Wereldwijde industriële keten en technologische stappenplan voor galliumnitride (GaN)

Ik.- Ik weet het niet.Galliumnitrium (GaN)- Ik weet het niet.
Galliumnitride (GaN) is een anorganische chemische verbinding met de formule GaN , samengesteld uit gallium (Ga) en stikstof (N).halfgeleidermateriaal van de derde generatie Het bestaat meestal in de vorm van een wit of licht geel vast poeder.

• - Ik weet het niet.Structurele stabiliteit onder extreme omstandigheden
• - Ik weet het niet.Hoog smeltpunt.(m.u.v.
• - Ik weet het niet.Hoogspanningsweerstand.(afbraakveld ~ 3,3 MV/cm)
• - Ik weet het niet.Stralingsvermogen (effectief voor ruimtevaart en nucleaire omgevingen)

Deze breedbandsemiconductor vertoont superieure prestaties in ruwe werkomgevingen in vergelijking met traditionele siliciummaterialen, waardoor het van cruciaal belang is voor toepassingen in krachtelektronica,radiofrequentie (RF) systemen en opto-elektronica.

II. Grootte van de markt en groeitendensen
Met de voortdurende uitbreiding van de galliumnitride (GaN) technologie van consumentenelektronica naar krachtige toepassingen zoals elektrische voertuigen (EV's), fotovoltaïsche energieopslag en datacenters,De wereldwijde markt voor GaN-kernapparaten kent een versnelde groei:
- Ik weet het niet.Marktgegevens De Commissie:

• In 2022 bereikte de marktomvang 180 miljoen USD, waarvan naar verwachting in 2026 1,33 miljard USD zal bedragen, met een samengestelde jaarlijkse groeipercentage (CAGR) van 65%.
• Consumentenelektronica blijft het dominante marktsegment, met een waarde van ongeveer 146 miljoen USD in 2022, waarvan naar verwachting in 2028 zal stijgen tot 1,307 miljard USD (Yole Développement).

- Ik weet het niet.Uitbreiding van de toepassing De Commissie:

Het toepassingsgebied is uitgebreid van het traditionele snelle opladen van smartphones en stroomadapters naar scenario's met een midden- tot hoog vermogen, waaronder nieuwe energievoertuigen aan boord van opladers (OBC's),basisstations voor telecommunicatie, fotovoltaïsche omvormers, servers voor datacenters, industriële stroomvoorzieningen en energieopslagsystemen.

III. Technische ontwikkelingen en toepassing

- Ik weet het niet.1. Technische ontwikkelingen - Ik weet het niet.

• - Ik weet het niet.Een hoge integratie: Co-verpakking van stuurprogramma's met GaN-aandrijvingstoestellen om perifere componenten te verminderen
• - Ik weet het niet.Hoge betrouwbaarheid : Verbeterde stralingshardheid en overspanningsbestendigheid
• - Ik weet het niet.Hoge efficiëntie.: lage weerstand, hoge schakelfrequentie, verbeterde vermogendichtheid en systeemconversie-efficiëntie

- Ik weet het niet.- Ik weet het niet.2. Scenario's voor de uitbreiding van de toepassing - Ik weet het niet.

IV. Samenvatting en vooruitzichten
Galliumnitride (GaN), als de belangrijkste vertegenwoordiger van halfgeleiders van de derde generatie, versnelt zijn penetratie in belangrijke domeinen zoals vermogen omzetting, snelladen,en elektrische besturingssystemen voor auto's, waarbij de voordelen van hoge frequentie, hoge efficiëntie en hoge integratie worden benut.

- Ik weet het niet.Projecties voor de komende vijf jaar De Commissie:

1. Hoewel GaN-apparaten een gestage groei in consumentenelektronica behouden, zal de grootte van de markt nog steeds verdubbelen.Zij zullen geleidelijk toepassen op scenario's met een hoge waarde, waaronder de aandrijflijnen voor auto's., AI-servers en fotovoltaïsche omvormers.
2. Het technologie-ecosysteem zal overgaan van "apparaat-gedreven" naar "systeem-synergetisch".De ontwikkeling van de interne markt en de optimalisatie van specifieke toepassingen zullen de belangrijkste concurrentiedistincenten worden..