2 het Wafeltje van de het Malplaatjelaag van duimsapphire substrate AlN voor de Apparaten van 5G BAW

Basisinformatie
Plaats van herkomst: China
Merknaam: ZMKJ
Modelnummer: 2inch-alN-Saffier
Min. bestelaantal: 5pcs
Prijs: by case
Verpakking Details: enige wafeltjecontainer in het schoonmaken van ruimte
Levertijd: in 30days
Betalingscondities: T/T, Western Union, Paypal
Levering vermogen: 50PCS/Month
substraat: saffierwafeltje laag: AlNmalplaatje
laagdikte: 1-5um geleidingsvermogentype: N/P
Richtlijn: 0001 toepassing: hoge macht/hoge frequentie elektronische apparaten
toepassing 2: de Apparaten van 5G saw/BAW siliciumdikte: 525um/625um/725um
Hoog licht:

het Malplaatje van 2 duimaln

,

het Malplaatje van de Apparatenaln van 5G BAW

,

het substraat van de 2 duimsaffier

film van de malplaatjesaln van 2inch 4iinch 6Inch de Saffier gebaseerde AlN op saffiersubstraat

2inch op het Wafeltje van de het Malplaatjelaag van AlN van het saffiersubstraat voor de Apparaten van 5G BAW

 

Toepassingen van   AlNmalplaatje
 
  Onze OEM heeft series van merkgebonden technologieën en de de de-staat-van-reactoren en faciliteiten van de kunstpvt groei aan ontwikkeld
vervaardig verschillende grootte van de enige kristallijne AlN-wafeltjes van uitstekende kwaliteit, AlN temlpates. Wij zijn één van weinigen wereld-leidt
high-tech bedrijven wie volledige AlN-vervaardigingscapa bezitten? bilities om AlN van uitstekende kwaliteit boules en wafeltjes te produceren, en te verstrekken
profes? de sionaldiensten en kant en klare oplossingen voor onze die klanten, van het van de groeireactor en hotzone ontwerp worden geschikt,
modellering en simulatie, procesontwerp en optimalisering, de kristalgroei,
wafering en materiële characteriza? tion. Tot April 2019, hebben zij meer dan 27 octrooien toegepast (met inbegrip van PCT).
 
             Specificatie
 
De aracteristic2 het Wafeltje van de het Malplaatjelaag van duimsapphire substrate AlN voor de Apparaten van 5G BAW 0Specificatie van CH

 

Andere relaterd4inch GaN Template Specificatie

 

 

     
  GaN/Al ₂ O ₃ Substraten (4“) 4inch
Punt Un-doped N-type

Hoog-gesmeerd

N-type

Grootte (mm) Φ100.0±0.5 (4“)
Substraatstructuur GaN op Saffier (0001)
SurfaceFinished (Norm: SSP Optie: DSP)
Dikte (μm) 4.5±0.5; 20±2; Aangepast
Geleidingstype Un-doped N-type Hoog-gesmeerd n-Type
Weerstandsvermogen (Ω·cm) (300K) ≤0.5 ≤0.05 ≤0.01
GaN Thickness Uniformity
 
≤±10% (4“)
Dislocatiedichtheid (cm2)
 
≤5×108
Bruikbare Oppervlakte >90%
Pakket Verpakt in een klasse 100 schoon ruimtemilieu.
 

 

2 het Wafeltje van de het Malplaatjelaag van duimsapphire substrate AlN voor de Apparaten van 5G BAW 12 het Wafeltje van de het Malplaatjelaag van duimsapphire substrate AlN voor de Apparaten van 5G BAW 2

Kristalstructuur

Wurtzite

Roosterconstante (Å) a=3.112, c=4.982
Het type van geleidingsband Directe bandgap
Dichtheid (g/cm3) 3.23
Oppervlaktemicrohardness (Knoop-test) 800
Smeltpunt (℃) 2750 (bar 10-100 in N2)
Warmtegeleidingsvermogen (W/m·K) 320
De energie van het bandhiaat (eV) 6.28
Elektronenmobiliteit (V·s/cm2) 1100
Elektrisch analyseveld (MV/cm) 11.7

2 het Wafeltje van de het Malplaatjelaag van duimsapphire substrate AlN voor de Apparaten van 5G BAW 32 het Wafeltje van de het Malplaatjelaag van duimsapphire substrate AlN voor de Apparaten van 5G BAW 4

 

Contactgegevens
Manager

Telefoonnummer : +8615801942596

WhatsApp : +8615801942596