• Duimn Type van VGF 6 GaAs Halfgeleidersubstraat voor Epitaxial Groei
  • Duimn Type van VGF 6 GaAs Halfgeleidersubstraat voor Epitaxial Groei
  • Duimn Type van VGF 6 GaAs Halfgeleidersubstraat voor Epitaxial Groei
  • Duimn Type van VGF 6 GaAs Halfgeleidersubstraat voor Epitaxial Groei
  • Duimn Type van VGF 6 GaAs Halfgeleidersubstraat voor Epitaxial Groei
Duimn Type van VGF 6 GaAs Halfgeleidersubstraat voor Epitaxial Groei

Duimn Type van VGF 6 GaAs Halfgeleidersubstraat voor Epitaxial Groei

Productdetails:

Plaats van herkomst: CN
Merknaam: ZMSH
Certificering: ROHS
Modelnummer: S-c-n

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal: 3pcs
Prijs: BY case
Verpakking Details: enige wafeltjecontainer onder schoonmakende ruimte
Levertijd: 2-6weeks
Betalingscondities: T/T, Western Union
Beste prijs Contact

Gedetailleerde informatie

Materiaal: GaAs kristal Richtlijn: 100 2°off
Grootte: 6INCH De groeimethode: VGF
Dikte: 675±25um EPD: <500>
Additief: Si-gesmeerd Vorm: met Inkeping
TTV: 10um Boog: 10um
Oppervlakte: SSP
Hoog licht:

GaAs Halfgeleidersubstraat

,

VGF-Halfgeleidersubstraat

,

epitaxial groein type substraat

Productomschrijving

 

 

Het n-type van VGF 2inch 4inch 6inch eerste ranggaas wafeltje voor epitaxial groei

 

GaAs het wafeltje (Galliumarsenide) is een voordelig alternatief aan silicium dat in de halfgeleiderindustrie heeft geëvolueerd. Minder machtsconsumptie en meer die efficiency door dit GaAs wafeltjes wordt aangeboden trekken de marktdeelnemers aan om deze wafeltjes goed te keuren, daardoor verhogend de vraag naar GaAs wafeltje. Over het algemeen, wordt dit wafeltje gebruikt om halfgeleiders, lichtgevende dioden, thermometers, elektronische kringen te vervaardigen, en barometers, naast het vinden van toepassing in de productie van legeringen met een laag smeltpunt. Aangezien de halfgeleider en de elektronische kringsindustrieën nieuwe pieken blijven raken, neemt de GaAs markt een hoge vlucht. Galliumarsenide van GaAs wafeltje heeft de macht van het produceren van laserlicht van elektriciteit. Vooral is polycrystalline en enige kristal belangrijkste type twee van GaAs wafeltjes, die in de productie van zowel de micro-elektronica als opto-elektronica worden gebruikt om tot LD, leiden, en microgolfkringen te leiden. Daarom leidt de uitgebreide waaier van GaAs toepassingen, in het bijzonder in opto-elektronica en micro-elektronica de industrie tot een de vraagtoevloed in de Markt van het theGaAswafeltje. Eerder, werden de optoelectronic apparaten hoofdzakelijk gebruikt op een brede waaier in optische mededelingen en computerrandapparatuur op korte termijn. Maar nu, zijn zij veel gevraagd voor sommige nieuwe toepassingen zoals LiDAR, vergrote werkelijkheid, en gezichtserkenning. LEC en VGF zijn twee populaire methodes die de productie van GaAs wafeltje met hoge uniformiteit van elektrische eigenschappen en uitstekende oppervlaktekwaliteit verbeteren. De elektronenmobiliteit, de enige verbinding band-Gap, de hogere efficiency, de hitte en de vochtbestendigheid, en de superieure flexibiliteit zijn de vijf verschillende voordelen van GaAs, die de goedkeuring van GaAs wafeltjes in de halfgeleiderindustrie verbeteren.

 

 

Wat wij verstrekken:

Punt
Y/N
Punt
Y/N
Punt
Y/N
GaAs kristal
ja
Elektronische Rang
ja
N type
ja
GaAs spatie
ja
Infrarode Rang
ja
P type
ja
GaAs substraat
ja
Celrang
ja
Undoped
ja
GaAs epi wafeltje
ja
 
Specificatiedetail:
 
GaAs (Galliumarsenide) voor LEIDENE Toepassingen
Punt Specificaties Opmerkingen
Geleidingstype SC/n-type  
De groeimethode VGF  
Additief Silicium  
Wafeltje Diamter 2, 3 & 4 duim Beschikbare baar of zoals-besnoeiing
Crystal Orientation (100) 2°/6°/15° weg (110) Andere beschikbare misorientation
VAN EJ of de V.S.  
Dragerconcentratie (0.4~2.5) E18/cm3  
Weerstandsvermogen bij rechts (1.5~9) e-3 Ohm.cm  
Mobiliteit 1500~3000 cm2/V.sec  
Ets Pit Density <500>  
Laser het Merken op verzoek  
De oppervlakte eindigt P/E of P/P  
Dikte 220~350um  
Klaar Epitaxy Ja  
Pakket Enige wafeltjecontainer of cassette  

GaAs (Galliumarsenide), Semi-insulating voor Micro-elektronicatoepassingen

 

Punt
Specificaties
Opmerkingen
Geleidingstype
Het isoleren
 
De groeimethode
VGF
 
Additief
Undoped
 
Wafeltje Diamter
2, 3, 4 & 6 duim
Beschikbare baar
Crystal Orientation
(100) +/- 0.5°
 
VAN
EJ, de V.S. of inkeping
 
Dragerconcentratie
n/a
 
Weerstandsvermogen bij rechts
>1E7 Ohm.cm
 
Mobiliteit
>5000 cm2/V.sec
 
Ets Pit Density
<8000>
 
Laser het Merken
op verzoek
 
De oppervlakte eindigt
P/P
 
Dikte
350~675um
 
Klaar Epitaxy
Ja
 
Pakket
Enige wafeltjecontainer of cassette
 
Nr. Punt Standaardspecificatie
1 Grootte   2“ 3“ 4“ 6“
2 Diameter mm 50.8±0.2 76.2±0.2 100±0.2 150±0.5
3 De groeimethode   VGF
4 Gesmeerd   Un-doped, of Si-Gesmeerd, of Zn-Gesmeerd
5 Leider Type   N/A, of SC/N, of SC/P
6 Dikte μm (220-350) ±20 of (350-675) ±25
7 Crystal Orientation   <100>±0.5 of 2 weg
OF/IF richtlijnoptie   EJ, de V.S. of Inkeping
Richtlijn Vlak (VAN) mm 16±1 22±1 32±1 -
Vlakke identificatie (ALS) mm 8±1 11±1 18±1 -
8 Weerstandsvermogen (Niet voor
Mechanisch
Rang)
Ω.cm (1-30) ‚107, of (0.8-9) ‚10-3, of 1' 10-2-10-3
Mobiliteit cm2/v.s ≥ 5.000, of 1,500-3,000
Dragerconcentratie cm-3 (0.3-1.0) x1018, of (0.4-4.0) x1018,
of zoals SEMI
9 TTV μm ≤10
Boog μm ≤10
Afwijking μm ≤10
EPD cm-2 ≤ 8.000 of ≤ 5.000
Voor/Achteroppervlakte   P/E, P/P
Randprofiel   Zoals SEMI
Deeltjestelling   <50>0,3 μm, telling/wafeltje),
of ZOALS SEMI
10 Laserteken   Achterkant of op verzoek
11 Verpakking   Enige wafeltjecontainer of cassette

 

Pakketdetail:

 

 

Duimn Type van VGF 6 GaAs Halfgeleidersubstraat voor Epitaxial Groei 0Duimn Type van VGF 6 GaAs Halfgeleidersubstraat voor Epitaxial Groei 1

Duimn Type van VGF 6 GaAs Halfgeleidersubstraat voor Epitaxial Groei 2

Wilt u meer details over dit product weten
Ik ben geïnteresseerd Duimn Type van VGF 6 GaAs Halfgeleidersubstraat voor Epitaxial Groei kun je me meer details sturen zoals type, maat, hoeveelheid, materiaal, etc.
Bedankt!
Wachten op je antwoord.