| Merknaam: | zmkj |
| Modelnummer: | 6inch |
| MOQ: | 10pcs |
| Prijs: | by case |
| Verpakking: | in 25pcs-de doos van het cassettewafeltje onder de schoonmakende ruimte van 100grade |
| Betalingsvoorwaarden: | T / T, Western Union, |
2inch /3inch 4inch /5inch C-as/a-as/r-as/m-as 6"/6inch dia150mm C-vlak Saffier SSP/DSP wafeltjes met 650um/1000um Dikte
Het Kyropoulos-proces (KY-proces) voor de groei van saffierkristallen wordt momenteel door veel bedrijven in China gebruikt om saffier te produceren voor de elektronica- en optica-industrie.
Hoogzuiver aluminiumoxide wordt in een smeltkroes bij meer dan 2100 graden Celsius gesmolten. Meestal is de smeltkroes gemaakt van wolfraam of molybdeen. Een nauwkeurig georiënteerd entkristal wordt in het gesmolten aluminiumoxide gedompeld. Het zaadkristal wordt langzaam naar boven getrokken en kan tegelijkertijd worden rondgedraaid. Door de temperatuurgradiënten, de treksnelheid en de snelheid waarmee de temperatuur daalt nauwkeurig te regelen, is het mogelijk om uit de smelt een grote, uit één kristal bestaande, ruwweg cilindrische staaf te produceren.
Nadat saffierbollen van één kristal zijn gegroeid, worden ze tot cilindrische staven geboord. De staven worden in de gewenste vensterdikte gesneden en uiteindelijk gepolijst tot de gewenste oppervlakteafwerking.
![]()
Gebruik als substraat voor halfgeleidende schakelingen
Dunne saffierwafels waren het eerste succesvolle gebruik van een isolerend substraat waarop silicium kon worden afgezet om de geïntegreerde schakelingen bekend te maken als silicium op saffier of "SOS". Naast zijn uitstekende elektrische isolatie-eigenschappen heeft saffier een hoge thermische geleidbaarheid. CMOS-chips op saffier zijn vooral nuttig voor hoogvermogen radiofrequentietoepassingen (RF), zoals die worden aangetroffen in mobiele telefoons, bandradio's voor de openbare veiligheid en satellietcommunicatiesystemen.
Wafels van eenkristalsaffier worden ook in de halfgeleiderindustrie gebruikt als substraat voor de groei van apparaten op basis van galliumnitride (GaN). Het gebruik van saffier verlaagt de kosten aanzienlijk, omdat het ongeveer een zevende van de kosten van germanium kost. Galliumnitride op saffier wordt vaak gebruikt in blauwe lichtgevende diodes (LED's).
Gebruikt als raammateriaal
Synthetische saffier (ook wel saffierglas genoemd) wordt vaak gebruikt als raammateriaal, omdat het zowel zeer transparant is voor golflengten van licht tussen 150 nm (UV) en 5500 nm (IR) (het zichtbare spectrum strekt zich uit van ongeveer 380 nm tot 750 nm), en buitengewoon krasbestendig is. De belangrijkste voordelen van saffierramen zijn:
* Zeer brede optische transmissieband van UV tot nabij-infrarood
* Aanzienlijk sterker dan andere optische materialen of glazen ramen
* Zeer goed bestand tegen krassen en slijtage (9 op de schaal van Mohs van de minerale hardheidsschaal, de derde hardste natuurlijke substantie naast moissaniet en diamanten)
* Extreem hoge smelttemperatuur (2030 °C)
| ALGEMEEN | |||||
| Chemische formule |
|
Al2O3
|
|||
| Kristalstructuur |
|
Zeshoekig systeem ((hk o 1)
|
|||
| Eenheid celafmeting |
|
a=4,758 Å,Å c=12,991 Å, c:a=2,730
|
|||
| FYSIEK | |||||
|
|
Metrisch
|
Engels (imperiaal)
|
|||
| Dikte |
|
3,98 g/cc
|
0,144 pond/inch3
|
||
| Hardheid |
|
1525 - 2000 Knoop, 9 mhos
|
3700° F
|
||
| Smeltpunt |
|
2310 K (2040°C)
|
|
||
| STRUCTURELE | |||||
| Treksterkte |
|
275 MPa tot 400 MPa
|
40.000 tot 58.000 psi
|
||
|
bij 20°
|
400 MPa
|
58.000 psi (ontwerp min.)
|
|||
|
bij 500°C
|
275 MPa
|
40.000 psi (ontwerp min.)
|
|||
|
bij 1000°C
|
355 MPa
|
52.000 psi (ontwerp min.)
|
|||
| Buigsterkte |
|
480 MPa tot 895 MPa
|
70.000 tot 130.000 psi
|
||
| Compressiesterkte |
|
2,0 GPa (ultiem)
|
300.000 psi (ultiem)
|
||
|
Standaard wafeltje 2 inch C-vlak saffierwafel SSP/DSP
3 inch C-vlak saffierwafel SSP/DSP 4 inch C-vlak saffierwafel SSP/DSP 6 inch C-vlak saffierwafel SSP/DSP |
Speciale snit
A-vlak (1120) saffierwafel R-vlak (1102) saffierwafel M-vlak (1010) saffierwafel N-vlak (1123) saffierwafel C-as met een uitsnijding van 0,5°~ 4°, richting A-as of M-as Andere aangepaste oriëntatie |
|
Aangepaste grootte
saffierwafeltje van 10 * 10 mm saffierwafeltje van 20 * 20 mm Ultradunne (100um) saffierwafel Saffierwafel van 8 inch |
Saffiersubstraat met patroon (PSS)
2 inch C-vlak PSS 4 inch C-vlak PSS |
| 2 inch |
DSP C-AS 0,1 mm/0,175 mm/0,2 mm/0,3 mm/0,4 mm/0,5 mm/1,0 mm SSP C-as 0,2/0,43 mm (DSP&SSP) A-as/M-as/R-as 0,43 mm
|
| 3 inch |
DSP/SSP C-as 0,43 mm/0,5 mm
|
| 4 inch |
dsp c-as 0,4 mm/0,5 mm/1,0 mm ssp c-as 0,5 mm/0,65 mm/1,0 mmt
|
| 6 inch |
ssp c-as 1,0 mm/1,3 mm
dsp c-as 0,65 mm/0,8 mm/1,0 mmt
|
![]()
![]()
![]()
| Item | Parameter | Spec | Eenheid | ||
| 1 | Productnaam | Saffierwafel (Al2O3) | |||
| 2 | Diameter | 2” | 4” | 6” | mm |
| 3 | Dikte | 430 ± 25 | 650 ± 25 | 1000±25 | urn |
| 4 | Oppervlakteoriëntatie | C-vlak (0001) gekantelde M-as 0,2°/0,35°± 0,1° | rang | ||
| 5 | Primair plat | A-as (11-20) ± 0,2° | rang | ||
| Oriëntatie Lengte | 16±0,5 | 31 ± 1,0 | 47,5±2,0 | mm | |
| 6 | TTV | < 10 | < 10 | < 25 | urn |
| 7 | Boog | -10 ~ 0 | -15 ~ 0 | -30 ~ 0 | urn |
| 8 | Verdraaien | 10 | 20 | 30 | urn |
| 9 | Ruwheid voorzijde | 0,5 | 0,5 | 0,5 | nm |
| 10 | Ruwheid Achterkant | 1,0 ± 0,3 | urn | ||
| 11 | Wafer rand | R-type of T-type | |||
| 12 | Lasermarkering | Pas aan | |||
ONZE FABRIEK
![]()
|