Duimn Type van VGF 6 GaAs Halfgeleidersubstraat voor Epitaxial Groei
Productdetails:
Plaats van herkomst: | CN |
Merknaam: | ZMSH |
Certificering: | ROHS |
Modelnummer: | S-c-n |
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: | 3pcs |
---|---|
Prijs: | BY case |
Verpakking Details: | enige wafeltjecontainer onder schoonmakende ruimte |
Levertijd: | 2-6weeks |
Betalingscondities: | T/T, Western Union |
Gedetailleerde informatie |
|||
Materiaal: | GaAs kristal | Richtlijn: | 100 2°off |
---|---|---|---|
Grootte: | 6INCH | De groeimethode: | VGF |
Dikte: | 675±25um | EPD: | <500> |
Additief: | Si-gesmeerd | Vorm: | met Inkeping |
TTV: | 10um | Boog: | 10um |
Oppervlakte: | SSP | ||
Hoog licht: | GaAs Halfgeleidersubstraat,VGF-Halfgeleidersubstraat,epitaxial groein type substraat |
Productomschrijving
Het n-type van VGF 2inch 4inch 6inch eerste ranggaas wafeltje voor epitaxial groei
GaAs het wafeltje (Galliumarsenide) is een voordelig alternatief aan silicium dat in de halfgeleiderindustrie heeft geëvolueerd. Minder machtsconsumptie en meer die efficiency door dit GaAs wafeltjes wordt aangeboden trekken de marktdeelnemers aan om deze wafeltjes goed te keuren, daardoor verhogend de vraag naar GaAs wafeltje. Over het algemeen, wordt dit wafeltje gebruikt om halfgeleiders, lichtgevende dioden, thermometers, elektronische kringen te vervaardigen, en barometers, naast het vinden van toepassing in de productie van legeringen met een laag smeltpunt. Aangezien de halfgeleider en de elektronische kringsindustrieën nieuwe pieken blijven raken, neemt de GaAs markt een hoge vlucht. Galliumarsenide van GaAs wafeltje heeft de macht van het produceren van laserlicht van elektriciteit. Vooral is polycrystalline en enige kristal belangrijkste type twee van GaAs wafeltjes, die in de productie van zowel de micro-elektronica als opto-elektronica worden gebruikt om tot LD, leiden, en microgolfkringen te leiden. Daarom leidt de uitgebreide waaier van GaAs toepassingen, in het bijzonder in opto-elektronica en micro-elektronica de industrie tot een de vraagtoevloed in de Markt van het theGaAswafeltje. Eerder, werden de optoelectronic apparaten hoofdzakelijk gebruikt op een brede waaier in optische mededelingen en computerrandapparatuur op korte termijn. Maar nu, zijn zij veel gevraagd voor sommige nieuwe toepassingen zoals LiDAR, vergrote werkelijkheid, en gezichtserkenning. LEC en VGF zijn twee populaire methodes die de productie van GaAs wafeltje met hoge uniformiteit van elektrische eigenschappen en uitstekende oppervlaktekwaliteit verbeteren. De elektronenmobiliteit, de enige verbinding band-Gap, de hogere efficiency, de hitte en de vochtbestendigheid, en de superieure flexibiliteit zijn de vijf verschillende voordelen van GaAs, die de goedkeuring van GaAs wafeltjes in de halfgeleiderindustrie verbeteren.
Wat wij verstrekken:
Punt
|
Y/N
|
Punt
|
Y/N
|
Punt
|
Y/N
|
GaAs kristal
|
ja
|
Elektronische Rang
|
ja
|
N type
|
ja
|
GaAs spatie
|
ja
|
Infrarode Rang
|
ja
|
P type
|
ja
|
GaAs substraat
|
ja
|
Celrang
|
ja
|
Undoped
|
ja
|
GaAs epi wafeltje
|
ja
|
GaAs (Galliumarsenide) voor LEIDENE Toepassingen | ||
Punt | Specificaties | Opmerkingen |
Geleidingstype | SC/n-type | |
De groeimethode | VGF | |
Additief | Silicium | |
Wafeltje Diamter | 2, 3 & 4 duim | Beschikbare baar of zoals-besnoeiing |
Crystal Orientation | (100) 2°/6°/15° weg (110) | Andere beschikbare misorientation |
VAN | EJ of de V.S. | |
Dragerconcentratie | (0.4~2.5) E18/cm3 | |
Weerstandsvermogen bij rechts | (1.5~9) e-3 Ohm.cm | |
Mobiliteit | 1500~3000 cm2/V.sec | |
Ets Pit Density | <500> | |
Laser het Merken | op verzoek | |
De oppervlakte eindigt | P/E of P/P | |
Dikte | 220~350um | |
Klaar Epitaxy | Ja | |
Pakket | Enige wafeltjecontainer of cassette |
GaAs (Galliumarsenide), Semi-insulating voor Micro-elektronicatoepassingen
|
||
Punt
|
Specificaties
|
Opmerkingen
|
Geleidingstype
|
Het isoleren
|
|
De groeimethode
|
VGF
|
|
Additief
|
Undoped
|
|
Wafeltje Diamter
|
2, 3, 4 & 6 duim
|
Beschikbare baar
|
Crystal Orientation
|
(100) +/- 0.5°
|
|
VAN
|
EJ, de V.S. of inkeping
|
|
Dragerconcentratie
|
n/a
|
|
Weerstandsvermogen bij rechts
|
>1E7 Ohm.cm
|
|
Mobiliteit
|
>5000 cm2/V.sec
|
|
Ets Pit Density
|
<8000>
|
|
Laser het Merken
|
op verzoek
|
|
De oppervlakte eindigt
|
P/P
|
|
Dikte
|
350~675um
|
|
Klaar Epitaxy
|
Ja
|
|
Pakket
|
Enige wafeltjecontainer of cassette
|
|
Nr. | Punt | Standaardspecificatie | |||||
1 | Grootte | 2“ | 3“ | 4“ | 6“ | ||
2 | Diameter | mm | 50.8±0.2 | 76.2±0.2 | 100±0.2 | 150±0.5 | |
3 | De groeimethode | VGF | |||||
4 | Gesmeerd | Un-doped, of Si-Gesmeerd, of Zn-Gesmeerd | |||||
5 | Leider Type | N/A, of SC/N, of SC/P | |||||
6 | Dikte | μm | (220-350) ±20 of (350-675) ±25 | ||||
7 | Crystal Orientation | <100>±0.5 of 2 weg | |||||
OF/IF richtlijnoptie | EJ, de V.S. of Inkeping | ||||||
Richtlijn Vlak (VAN) | mm | 16±1 | 22±1 | 32±1 | - | ||
Vlakke identificatie (ALS) | mm | 8±1 | 11±1 | 18±1 | - | ||
8 | Weerstandsvermogen | (Niet voor Mechanisch Rang) |
Ω.cm | (1-30) ‚107, of (0.8-9) ‚10-3, of 1' 10-2-10-3 | |||
Mobiliteit | cm2/v.s | ≥ 5.000, of 1,500-3,000 | |||||
Dragerconcentratie | cm-3 | (0.3-1.0) x1018, of (0.4-4.0) x1018, of zoals SEMI |
|||||
9 | TTV | μm | ≤10 | ||||
Boog | μm | ≤10 | |||||
Afwijking | μm | ≤10 | |||||
EPD | cm-2 | ≤ 8.000 of ≤ 5.000 | |||||
Voor/Achteroppervlakte | P/E, P/P | ||||||
Randprofiel | Zoals SEMI | ||||||
Deeltjestelling | <50>0,3 μm, telling/wafeltje), of ZOALS SEMI |
||||||
10 | Laserteken | Achterkant of op verzoek | |||||
11 | Verpakking | Enige wafeltjecontainer of cassette |
Pakketdetail: