BAW-Apparaten Dia 50.8mm het Wafeltje van het het Aluminiumnitride van 1 Duimaln

Basisinformatie
Plaats van herkomst: China
Merknaam: ZMKJ
Modelnummer: UTI-AlN-1inch enig kristal
Min. bestelaantal: 1PCS
Prijs: by case
Verpakking Details: enige wafeltjecontainer in het schoonmaken van ruimte
Levertijd: in 30days
Betalingscondities: T/T, Western Union, Paypal
Levering vermogen: 10PCS/Month
materiaal: AlNkristal dikte: 400um
Richtlijn: 0001 toepassing: hoge macht/hoge frequentie elektronische apparaten
toepassing 2: de Apparaten van 5G saw/BAW Ra: 0.5nm
opgepoetste oppervlakte: Al gezicht cmp, n-Gezicht mp kristaltype: 2H
Hoog licht:

Het nitridewafeltje van het AlNaluminium

,

50.8mm het wafeltje van het aluminiumnitride

,

BAW-het wafeltje van Apparatenaln

van dia50.8mm 2inch 1inch AlN het substraat/van AlN enig kristalwafeltjes

10x10mm of diameter 10mm dia25.4mm dia30mm, dia45mm, van het substraataln van dia50.8mm AlN het enige kristalwafeltjes

 

Toepassingen van   AlNmalplaatje
 
wij hebben series van merkgebonden processen en technologieën om ontwikkeld te vervaardigen
AlN-malplaatjes de van uitstekende kwaliteit. Momenteel, Onze is OEM wereldwijd het enige bedrijf wie 2-6 duim AlN kan veroorzaken
malplaatjes in industriële productievermogen op grote schaal met capaciteit van 300.000 stukken in 2020 om explosief te ontmoeten
de marktvraag van uvc-GELEIDE, 5G-draadloze communicatie, UVdetectors en sensoren enz.
 
Wij voorzien momenteel klanten van gestandaardiseerde hoge 10x10mm/Φ10mm/Φ15mm/Φ20mm/Φ25.4mm/Φ30mm/Φ50.8mm - kwaliteitsstikstof
Kunnen de het substraatproducten van het aluminium enige kristal, en klanten van niet-polaire 1020mm ook voorzien
Het m-vlakke het enige kristalsubstraat van het aluminiumnitride, of past niet genormaliseerde 5mm50.8mm aan klanten aan
Opgepoetst het enige kristalsubstraat van het aluminiumnitride. Dit product wordt wijd gebruikt als high-end substraatmateriaal
Gebruikt in uvc-GELEIDE spaanders, UVdetectors, UVlasers, en diverse hoge macht
/High-temperatuur/hoge frequentie elektronisch apparatengebied.
 
 
Kenmerkende Specificatie
  • Model                                                           UTI-AlN-10x10B-enig kristal
  • Diameter                                                           10x10±0.5mm; of dia10mm, dia25.4mm, of dia30mm, of dia45mm;
  •  
  • Substraatdikte (µm)                                      400 ± 50
  • Richtlijn                                                        C-as [0001] +/- 0.5°

     Kwaliteitsrang              (Super) s-rang    P-rang (productie)       R-rang (Onderzoek)

 
  • Barsten                                                  Niets                      Niets <3mm>
  •                                  
  • FWHM-2θXRD@ (0002)<150><300>                  0
  • FWHM-HRXRD@ (10-12)<100><200>                 0
  • Oppervlakteruwheid [5×5µm] (NM)          Al-gezicht CMP<0>
  •  
  • Bruikbaar gebied                                       90%
  • Absorbering<50>
  •                              
  • eerste VAN lengterichtlijn                                         {10-10} ±5°;
  • TTV (µm)                                                                       ≤30
  • Boog (µm)                                                                        ≤30
  • Afwijking (µm)                                                                    -30~30
  • Nota: Deze karakteriseringsresultaten kunnen lichtjes afhankelijk van het aangewende materiaal en/of de software variëren
BAW-Apparaten Dia 50.8mm het Wafeltje van het het Aluminiumnitride van 1 Duimaln 0

BAW-Apparaten Dia 50.8mm het Wafeltje van het het Aluminiumnitride van 1 Duimaln 1

BAW-Apparaten Dia 50.8mm het Wafeltje van het het Aluminiumnitride van 1 Duimaln 2

 

BAW-Apparaten Dia 50.8mm het Wafeltje van het het Aluminiumnitride van 1 Duimaln 3

BAW-Apparaten Dia 50.8mm het Wafeltje van het het Aluminiumnitride van 1 Duimaln 4

 
onzuiverheidselement    C O Fe van Ti van Si B Na W.P.S
PPMW                        27 90 5,4 0,92 0,23 <0>
 
 
Kristalstructuur

Wurtzite

Roosterconstante (Å) a=3.112, c=4.982
Het type van geleidingsband Directe bandgap
Dichtheid (g/cm3) 3.23
Oppervlaktemicrohardness (Knoop-test) 800
Smeltpunt (℃) 2750 (bar 10-100 in N2)
Warmtegeleidingsvermogen (W/m·K) 320
De energie van het bandhiaat (eV) 6.28
Elektronenmobiliteit (V·s/cm2) 1100
Elektrisch analyseveld (MV/cm) 11.7

BAW-Apparaten Dia 50.8mm het Wafeltje van het het Aluminiumnitride van 1 Duimaln 5

Contactgegevens
Manager

Telefoonnummer : +8615801942596

WhatsApp : +8615801942596