Maart 2025 ZMSH Officiële aankondiging

ZMSH kondigt met trots de officiële release aan van onze12-inch Silicon Carbide (SiC) enkelkristalliën wafer, waarbij eenbelangrijke mijlpaalDit geavanceerde product is nu beschikbaar voor klanten over de hele wereld en ondersteunt de snelgroeiende vraag naar elektrische voertuigen (EV's), hernieuwbare energie,en industriële stroomsystemen.

Als toonaangevende speler in de halfgeleiderindustrie is ZMSH toegewijd aan het leveren van geavanceerde oplossingen die de toekomst van energie en technologie helpen stimuleren.De lancering van deze 12-inch SiC-wafers is een doorbraak in de productie van krachtoestellen met hoge prestaties, ideaal voor een verscheidenheid aan toepassingen, waaronder elektrische voertuigen (EV's), hernieuwbare energiesystemen en elektriciteitsnetten.

In vergelijking met traditionele siliciumwafers bieden SiC-wafers een superieure thermische geleidbaarheid, een hogere spanningsduld en een betere efficiëntie, waardoor ze een cruciaal materiaal zijn voor moderne energiesystemen.Met de introductie van de 12 inch wafer, is ZMSH nu in staat om grotere, efficiëntere wafers te leveren, waardoor meer vermogenstoestellen per wafer tegen lagere kosten kunnen worden geproduceerd.

Dit nieuwe aanbod van ZMSH zal fabrikanten in staat stellen hun productie van op SiC gebaseerde energieapparaten op te schalen.het verlagen van de kosten en tegelijkertijd voldoen aan de toenemende wereldwijde vraag naar duurzame en hoogwaardige energieoplossingen.

We nodigen u uit om het potentieel van onze 12-inch SiC enkelkristallen wafers te verkennen en te zien hoe ze uw projecten en toepassingen in de wereld van de krachtelektronica kunnen veranderen.Neem vandaag nog contact op met ZMSH om meer te weten te komen over ons nieuwste product en hoe het uw bedrijf kan helpen.

Blijf voorop met ZMSH, je partner in de volgende generatie power electronics.

Aanbeveling van het product

12 inch SiC Wafer 300mm Silicon Carbide Wafer Leidende Dummy Grade N-Type Onderzoeksgraad

8 inch 12 inch 4H-N Type SiC Wafer Dikte 500±25um 1000±50 N Doped Dummy Prime Research Grade