• Wafeltje 4 van 6inch dia150mm SIC H-N Type Sic-substraat voor MOS apparaat
  • Wafeltje 4 van 6inch dia150mm SIC H-N Type Sic-substraat voor MOS apparaat
  • Wafeltje 4 van 6inch dia150mm SIC H-N Type Sic-substraat voor MOS apparaat
Wafeltje 4 van 6inch dia150mm SIC H-N Type Sic-substraat voor MOS apparaat

Wafeltje 4 van 6inch dia150mm SIC H-N Type Sic-substraat voor MOS apparaat

Productdetails:

Plaats van herkomst: CHINA
Merknaam: ZMKJ
Modelnummer: de wafeltjes 4h-n van 6inch sic

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal: 5pcs
Prijs: by case
Verpakking Details: het enige wafeltjepakket in 100 sorteert schoonmakende ruimte
Levertijd: 1-6weeks
Betalingscondities: T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 1-50pcs/month
Beste prijs Contact

Gedetailleerde informatie

Materiaal: Sic enig kristal 4h-n Rang: Productierang
Thicnkss: 0.4mm Suraface: omwikkeld
Toepassing: voor poetsmiddeltest Diameter: 6inch
Kleur: Groen MPD: <2cm-2>
Hoog licht:

4 epitaxial wafeltjes van H-N Type

,

6 duim epitaxial wafeltjes

,

4 het wafeltje van H-N Type epi

Productomschrijving

 

het zaadwafeltje 1mm van 4h-n 4inch 6inch dia100mm sic dikte voor de baargroei

Customziedsize/2inch/3inch/4inch/6inch 6h-n/4h-SEMI SIC baren 4h-n/Hoge zuiverheids 4h-n 4inch 6inch dia 150mm van het enige kristal (sic) substraten wafersS/van het siliciumcarbide Wafeltjes van de wafersProduction4inch rang 4h-n 1.5mm Customzied gesneden sic SIC voor zaadkristal

6inch SIC Wafeltje 4 H-N Type-laag van de wafeltjesgan van de productierang de sic epitaxial op sic

 

Het Kristal ongeveer van het Siliciumcarbide (sic)

 

Het siliciumcarbide (sic), ook gekend als carborundum, is een halfgeleider sic bevattend silicium en koolstof met chemische formule. Sic wordt gebruikt in de apparaten van de halfgeleiderelektronika die bij hoge temperaturen of hoge voltages werken, of both.SiC is ook één van de belangrijke LEIDENE componenten, is het een populair substraat voor het kweken van GaN-apparaten, en het dient ook als hitteverspreider in high-power LEDs.

 

1. Beschrijving
Bezit 4H-sic, Enig Kristal 6H-sic, Enig Kristal
Roosterparameters a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Het stapelen van Opeenvolging ABCB ABCACB
Mohshardheid ≈9.2 ≈9.2
Dichtheid 3.21 g/cm3 3.21 g/cm3
Therm. Uitbreidingscoëfficiënt 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Brekingsindex @750nm

geen = 2,61
Ne = 2,66

geen = 2,60
Ne = 2,65

Diëlektrische Constante c~9.66 c~9.66
Warmtegeleidingsvermogen (n-Type, 0,02 ohm.cm)

a~4.2 W/cm·K@298K
c~3.7 W/cm·K@298K

 
(Semi-insulating) Warmtegeleidingsvermogen

a~4.9 W/cm·K@298K
c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K
c~3.2 W/cm·K@298K

Band-Gap 3.23 eV 3.02 eV
Opsplitsings Elektrogebied 35×106V/cm 35×106V/cm
De Snelheid van de verzadigingsafwijking 2.0×105m/s 2.0×105m/s

Sic Toepassingen

Toepassingsgebieden

  • 1 hoge frequentie en hoge machts elektronische dioden van apparatenschottky, JFET, BJT, Speld,
  • dioden, IGBT, MOSFET
  • 2 optoelectronic apparaten: hoofdzakelijk gebruikt LEIDENE van het substraat materiële (GaN/sic) leiden in van GaN/sic blauwe

4 het duim n-gesmeerde 4H-Wafeltje van het Siliciumcarbide sic

Van het de diameter de Specificatie Silicium van 4h-n 4inch van het het Carbide (sic) Substraat

6inch-n-Type sic Substratenspecificaties
Bezit P-MOS Rang P-SBD Rang D Rang  
Crystal Specifications  
Crystal Form 4H  
Polytypegebied Toegelaten niets Area≤5%  
(MPD) a ≤0.2 /cm2 ≤0.5 /cm2 ≤5 /cm2  
Hexuitdraaiplaten Toegelaten niets Area≤5%  
Hexagonale Polycrystal Toegelaten niets  
Opneming a Area≤0.05% Area≤0.05% N/A  
Weerstandsvermogen 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 0.014Ω•cm-0.028Ω•cm  
(EPD) a ≤4000/cm2 ≤8000/cm2 N/A  
(TED) a ≤3000/cm2 ≤6000/cm2 N/A  
(BPD) a ≤1000/cm2 ≤2000/cm2 N/A  
(TSD) a ≤600/cm2 ≤1000/cm2 N/A  
(Stapelend Fout) ≤0.5% Gebied ≤1% Gebied N/A  
De Verontreiniging van het oppervlaktemetaal (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) cm2 ≤1E11  
Mechanische Specificaties  
Diameter 150,0 mm +0mm/-0.2mm  
Oppervlakterichtlijn Off-Axis: 4°toward <11-20>±0.5°  
Primaire Vlakke Lengte 47,5 mm ± 1,5 mm  
Secundaire Vlakke Lengte Geen Secundaire Vlakte  
Primaire Vlakke Richtlijn <11-20>±1°  
Secundaire Vlakke Richtlijn N/A  
Orthogonal Misorientation ±5.0°  
De oppervlakte eindigt C-gezicht: Optisch Pools, Si-Gezicht: CMP  
Wafeltjerand Beveling  
Oppervlakteruwheid
(10μm×10μm)
Si-Gezicht Ra≤0.20 NM; C Gezicht Ra≤0.50 NM  
Dikte a 350.0μm± 25,0 μm  
LTV (10mm×10mm) a ≤2μm ≤3μm  
(TTV) a ≤6μm ≤10μm  
(BOOG) a ≤15μm ≤25μm ≤40μm  
(Afwijking) a ≤25μm ≤40μm ≤60μm  
Oppervlaktespecificaties  
Spaanders/Paragrafen Niets Toegelaten Breedte ≥0.5mm en Diepte Qty.2≤1.0 mm Breedte en Diepte  
Krast a
(Si-Gezicht, CS8520)
≤5 en Cumulatieve Length≤0.5×Wafer-Diameter ≤5 en Cumulatieve Length≤1.5× Wafeltjediameter  
TUA (2mm*2mm) ≥98% ≥95% N/A  
Barsten Toegelaten niets  
Verontreiniging Toegelaten niets  
Randuitsluiting 3mm  
         

Wafeltje 4 van 6inch dia150mm SIC H-N Type Sic-substraat voor MOS apparaat 1Wafeltje 4 van 6inch dia150mm SIC H-N Type Sic-substraat voor MOS apparaat 2Wafeltje 4 van 6inch dia150mm SIC H-N Type Sic-substraat voor MOS apparaat 3

 
CATALOGUS   GEMEENSCHAPPELIJKE GROOTTE   In ONZE INVENTARISlijst
  
 

 

4 H-N Type/Hoge Zuiverheids sic wafeltje/baren
2 duim4h n-Type sic wafeltje/baren
3 duim4h n-Type sic wafeltje
4 duim4h n-Type sic wafeltje/baren
6 duim4h n-Type sic wafeltje/baren

4H Semi-insulating/Hoge Zuiverheids sic wafeltje

2 duim4h Semi-insulating sic wafeltje
3 duim4h Semi-insulating sic wafeltje
4 duim4h Semi-insulating sic wafeltje
6 duim4h Semi-insulating sic wafeltje
 
 
6H-n-Type sic wafeltje
2 duim6h n-Type sic wafeltje/baar
 
 Customziedgrootte voor 2-6inch
 
 

>Verpakking – Logistcs

wij betreffen elk detailleren van het pakket, antistatisch schoonmaken, schoktherapie.

Volgens de hoeveelheid en de vorm van het product, zullen wij een verschillend verpakkingsprocédé nemen! Bijna door enig wafeltje cassettes of 25pcs-sorteert de cassette in 100 schoonmakende ruimte.

 

Wilt u meer details over dit product weten
Ik ben geïnteresseerd Wafeltje 4 van 6inch dia150mm SIC H-N Type Sic-substraat voor MOS apparaat kun je me meer details sturen zoals type, maat, hoeveelheid, materiaal, etc.
Bedankt!
Wachten op je antwoord.