssubstraat of inkapselingslaagvoor 2D-heterostructuren, op grafeen gebaseerde apparaten, nanofotonische structuren en diep-ultraviolette opto-elektronische toepassingen. Validatie op apparaatniveau door derden laat zien dat dit hBN-materiaal prestaties kan leveren die vergelijkbaar zijn met of beter zijn dan de huidige academische gouden standaardkristallen in grafeen-heterostructuurtoepassingen.

Belangrijkste kenmerken

• HBN-eenkristal van apparaatkwaliteit
• Gepatenteerd groeiproces onder atmosferische druk
• Typische laterale kristalgrootte ≥ 1 mm
• Hoog diëlektrisch doorslagveld: 1,64 ± 0,06 V/nm
• Mobiliteit van grafeen bij kamertemperatuur op hBN: ~80.000 cm²/V·s
• hBN Raman E₂g FWHM: 7,88 cm⁻¹
• UV-bandrandemissie rond 215 nm
• Geschikt voor 2D-heterostructuren, grafeenapparaten, nanofotonica en diep-UV-opto-elektronica

Toepassingen

2D heterostructuren

HBN van apparaatkwaliteit wordt veel gebruikt als hoogwaardig substraat en inkapselingslaag voor grafeen, overgangsmetaaldichalcogeniden en andere 2D-materialen. Het atomair vlakke oppervlak en de strakke interface helpen de stabiliteit van het apparaat te verbeteren en verstrooiingseffecten te verminderen.

Grafeen-apparaten

Bij gebruik met grafeen kan hBN transportgedrag met hoge mobiliteit ondersteunen. De typische grafeenmobiliteit bij kamertemperatuur op dit hBN bereikt ongeveer80.000 cm²/V·s, waardoor het geschikt is voor geavanceerde elektronische en kwantumtransportstudies.

Nanofotonica

hBN is een belangrijk materiaalplatform voor fononpolaritononderzoek en fotonische apparaten op nanoschaal. De hoge kristalkwaliteit en optische eigenschappen maken het geschikt voor infrarood nanofotonica en aanverwante optische experimenten.

Diep-UV-opto-elektronica

Met UV-bandrandemissie rondom215 nmkan hBN-eenkristal worden gebruikt in diep-ultraviolet opto-elektronisch onderzoek, materiaalstudies met een brede bandafstand en geavanceerde fotonische toepassingen.

Technische specificaties

Productvoordelen

Vergeleken met gewone commerciële hBN-kristallen is dit hBN van apparaatkwaliteit ontwikkeld voor toepassingen waarbij kristalkwaliteit, grensvlakzuiverheid en apparaatprestaties van cruciaal belang zijn. Het materiaal is gebenchmarkt door middel van testen van grafeen-heterostructuurapparaten van derden en toont prestaties op of boven het niveau van toonaangevende academische referentiekristallen.

De kristalafmetingen in het gegevensblad geven representatieve laterale afmetingen hierboven aan1 mm, waarbij enkele gemeten kristalranden overschreden worden1,4 mm. Optische microscoopbeelden tonen ook duidelijke groeifacetten, scherpe splitsingsranden, transparante kristalgebieden en grote bruikbare gebieden met één domein.

Aanbevolen korte beschrijving

HBN enkel kristal van apparaatkwaliteitis een hoogwaardig hexagonaal boornitridemateriaal ontworpen voor 2D-heterostructuren, grafeenapparaten, nanofotonica en diep-UV-opto-elektronica. Het is gegroeid door een gepatenteerd proces onder atmosferische druk en biedt typische laterale kristalgroottes van ≥1 mm, een hoge diëlektrische doorslagsterkte, uitstekende Raman-prestaties en sterke validatie op apparaatniveau.

Veelgestelde vragen

Vraag 1: Waar wordt dit hBN-monokristal voornamelijk voor gebruikt?
Het wordt voornamelijk gebruikt als substraat of inkapselingslaag voor 2D-heterostructuren, grafeenapparaten, nanofotonica en diep-UV-opto-elektronisch onderzoek.

Vraag 2: Wat is de typische kristalgrootte?
De standaardspecificatie voor apparaatkwaliteit is≥ 1 mmlaterale maat. Representatieve monsters in de datasheet tonen gemeten afmetingen van meer dan 1 mm, waarbij sommige randen groter zijn dan 1,4 mm.

Vraag 3: Is dit materiaal geschikt voor grafeenapparaten?
Ja. De datasheet rapporteert de typische mobiliteit van grafeen bij kamertemperatuur op hBN van ongeveer80.000 cm²/V·s, waardoor het geschikt is voor onderzoek naar grafeenapparaten met hoge mobiliteit.

Vraag 4: Wat is het verpakkingsformaat?
Het product wordt doorgaans geleverd in een chipdrager, met5-10 kristallen per verpakking.

Gerelateerd product

3C-SiC kubieke siliciumcarbidewafel voor MEMS, fotonica en stroomapparatuur

Over ons

ZMSH is gespecialiseerd in de hightech ontwikkeling, productie en verkoop van speciaal optisch glas en nieuwe kristalmaterialen. Onze producten zijn bedoeld voor optische elektronica en consumentenelektronica. Wij bieden optische componenten van saffier, lensafdekkingen voor mobiele telefoons, keramiek, LT, siliciumcarbide SIC, kwarts en halfgeleiderkristalwafels. Met bekwame expertise en geavanceerde apparatuur blinken we uit in niet-standaard productverwerking, met als doel een toonaangevende hightech onderneming op het gebied van opto-elektronische materialen te zijn.

Verpakkings- en verzendinformatie

Verpakkingsmethode:

• Alle artikelen zijn veilig verpakt om een ​​veilig transport te garanderen.
• De verpakking is voorzien van antistatische, schokbestendige en stofdichte materialen.
• Voor gevoelige componenten zoals wafers of optische onderdelen gebruiken we verpakkingen op cleanroomniveau:

1. Klasse 100 of Klasse 1000 stofbescherming, afhankelijk van de productgevoeligheid.
2. Voor speciale vereisten zijn aangepaste verpakkingsopties beschikbaar.

Verzendkanalen en geschatte levertijd:

• We werken met vertrouwde internationale logistieke dienstverleners, waaronder:

UPS, FedEx, DHL

• De standaard levertijd bedraagt ​​3 tot 7 werkdagen, afhankelijk van de bestemming.
• Trackinginformatie wordt verstrekt zodra de bestelling is verzonden.
• Versnelde verzending en verzekeringsopties zijn op aanvraag beschikbaar.