 |
2Inch 4inch free-standing GaN Gallium Nitride Wafer
Productdetails:
| Plaats van herkomst: | CHINA |
| Merknaam: | zmkj |
| Modelnummer: | 2inch malplaatje |
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
| Min. bestelaantal: | 5pcs |
|---|---|
| Verpakking Details: | enig wafeltjegeval door vacuümverpakking |
| Levertijd: | 1-5weeks |
| Betalingscondities: | T/T |
| Levering vermogen: | 50pcs per maand |
|
Gedetailleerde informatie |
|||
| Materiaal: | GaN op saffier | Grootte: | 2 duim |
|---|---|---|---|
| Dikte: | 4mm op 0.43mm saffier | Type: | Un-doped n-type |
| Toepassing: | Leiden | ||
| Markeren: | 2 het Nitridewafeltje van het duimgallium,Sapphire Substrates Gallium Nitride Wafer,HOOFDgan wafer |
||
Productomschrijving
de substratenmalplaatje van 2inch GaN, GaN-wafeltje voor het Geleide, semiconducting Wafeltje van het Galliumnitride voor LD, GaN-malplaatje, mocvd GaN Wafer, Free-standing GaN Substrates door Aangepaste grootte, het kleine wafeltje van groottegan voor leiden, mocvd wafeltje 10x10mm, 5x5mm, 10x5mm GaN wafeltje, Niet-polair Freestanding GaN Substrates van het Galliumnitride (a-vliegtuig en m-vliegtuig)
van de diktegan AlGaN AlN van 2inch 1um 4um de laagmalplaatje door MOCVD op SSP 430um saffiersubstraten
GaN Wafer Characteristic
- Iii-nitride (GaN, AlN, Herberg)
Het galliumnitride is één soort breed-Gap samenstellingshalfgeleiders. Van het galliumnitride (GaN) het substraat is
een single-crystal substraat van uitstekende kwaliteit. Het wordt gemaakt met de originele HVPE-methode en technologie van de wafeltjeverwerking, die oorspronkelijk voor 10+years in China is ontwikkeld. De eigenschappen zijn hoge kristallijne, goede uniformiteit, en superieure oppervlaktekwaliteit. De GaNsubstraten worden gebruikt voor vele soorten toepassingen, voor witte leiden en LD (viooltje, het blauw en groen) Voorts is de ontwikkeling voor macht en hoge frequentie elektronische apparatentoepassingen gevorderd.
Verboden bandbreedte (het lichte uitzenden en absorptie) dekking het ultraviolet, het zichtbare licht en infrared.
Toepassing
GaN kan op vele gebieden zoals LEIDENE vertoning, High-energy Opsporing en Weergave worden gebruikt,
De Vertoning van de laserprojectie, Machtsapparaat, enz.
- De Vertoning van de laserprojectie, Machtsapparaat, enz. Datumopslag
- Energy-efficient verlichting De volledige vertoning van kleurenfla
- Laser Projecttions Hoog rendement Elektronische apparaten
- Microgolfapparaten met hoge frekwentie High-energy Opsporing en veronderstelt
- Nieuwe de waterstoftechnologie van energiesolor Milieuopsporing en biologische geneeskunde
- Lichtbron terahertz band
Specificaties:
ONGEVEER ONZE OEM Fabriek
Onze Factroy-Ondernemingsvisie
wij zullen hoogte - het substraat van kwaliteitsgan en toepassingstechnologie voor de industrie met onze fabriek verstrekken.
Hoog - de kwaliteit GaNmaterial is de beperkende factor voor de iii-Nitriden toepassing, b.v. met lange levensuur
en hoge stabiliteit LDs, hoge macht en de hoge apparaten van de betrouwbaarheidsmicrogolf, Hoge helderheid
en hoog rendement, energy-saving leiden.
- FAQ –
Q: Wat u kunt logistiek en kosten leveren?
(1) wij keuren DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF en enz. goed
(2) als u uw eigen uitdrukkelijk aantal hebt, is het groot.
Als niet, konden wij u bijstaan om te leveren. Freight=USD25.0 (het eerste gewicht) + USD12.0/kg
Q: Wat is de levertijd?
(1) voor de standaardproducten zoals het wafeltje van 2inch 0.33mm.
Voor inventaris: de levering is 5 werkdagen na orde.
Voor aangepaste producten: de levering is 2 of 4 werkweken na orde.
Q: Hoe te betalen?
100%T/T, Paypal, het Westenunie, MoneyGram, Veilige betaling en Handelsverzekering.
Q: Wat is MOQ?
(1) voor inventaris, is MOQ 5pcs.
(2) voor aangepaste producten, is MOQ 5pcs-10pcs.
Het hangt van hoeveelheid en technieken af.
Q: Hebt u inspectierapport voor materiaal?
Wij kunnen ROHS-rapport leveren en rapporten voor onze producten bereiken.