Merknaam:	ZMKJ
Modelnummer:	UTI-AlN-150
MOQ:	3pcs
Prijs:	by case
Verpakking:	enige wafeltjecontainer in het schoonmaken van ruimte
Betalingsvoorwaarden:	T/T, Western Union, Paypal

Gedetailleerde informatie

Productbeschrijving

Gedetailleerde informatie

Plaats van herkomst:

China

substraat:

siliciumwafeltje

laag:

AlNmalplaatje

laagdikte:

200-1000nm

geleidingsvermogentype:

N/P

Richtlijn:

0001

toepassing:

hoge macht/hoge frequentie elektronische apparaten

toepassing 2:

de Apparaten van 5G saw/BAW

siliciumdikte:

525um/625um/725um

Levering vermogen:

50PCS/Month

Markeren:

Het Substraat van de AlNhalfgeleider

30mm dia aln Substraat

30mm aln enig kristal

Productbeschrijving

diameter 150mm op silicium-Gebaseerde AlN de malplaatjes500nm AlN film van 8inch 4inch 6inch op siliciumsubstraat

Toepassingen van AlNmalplaatje

De op silicium-gebaseerde halfgeleidertechnologie heeft zijn grenzen bereikt en niet aan de vereisten van toekomst kunnen voldoen

elektronische apparaten. Als een typisch soort het materiaal van de 3rd/4th-generatiehalfgeleider, heeft het aluminiumnitride (AlN)

superieure fysieke en chemische eigenschappen zoals brede bandgap, hoog warmtegeleidingsvermogen, hoge ingediende analyse,

de de hoge elektronische mobiliteit en corrosie/stralingsweerstand, en zijn een perfect substraat voor optoelectronic apparaten,

radiofrequentie (rf) apparaten, high-power/met hoge frekwentie elektronische apparaten etc… In het bijzonder, AlN-is het substraat

beste kandidaat voor uv-GELEIDE, UVdetectors, UVlasers, high-power/met hoge frekwentie rf apparaten en 5G SAW/BAW van 5G

apparaten, die wijd in milieubescherming, elektronika, draadloze communicaties, druk konden worden gebruikt,

biologie, gezondheidszorg, militaire en andere gebieden, zoals UVreiniging/sterilisatie, het UV genezen, photocatalysis, coun?

terfeit opsporing, high-density opslag, medische phototherapy, drugontdekking, draadloze en veilige mededeling,

ruimtevaart/diep-ruimteopsporing en andere gebieden.

wij hebben series van merkgebonden processen en technologieën om ontwikkeld te vervaardigen

AlN-malplaatjes de van uitstekende kwaliteit. Momenteel, Onze is OEM wereldwijd het enige bedrijf wie 2-6 duim AlN kan veroorzaken

malplaatjes in industriële productievermogen op grote schaal met capaciteit van 300.000 stukken in 2020 om explosief te ontmoeten

de marktvraag van uvc-GELEIDE, 5G-draadloze communicatie, UVdetectors en sensoren enz.

Wij voorzien momenteel klanten van gestandaardiseerde hoge 10x10mm/Φ10mm/Φ15mm/Φ20mm/Φ25.4mm/Φ30mm/Φ50.8mm - kwaliteitsstikstof
Kunnen de het substraatproducten van het aluminium enige kristal, en klanten van niet-polaire 1020mm ook voorzien
Het m-vlakke het enige kristalsubstraat van het aluminiumnitride, of past niet genormaliseerde 5mm50.8mm aan klanten aan
Opgepoetst het enige kristalsubstraat van het aluminiumnitride. Dit product wordt wijd gebruikt als high-end substraatmateriaal
Gebruikt in uvc-GELEIDE spaanders, UVdetectors, UVlasers, en diverse hoge macht
/High-temperatuur/hoge frequentie elektronisch apparatengebied.

Specificatie

Kenmerkende Specificatie

Model UTI-AlN-030B-enig kristal
Diameter Dia30±0.5mm;
Substraatdikte (µm) 400 ± 50
Richtlijn C-as [0001] +/- 0.5°

Kwaliteitsrang (Super) s-rang P-rang (productie) R-rang (Onderzoek)

Barsten Niets Niets <3mm>

FWHM-2θXRD@ (0002)<150><300> 0
FWHM-HRXRD@ (10-12)<100><200> 0
Oppervlakteruwheid [5×5µm] (NM) Al-gezicht <0>
Bruikbaar gebied 90%
Absorbering<50>

eerste VAN lengterichtlijn {10-10} ±5°;
TTV (µm) ≤30
Boog (µm) ≤30
Afwijking (µm) -30~30
Nota: Deze karakteriseringsresultaten kunnen lichtjes afhankelijk van het aangewende materiaal en/of de software variëren

30mm Dia AlN Enig Crystal Semiconductor Substrate 1

30mm Dia AlN Enig Crystal Semiconductor Substrate 2

30mm Dia AlN Enig Crystal Semiconductor Substrate 3

30mm Dia AlN Enig Crystal Semiconductor Substrate 4

onzuiverheidselement C O Fe van Ti van Si B Na W.P.S

PPMW 27 90 5,4 0,92 0,23 <0>

Kristalstructuur	Wurtzite
Roosterconstante (Å)	a=3.112, c=4.982
Het type van geleidingsband	Directe bandgap
Dichtheid (g/cm3)	3.23
Oppervlaktemicrohardness (Knoop-test)	800
Smeltpunt (℃)	2750 (bar 10-100 in N2)
Warmtegeleidingsvermogen (W/m·K)	320
De energie van het bandhiaat (eV)	6.28
Elektronenmobiliteit (V·s/cm2)	1100
Elektrisch analyseveld (MV/cm)	11.7

Tags:

saffiersubstraat

Saffier Optische Vensters

Het Wafeltje van het siliciumcarbide

Sapphire Tube

Het Wafeltje van het galliumnitride

Halfgeleidersubstraat

Synthetisch Gem Stone

Keramische onderdelen

wetenschappelijk laboratoriummateriaal

De Horlogekast van het saffierkristal

De Doos van de wafeltjedrager

Supergeleidend Dun Monocrystalline Substraat