6 duim SIC Wafeltje 4 Epitaxial Wafeltjes GaN Layer On Sic van H-N Type Sic EPI

Basisinformatie
Plaats van herkomst: CHINA
Merknaam: ZMKJ
Modelnummer: de wafeltjes 4h-n van 6inch sic
Min. bestelaantal: 5pcs
Prijs: by case
Verpakking Details: het enige wafeltjepakket in 100 sorteert schoonmakende ruimte
Levertijd: 1-6weeks
Betalingscondities: T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 1-50pcs/month
Materiaal: Sic enig kristal 4h-n Rang: Productierang
Thicnkss: 0.4mm Suraface: omwikkeld
Toepassing: voor poetsmiddeltest Diameter: 6INCH
Kleur: Groen MPD: <2cm-2>
Hoog licht:

4 epitaxial wafeltjes van H-N Type

,

6 duim epitaxial wafeltjes

,

4 het wafeltje van H-N Type epi

 

het zaadwafeltje 1mm van 4h-n 4inch 6inch dia100mm sic dikte voor de baargroei

Customziedsize/2inch/3inch/4inch/6inch 6h-n/4h-SEMI SIC baren 4h-n/Hoge zuiverheids 4h-n 4inch 6inch dia 150mm van het enige kristal (sic) substraten wafersS/van het siliciumcarbide Wafeltjes van de wafersProduction4inch rang 4h-n 1.5mm Customzied gesneden sic SIC voor zaadkristal

6inch SIC Wafeltje 4 H-N Type-laag van de wafeltjesgan van de productierang de sic epitaxial op sic

 

Het Kristal ongeveer van het Siliciumcarbide (sic)

 

Het siliciumcarbide (sic), ook gekend als carborundum, is een halfgeleider sic bevattend silicium en koolstof met chemische formule. Sic wordt gebruikt in de apparaten van de halfgeleiderelektronika die bij hoge temperaturen of hoge voltages werken, of both.SiC is ook één van de belangrijke LEIDENE componenten, is het een populair substraat voor het kweken van GaN-apparaten, en het dient ook als hitteverspreider in high-power LEDs.

 

1. Beschrijving
Bezit 4H-sic, Enig Kristal 6H-sic, Enig Kristal
Roosterparameters a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Het stapelen van Opeenvolging ABCB ABCACB
Mohshardheid ≈9.2 ≈9.2
Dichtheid 3.21 g/cm3 3.21 g/cm3
Therm. Uitbreidingscoëfficiënt 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Brekingsindex @750nm

geen = 2,61
Ne = 2,66

geen = 2,60
Ne = 2,65

Diëlektrische Constante c~9.66 c~9.66
Warmtegeleidingsvermogen (n-Type, 0,02 ohm.cm)

a~4.2 W/cm·K@298K
c~3.7 W/cm·K@298K

 
(Semi-insulating) Warmtegeleidingsvermogen

a~4.9 W/cm·K@298K
c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K
c~3.2 W/cm·K@298K

Band-Gap 3.23 eV 3.02 eV
Opsplitsings Elektrogebied 35×106V/cm 35×106V/cm
De Snelheid van de verzadigingsafwijking 2.0×105m/s 2.0×105m/s

Sic Toepassingen

Toepassingsgebieden

  • 1 hoge frequentie en hoge machts elektronische dioden van apparatenschottky, JFET, BJT, Speld,
  • dioden, IGBT, MOSFET
  • 2 optoelectronic apparaten: hoofdzakelijk gebruikt LEIDENE van het substraat materiële (GaN/sic) leiden in van GaN/sic blauwe

4 het duim n-gesmeerde 4H-Wafeltje van het Siliciumcarbide sic

Van het de diameter de Specificatie Silicium van 4h-n 4inch van het het Carbide (sic) Substraat

   
2inch van het het Carbide (sic) Substraat van het diameter de Specificatie Silicium  
Rang Nul MPD-Rang Productierang Onderzoekrang Proefrang  
 
Diameter 100. mm±0.2mm  
 
Dikte 1000±25um of andere aangepaste dikte 
 
Wafeltjerichtlijn Van as: 4.0° naar <1120> ±0.5° voor 4h-n/4h-Si op as: <0001> ±0.5° voor 6h-n/6h-si/4h-n/4h-Si  
 
Micropipedichtheid ≤0 cm2 ≤2 cm2 ≤5cm-2 ≤30 cm2  
 
Weerstandsvermogen 4h-n 0.015~0.028 Ω•cm  
 
     
 
4/6h-Si ≥1E7 Ω·cm  
 
Primaire Vlakte {10-10} ±5.0° of ronde vorm 
 
Primaire Vlakke Lengte 18.5 mm±2.0 mm of ronde vorm  
 
Secundaire Vlakke Lengte 10.0mm±2.0 mm  
 
Secundaire Vlakke Richtlijn Siliciumgezicht - omhoog: 90° CW. van Eerste vlakke ±5.0°  
 
Randuitsluiting 1 mm  
 
TTV/Bow /Warp ≤10μm/≤10μm/≤15μm  
 
Ruwheid Poolse Ra≤1 NM  
 
CMP Ra≤0.5 NM  
 
Barsten door hoge intensiteitslicht Niets 1 toegestaan, ≤2 mm Cumulatieve lengte ≤ 10mm, enige length≤2mm  
 
 
Hexuitdraaiplaten door hoge intensiteitslicht Cumulatief gebied ≤1% Cumulatief gebied ≤1% Cumulatief gebied ≤3%  
 
Polytypegebieden door hoge intensiteitslicht Niets Cumulatief gebied ≤2% Cumulatief gebied ≤5%  
 
 
Krassen door hoge intensiteitslicht 3 krassen aan 1×wafer-diameter cumulatieve lengte 5 krassen aan 1×wafer-diameter cumulatieve lengte 5 krassen aan 1×wafer-diameter cumulatieve lengte  
 
 
randspaander Niets 3 toegestaan, ≤0.5 mm elk 5 toegestaan, ≤1 mm elk  

 

De productievertoning toont

6 duim SIC Wafeltje 4 Epitaxial Wafeltjes GaN Layer On Sic van H-N Type Sic EPI 16 duim SIC Wafeltje 4 Epitaxial Wafeltjes GaN Layer On Sic van H-N Type Sic EPI 26 duim SIC Wafeltje 4 Epitaxial Wafeltjes GaN Layer On Sic van H-N Type Sic EPI 3

 
CATALOGUS   GEMEENSCHAPPELIJKE GROOTTE   In ONZE INVENTARISlijst
  
 

 

4 H-N Type/Hoge Zuiverheids sic wafeltje/baren
2 duim4h n-Type sic wafeltje/baren
3 duim4h n-Type sic wafeltje
4 duim4h n-Type sic wafeltje/baren
6 duim4h n-Type sic wafeltje/baren

4H Semi-insulating/Hoge Zuiverheids sic wafeltje

2 duim4h Semi-insulating sic wafeltje
3 duim4h Semi-insulating sic wafeltje
4 duim4h Semi-insulating sic wafeltje
6 duim4h Semi-insulating sic wafeltje
 
 
6H-n-Type sic wafeltje
2 duim6h n-Type sic wafeltje/baar
 
 Customziedgrootte voor 2-6inch
 
 

>Verpakking – Logistcs

wij betreffen elk detailleren van het pakket, antistatisch schoonmaken, schoktherapie.

Volgens de hoeveelheid en de vorm van het product, zullen wij een verschillend verpakkingsprocédé nemen! Bijna door enig wafeltje cassettes of 25pcs-sorteert de cassette in 100 schoonmakende ruimte.

 

Contactgegevens
Manager

Telefoonnummer : +8615801942596

WhatsApp : +8615801942596