 
|
De hoge Opto-elektronica van Hardheids4inch Sapphire Wafer For Leds Laser Dioden
Productdetails:
| Plaats van herkomst: | China |
| Merknaam: | ZMSH |
| Certificering: | ROHS |
| Modelnummer: | 4INCH*0.5mmt |
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
| Min. bestelaantal: | 25pcs |
|---|---|
| Prijs: | by case |
| Verpakking Details: | in 25pcs-de doos van het cassettewafeltje onder de schoonmakende ruimte van 100grade |
| Levertijd: | 1 weken |
| Betalingscondities: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Levering vermogen: | 1000PCS per maand |
|
Gedetailleerde informatie |
|||
| material: | sapphire single crystal Al2O3 99.999% | orientation: | C-AXIS/A-AXIS/M-AXIS/M-AXIS |
|---|---|---|---|
| surface: | SSP DSP or Grinding | thickness: | 0.25mm, 0.5mm or 0.43mm |
| application: | led or optical glass | growth method: | ky |
| SIZE: | 4inch DIA100mm | Package: | 25/Cassette |
| Hoog licht: | Hoge Hardheid 4Inch Sapphire Substrate,De Dioden van de Ledslaser Sapphire Wafer,Opto-elektronica Sapphire Wafer |
||
Productomschrijving
4inch 101.6mm Sapphire Wafer Substrate Carrier Single Kant Opgepoetst Enig Crystal Al 2O3
Toepassing van 4inch-de substraten van het saffierwafeltje
4-duim wordt het saffierwafeltje wijd gebruikt op leiden, laserdiode, optoelectronic apparaten, halfgeleiderapparaten, en andere gebieden. De hoge lichte overbrenging en de hoge hardheid van saffierwafeltjes maken tot hen ideale substraatmaterialen voor productie hoog-helderheid en high-power LEDs. Bovendien kunnen de saffierwafeltjes ook worden gebruikt om optische Vensters, mechanische componenten te vervaardigen, etc.
Sapphire Properties
| Fysiek | |
| Chemische formule | Al2O3 |
| Dichtheid | 3.97 g/cm3 |
| Hardheid | 9 Mohs |
| Smeltpunt | 2050oC |
| Max. gebruikstemperatuur | 1800-1900oC |
| Mechanisch | |
| Treksterkte | 250-400 MPa |
| Samenpersende sterkte | 2000 MPa |
| Poisson verhouding | 0.25-0.30 |
| De Modulus van jongelui | 350-400 GPa |
| Buigende sterkte | 450-860 MPa |
| Vervoeringsmodulus | 350-690 MPa |
| Thermisch | |
| Lineair uitbreidingstarief (bij 293-323 K) | 5.0*10-6K-1 (⊥ C) |
| 6.6*10-6K-1 (∥ C) | |
| Warmtegeleidingsvermogen (bij 298 K) | 30.3 w (m*K) (⊥ C) |
| 32.5 w (m*K) (∥ C) | |
| Specifieke hitte (bij 298 K) | 0,10 cal*g-1 |
| Elektro | |
| Weerstandsvermogen (bij 298 K) | 5.0*1018 Ω*cm (⊥ C) |
| 1.3-2.9*1019 Ω*cm (∥ C) | |
| Diëlektrische constante (bij 298 K, in 103 - 109 Herz-interval) | 9.3 (⊥ C) |
| 11.5 (∥ C) | |
Productieproces:
Het productieproces voor saffierwafeltjes omvat gewoonlijk de volgende stappen:
-
Wordt het materiaal van het saffier enige kristal met hoge zuiverheid geselecteerd.
-
Het enige kristalmateriaal van de besnoeiingssaffier in kristallen van aangewezen grootte.
-
Het kristal wordt verwerkt in wafeltjevorm door op hoge temperatuur en druk.
-
En precisie die uitgevoerd vaak om hoogte te verkrijgen malen de oppoetsen wordt - de kwaliteitsoppervlakte eindigt en vlakheid
Specificaties van 4inch-het substraatdrager van het saffierwafeltje
| Bril | 2 duim | 4 duim | 6 duim | 8inch |
| Dia | 50.8 ± 0,1 mm | 100 ± 0,1 mm | 150 ± 0,1 mm | 200 ± 0,1 mm |
| Dik | 430 um ± 25 | 650 um ± 25 | 1300 um ± 25 | 1300 um ± 25 |
| Ra | Ra ≤ 0,3 NM | Ra ≤ 0.3nm | Ra ≤ 0.3nm | Ra ≤ 0,3 NM |
| TTV | ≤ 10um | ≤ 10um | ≤ 10um | ≤ 10um |
| Tolerantie | ≤ 3 um | ≤ 3 um | ≤ 3 um | ≤ 3 um |
| Kwaliteitsoppervlakte | 20/10 | 20/10 | 20/10 | 20/10 |
| Oppervlaktestaat | DSP-SSP het Malen | |||
| Vorm | Cirkel met inkeping of vlakheid | |||
| Afkanting | 45°, c-Vorm | |||
| Materiaal | Al2O3 99,999% | |||
| N/O | Saffierwafeltje | |||
Het materiaal wordt gekweekt en georiënteerd, en de substraten worden vervaardigd en aan een uiterst vlotte schade vrije epi-Klaar oppervlakte aan één of beide kanten van het wafeltje opgepoetst. Een verscheidenheid van wafeltjerichtlijnen en grootte tot 6“ in diameter zijn beschikbaar.
A-vlakke saffiersubstraten - gewoonlijk voor hybride micro-electronische toepassingen gebruikt worden die een eenvormige diëlektrische constante en hoogst het isoleren kenmerken vereisen.
C-vlakke substraten - neig om voor alle-v en samenstellingen ll-Vl, zoals GaN, voor heldere blauwe en groene leiden en laserdioden worden gebruikt.
R-vlakke substraten - deze hebben voor het hetero-epitaxial die deposito van silicium de voorkeur in micro-electronische IC-toepassingen wordt gebruikt.
|
Standaardwafeltje wafeltje SSP/DSP van de 2 duim het c-Vlakke saffier
wafeltje SSP/DSP van de 3 duim het c-Vlakke saffier wafeltje SSP/DSP van de 4 duim het c-Vlakke saffier wafeltje SSP/DSP van de 6 duim het c-Vlakke saffier |
Speciale Besnoeiing
A-vlak (1120) saffierwafeltje R-vlak (1102) saffierwafeltje M-vlak (1010) saffierwafeltje N-vlak (1123) saffierwafeltje C-as met offcut 0.5°~ 4°, naar a-As of m-As Andere aangepaste richtlijn |
|
Aangepaste Grootte
10*10mm saffierwafeltje 20*20mm saffierwafeltje Uiterst dun de saffierwafeltje (van 100um) het wafeltje van de 8 duimsaffier |
Gevormde Sapphire Substrate (PSS)
2 duim c-Vliegtuig PSS 4 duim c-Vliegtuig PSS |
| 2inch |
DSP-c-AS 0.1mm/0.175mm/0.2mm/0.3mm/0.4mm /0.5mm/ 1.0mmt SSP c-As 0.2/0.43mm (DSP&SSP) a-axis/M-axis/R-As 0.43mm
|
| 3inch |
DSP/SSP c-As 0.43mm/0.5mm
|
| 4Inch |
dsp c-as 0.4mm/0.5mm/1.0mm ssp c-as 0.5mm/0.65mm/1.0mmt
|
| 6inch |
ssp c-as 1.0mm/1.3mmm
dsp c-as 0.65mm/0.8mm/1.0mmt
|
101.6mm 4inch de saffierdetails van het Saffierwafeltje
Andere verwante saffierproducten
Gelijkaardige producten:
Naast de wafeltjes van de 4 duimsaffier, er andere grootte en vormen van saffierwafeltjes zijn om van, zoals 2 duim te kiezen, 3 duim, 6 duim of zelfs grotere saffierwafeltjes. Bovendien zijn er andere materialen die kunnen worden gebruikt om te vervaardigen leds en halfgeleiderapparaten, zoals aluminiumnitride (AlN) en siliciumcarbide (sic).