Welke belangrijke specificaties moeten in overweging worden genomen bij het selecteren van siliciumwafers?

Om de gewenste apparaten te vervaardigenvan siliciumwafersDe eerste stap is om de juiste wafer te kiezen.

Waferdikte (THK):
De dikte van desiliconen wafersBij de fabricage van wafers is een nauwkeurige controle van de dikte essentieel.de nauwkeurigheid en uniformiteit van de waferdikte hebben een directe invloed op de prestaties van het apparaat en de stabiliteit van het productieproces;.

Totaal dikteverschil (TTV):

TTV verwijst naar het maximale verschil in dikte tussen de dikste en dunste punten over het oppervlak van de wafer.Het handhaven van een lage TTV zorgt voor een consistente dikteverdeling tijdens de verwerking, die helpt bij het voorkomen van problemen in latere productiestappen en zorgt voor een optimale prestatie van het apparaat.

Totale indicatorlezing (TIR):
TIR is de vlakheid van het oppervlak van de wafer en wordt gedefinieerd als de verticale afstand tussen de hoogste en laagste punten op het oppervlak van de wafer.TIR wordt gebruikt om na te gaan of de wafer tijdens het productieproces vervormd of vervormd is, waarbij wordt gewaarborgd dat de vlakheid van de wafer voldoet aan de vereiste processpecificaties.

Buig.
Boog verwijst naar de verticale verplaatsing van het middelpunt van de wafer ten opzichte van het vlak van de randen, voornamelijk gebruikt om de lokale buiging van de wafer te evalueren.Het wordt gemeten door de wafer op een vlak referentieoppervlak te plaatsen en de verticale afstand tussen het wafercentrum en het referentievlak te bepalenDe boogwaarde richt zich gewoonlijk alleen op het centrale gebied van de wafer en geeft aan of de wafer een convexe (koepelvormige) of concave (opgerolde) algemene vorm heeft.

Warp:
Warp beschrijft de afwijking van de totale vorm van de wafer van zijn ideale referentievlak.Warp wordt gedefinieerd als de maximale afwijking tussen elk punt op het oppervlak van de wafer en het best passende referentievlak (meestal berekend met behulp van een kleinste vierkanten methode)Het wordt bepaald door het hele oppervlak van de wafer te scannen, de hoogte van alle punten te meten en de maximale afwijking van het best passende vlak te berekenen.Warp geeft een algemene indicator van de vlakheid van de wafer, het vastleggen van zowel buigen als draaien over de hele wafer.

Verschil tussen boog en warp:
Het belangrijkste verschil tussen Bow en Warp ligt in het gebied dat ze evalueren en het type vervorming dat ze beschrijven.Het verstrekken van informatie over lokale buigingen rond het middelpuntgebied  ideaal voor het beoordelen van de lokale krommingWarp meet daarentegen afwijkingen over het gehele oppervlak van de wafer ten opzichte van het best passende vlak.Het biedt een uitgebreid beeld van de totale vlakheid en vervorming, waardoor het beter geschikt is voor de evaluatie van de globale vorm en vervorming van de wafer..

Leidingstypus / dopant:
Deze parameter identificeert het geleidbaarheidstype van de wafer, d.w.z. of elektronen of gaten de primaire ladingdragers zijn.wafers van het type NIn de eerste plaats is het belangrijk dat de voornaamste dragers van de methode zijn elektronen, die doorgaans worden bereikt door doping met pentavalente elementen zoals fosfor (P), arseen (As) of antimon (Sb).wafers van het type P, gaten zijn de meeste dragers, gecreëerd door doping met trivalente elementen zoals boor (B), aluminium (Al) of gallium (Ga).De keuze van dopant en geleidbaarheidsoort beïnvloedt rechtstreeks het elektrisch gedrag van de eindtoestellen.

Resistiviteit (RES):
Resistiviteit, vaak afgekort als RES, verwijst naar de elektrische resistiviteit van desiliconen wafersHet beheer van de weerstand tijdens de fabricage van wafers is van cruciaal belang, aangezien dit rechtstreeks van invloed is op de prestaties van de resulterende apparaten.Fabrikanten passen meestal de weerstand van de wafers aan door tijdens de verwerking specifieke dopanten toe te voegen.Typische streefwaarden voor de weerstand zijn ter referentie in de specificatietafels opgenomen.

Oppervlakte deeltjesgetal (deeltjes):
Deeltjes verwijzen naar de verontreiniging van desiliconen wafersDeze deeltjes kunnen afkomstig zijn van restmaterialen, procesgassen, stof of milieubronnen tijdens de productie.Verontreiniging door oppervlakte deeltjes kan een negatieve invloed hebben op de fabricage en prestaties van het apparaat, dus strikte controle en reiniging van de oppervlakken van de wafers zijn essentieel tijdens de productie.Fabrikanten gebruiken doorgaans gespecialiseerde reinigingsprocessen om oppervlakte deeltjes te verminderen en te elimineren om een hoge waferkwaliteit te behouden.

Hoe u de juiste kunt kiezenSilicon Wafer?
De keuze van de juiste siliciumwafer kan worden geleid door de inspectienormen en typische parameters die in de onderstaande tabel voor 6-inch wafers worden weergegeven.

• Variatie van de dikte:Verschillen in dikte veroorzaken vaak afwijkingen in etsen en corrosieprocessen, die tijdens de productie moeten worden gecompenseerd.

• Variatie in de diameter:Afwijkingen van de diameter kunnen leiden tot een onregelmatige lithografie, maar de impact wordt over het algemeen als gering beschouwd.

• Leiding en dopanten:Deze hebben een aanzienlijk effect op de prestaties van het apparaat.

• Resistiviteit:De uniformiteit van de weerstand over het oppervlak van de wafer moet zorgvuldig worden overwogen, aangezien niet-uniformiteit het rendement van het apparaat ernstig kan verminderen.

• Kristallen oriëntatie:Dit heeft een grote invloed op de natte etsering, waarbij rekening moet worden gehouden met oriëntatieverschillen.

• Boog en warp:Waferbuiging en warpage beïnvloeden de nauwkeurigheid van de lithografie sterk, vooral bij het omgaan met kleine kritische afmetingen (CD) in patronen.

Gerelateerd product

SiC Wafer 12 inch 300mm Dikte 1000±50um 750±25um Prime Dummy Reaserch Grade Voor halfgeleider