 |
BAW-Apparaten Dia 50.8mm het Wafeltje van het het Aluminiumnitride van 1 Duimaln
Productdetails:
| Plaats van herkomst: | China |
| Merknaam: | ZMKJ |
| Modelnummer: | UTI-AlN-1inch enig kristal |
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
| Min. bestelaantal: | 1PCS |
|---|---|
| Prijs: | by case |
| Verpakking Details: | enige wafeltjecontainer in het schoonmaken van ruimte |
| Levertijd: | in 30days |
| Betalingscondities: | T/T, Western Union, Paypal |
| Levering vermogen: | 10PCS/Month |
|
Gedetailleerde informatie |
|||
| materiaal: | AlNkristal | dikte: | 400um |
|---|---|---|---|
| Richtlijn: | 0001 | toepassing: | hoge macht/hoge frequentie elektronische apparaten |
| toepassing 2: | de Apparaten van 5G saw/BAW | Ra: | 0.5nm |
| opgepoetste oppervlakte: | Al gezicht cmp, n-Gezicht mp | kristaltype: | 2H |
| Hoog licht: | Het nitridewafeltje van het AlNaluminium,50.8mm het wafeltje van het aluminiumnitride,BAW-het wafeltje van Apparatenaln |
||
Productomschrijving
van dia50.8mm 2inch 1inch AlN het substraat/van AlN enig kristalwafeltjes
10x10mm of diameter 10mm dia25.4mm dia30mm, dia45mm, van het substraataln van dia50.8mm AlN het enige kristalwafeltjes
Toepassingen van AlNmalplaatje
wij hebben series van merkgebonden processen en technologieën om ontwikkeld te vervaardigen
AlN-malplaatjes de van uitstekende kwaliteit. Momenteel, Onze is OEM wereldwijd het enige bedrijf wie 2-6 duim AlN kan veroorzaken
malplaatjes in industriële productievermogen op grote schaal met capaciteit van 300.000 stukken in 2020 om explosief te ontmoeten
de marktvraag van uvc-GELEIDE, 5G-draadloze communicatie, UVdetectors en sensoren enz.
Wij voorzien momenteel klanten van gestandaardiseerde hoge 10x10mm/Φ10mm/Φ15mm/Φ20mm/Φ25.4mm/Φ30mm/Φ50.8mm - kwaliteitsstikstof
Kunnen de het substraatproducten van het aluminium enige kristal, en klanten van niet-polaire 1020mm ook voorzien
Het m-vlakke het enige kristalsubstraat van het aluminiumnitride, of past niet genormaliseerde 5mm50.8mm aan klanten aan
Opgepoetst het enige kristalsubstraat van het aluminiumnitride. Dit product wordt wijd gebruikt als high-end substraatmateriaal
Gebruikt in uvc-GELEIDE spaanders, UVdetectors, UVlasers, en diverse hoge macht
/High-temperatuur/hoge frequentie elektronisch apparatengebied.
Kunnen de het substraatproducten van het aluminium enige kristal, en klanten van niet-polaire 1020mm ook voorzien
Het m-vlakke het enige kristalsubstraat van het aluminiumnitride, of past niet genormaliseerde 5mm50.8mm aan klanten aan
Opgepoetst het enige kristalsubstraat van het aluminiumnitride. Dit product wordt wijd gebruikt als high-end substraatmateriaal
Gebruikt in uvc-GELEIDE spaanders, UVdetectors, UVlasers, en diverse hoge macht
/High-temperatuur/hoge frequentie elektronisch apparatengebied.
Kenmerkende Specificatie
- Model UTI-AlN-10x10B-enig kristal
- Diameter 10x10±0.5mm; of dia10mm, dia25.4mm, of dia30mm, of dia45mm;
- Substraatdikte (µm) 400 ± 50
- Richtlijn C-as [0001] +/- 0.5°
Kwaliteitsrang (Super) s-rang P-rang (productie) R-rang (Onderzoek)
- Barsten Niets Niets <3mm>
- FWHM-2θXRD@ (0002)<150><300> 0
- FWHM-HRXRD@ (10-12)<100><200> 0
- Oppervlakteruwheid [5×5µm] (NM) Al-gezicht CMP<0>
- Bruikbaar gebied 90%
- Absorbering<50>
- eerste VAN lengterichtlijn {10-10} ±5°;
- TTV (µm) ≤30
- Boog (µm) ≤30
- Afwijking (µm) -30~30
- Nota: Deze karakteriseringsresultaten kunnen lichtjes afhankelijk van het aangewende materiaal en/of de software variëren
onzuiverheidselement C O Fe van Ti van Si B Na W.P.S
PPMW 27 90 5,4 0,92 0,23 <0>
| Kristalstructuur |
Wurtzite |
| Roosterconstante (Å) | a=3.112, c=4.982 |
| Het type van geleidingsband | Directe bandgap |
| Dichtheid (g/cm3) | 3.23 |
| Oppervlaktemicrohardness (Knoop-test) | 800 |
| Smeltpunt (℃) | 2750 (bar 10-100 in N2) |
| Warmtegeleidingsvermogen (W/m·K) | 320 |
| De energie van het bandhiaat (eV) | 6.28 |
| Elektronenmobiliteit (V·s/cm2) | 1100 |
| Elektrisch analyseveld (MV/cm) | 11.7 |
Wilt u meer details over dit product weten