Nieuwe 12-inch SiC-wafer gelanceerd, een revolutie in de hoogwaardige halfgeleiderindustrie.

Nieuwe 12-inch SiC-wafer gelanceerd, een revolutie in de hoogwaardige halfgeleiderindustrie.

Shanghai, 20 februari 2025 Shanghai Famous Trade Co., Ltd. kondigt de lancering aan van zijn nieuweWafers van siliconcarbide (SiC) van 12 inch (300 mm), een belangrijke doorbraak op het gebied van hoogwaardige halfgeleidermaterialen. Ontworpen voor geavanceerde halfgeleidertoepassingen,dit product voldoet aan de strenge eisen van zowel onderzoek als productieomgevingen, en wordt veel gebruikt in industrieën zoals elektrische voertuigen (EV's), krachtelektronica en radiofrequentietechnologie (RF).

Belangrijkste kenmerken van de hoogwaardige SiC-wafer

De nieuwe 12-inch SiC-wafer heeft een 4H-N-kristaloriëntatie en een dikte van 750 ± 25 μm, met uitzonderlijke elektrische, thermische en mechanische eigenschappen.Vergeleken met traditionele siliciummaterialenDe hoge thermische geleidbaarheid, de hoge afbraakspanning en de uitstekende elektronenmobiliteit van SiC's maken het mogelijk om bij hogere spanningen, temperaturen en frequenties te werken.het verbeteren van de efficiëntie en betrouwbaarheid van het apparaat.

• Materiële voordelen: SiC heeft een brede bandbreedte, hoge thermische geleidbaarheid en hoge spanningsduld, waardoor het ideaal is voor elektrische apparaten met een hoog vermogen en hoge temperatuur, zoals power MOSFET's en power diodes.
• Mechanische eigenschappen: De hardheid en stijfheid van SiC ̊ overtreft de traditionele siliciummaterialen ver, waardoor de duurzaamheid en de structurele integriteit van apparaten worden verbeterd.
• Brede toepassingenDe nieuwe 12-inch SiC-wafer is bijzonder geschikt voor hoge prestatievereisten in elektrische voertuigen, krachtelektronica, hoogfrequente communicatie, LED-verlichting en meer.Het stimuleren van de vooruitgang in industrieën zoals nieuwe energievoertuigen, hernieuwbare energie en industriële energiesystemen.

Productspecificaties

• Diameter: 300 mm
• Dikte: 750±25 μm
• Kristaloriëntatie: 4H-N type, <0001> (op de as) en 4° buiten de as <1120>
• Resistiviteit: 0,015 0,03 Ω·cm
• Micropipe-dichtheid (MPD): ≤10/cm2
• Ruwheid van het oppervlak: Poolse Ra ≤1nm, CMP Ra ≤0,2nm
• Verpakking: Eenvoudige wafercontainer

Vooruitzichten voor een doorbraak

De nieuwe 12-inch SiC-wafer wordt veel gebruikt in krachtige elektronische producten, met name in stroombeheersystemen voor elektrische voertuigen, slimme netwerken, energieopslag en stroomomzetsystemen.Stabiliteit bij hoge temperaturen van SiC, sterke vermogenshandeling en snelle schakelingskenmerken maken het een ideale keuze voor de volgende generatie energiezuinige halfgeleiders met een laag vermogen.

Bovendien zullen deze wafers een sleutelrol spelen in hoogfrequente toepassingen zoals 5G-communicatie, ruimtevaart en militaire radarsystemen.Aangezien de vraag naar hoogwaardige elektronische apparaten blijft stijgen, is de 12-inch SiC-wafer klaar om een belangrijke drijvende kracht te worden in de halfgeleiderindustrie.

Over Shanghai Famous Trade Co., Ltd.

Shanghai Famous Trade Co., Ltd. is gespecialiseerd in het onderzoek, de ontwikkeling en de levering van hoogwaardige halfgeleidermaterialen.We zijn vastbesloten om geavanceerde technologieën en hoogwaardige producten aan wereldwijde klanten te leveren.Met jarenlange technologische expertise en marktervaring zijn wij een erkende leider en vertrouwde partner in de industrie geworden.

Voor meer productinformatie of bestelverzoeken kunt u onze officiële website bezoeken of contact opnemen met ons verkoopteam.We kijken ernaar uit om samen met u de volgende generatie hoogwaardige halfgeleiders te ontwikkelen..